光源装置的制造方法以及光源装置制造方法及图纸

提供一种光源装置的制造方法以及光源装置，能够使发光元件与模组基板之间的接合强度提高。实施方式所涉及的光源装置的制造方法具备：在具有热传导性的第一基板上配置包含第一金属的凸块的工序；在所述凸块上配置包含Au‑Sn合金的接合部件的工序；在所述凸块和所述接合部件上配置发光元件的工序；对配置了所述凸块、所述接合部件以及所述发光元件的所述第一基板进行加热的工序。

【技术实现步骤摘要】
光源装置的制造方法以及光源装置
本专利技术的实施方式涉及光源装置的制造方法以及光源装置。
技术介绍
半导体发光元件(LightEmittingDiode，LED)由于功能、性能的提高，其应用扩大到工业用途和机动车用途等。在实际的应用中，需要充分考虑如何处理伴随着高亮度化而产生的热。研究设置兼具散热功能的模组基板，在该模组基板上安装LED来实现高的散热性能。在模组基板上安装了LED的情况下，需要防止由模组基板与安装LED的安装基板的线膨胀系数的差异所产生的应力造成接合材料的破损、断裂等，从而确保接合强度。专利文献1：日本特开2015-185685号公报专利文献2：日本特开2010-135503号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题本实施方式提供一种使发光元件与模组基板之间的接合强度提高的光源装置的制造方法以及光源装置。用于解决技术问题的技术方案本实施方式的光源装置的制造方法具备：在具有热传导性的第一基板上配置包含第一金属的凸块的工序；在所述凸块上配置包含Au-Sn合金的接合部件的工序；在所述凸块和所述接合部件上配置发光元件的工序；对配置了所述凸块、所述接合部件和所述发光元件的所述第一基板进行加热的工序。本实施方式的光源装置的制造方法具备：在具有热传导性的第一基板上配置包含第一金属的凸块的工序；在所述凸块上配置包含比所述第一金属熔点低的第二金属的接合部件的工序；在所述凸块和所述接合部件上配置发光元件的工序；以所述第二金属的熔点以上且所述第一金属的熔点以下的温度对配置了所述凸块、所述接合部件和所述发光元件的所述第一基板进行加热的工序。本实施方式的光源装置的制造方法具备：在具有热传导性的第一基板上配置包含第一金属的凸块的工序；在所述凸块上配置包含第二金属的接合部件的工序；在所述凸块和所述接合部件上配置发光元件的工序；对配置了所述凸块、所述接合部件和所述发光元件的所述第一基板进行加热，对所述第二金属进行烧结的工序。本实施方式的光源装置的制造方法具备：在具有热传导性的第一基板上配置包含第二金属的接合部件的工序；在所述接合部件上配置设有凸块的发光元件的工序，该凸块包含比所述第二金属熔点高的第一金属；以所述第二金属的熔点以上且所述第一金属的熔点以下的温度对配置了所述接合部件和设有所述凸块的发光元件的所述第一基板进行加热的工序。本实施方式的光源装置具备：第一基板，其具有热传导性；发光元件；接合层，其设置在所述第一基板与所述发光元件之间。所述接合层包含：包含Ag的第一部分；包含Au-Sn合金的第二部分。实施方式的光源装置具备：第一基板，其具有热传导性；发光元件；接合层，其设置在所述第一基板与所述发光元件之间。所述接合层是包含Ag、Au和Sn的合金，并且具有Ag的浓度比Au或Sn的浓度高的部分和Ag的浓度比Au或Sn的浓度低的部分。本实施方式的光源装置具备：第一基板，其具有热传导性；发光元件；接合层，其设置在所述第一基板与所述发光元件之间。所述接合层具有包含第一金属的第三部分和包含第二金属的烧结体的第四部分。专利技术的效果在本实施方式中，能够实现使发光元件与模组基板之间的接合强度提高的光源装置的制造方法以及光源装置。附图说明图1A是例示第一实施方式的光源模组的示意性平面图。图1B是图1A的IB-IB’线处的示意性剖面图。图2A是例示第一实施方式的光源模组的制造方法的示意性剖面图。图2B是例示第一实施方式的光源模组的制造方法的示意性剖面图。图2C是例示第一实施方式的光源模组的制造方法的示意性剖面图。图2D是例示第一实施方式的光源模组的制造方法的示意性剖面图。图3A是例示第二实施方式的发光模组的示意性平面图。图3B是图3A的IIIB-IIIB’线处的示意性剖面图。图4A是例示第二实施方式的发光模组的制造方法的示意性剖面图。图4B是例示第二实施方式的发光模组的制造方法的示意性剖面图。图4C是例示第二实施方式的发光模组的制造方法的示意性剖面图。图4D是例示第二实施方式的发光模组的制造方法的示意性剖面图。图4E是例示第二实施方式的发光模组的制造方法的示意性剖面图。图5A是例示第三实施方式的光源模组的示意性剖面图。图5B是例示图5A的光源模组的一部分的示意性剖面放大图。图6A是例示第三实施方式中的接合部件的形成方法的示意性剖面图。图6B是将图6A的一部分进行了放大的示意性剖面图。图7A是例示第三实施方式中的接合部件的形成方法的示意性剖面图。图7B是将图7A的一部分进行了放大的示意性剖面图。图8A是例示第三实施方式中的接合部件的形成方法的示意性剖面图。图8B是将图8A的一部分进行了放大的示意性剖面图。图9A是例示第三实施方式中的接合部件的形成方法的示意性剖面图。图9B是将图9A的一部分进行了放大的示意性剖面图。图10是例示第四实施方式的光源模组的示意性剖面图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。需要说明的是，附图是示意性或概念性的描述，各部分的厚度与宽度的关系、各部分之间的尺寸比例等不一定与实际情况一致。并且，在表示相同部分的情况下，也存在通过附图来表示各自的尺寸和比例不同的情况。需要说明的是，在本申请说明书和各附图中，对于与已经出现的附图中进行过说明的构成要素相同的构成要素，标注同一附图标记而适当地省略说明。(第一实施方式)图1A是例示本实施方式的光源模组的示意性平面图。图1B是图1A的IB-IB线处的示意性剖面图。如图1A和图1B所示，本实施方式的光源模组(光源装置)1具备模组基板10、接合层20和发光模组50。接合层20设置在模组基板10与发光模组50之间。发光模组50具备安装基板30和发光元件40，并且通过接合层20接合于模组基板10。接合层20包含接合部件22和凸块24。凸块24包含第一金属。第一金属例如为Ag。接合部件22包含第二金属。第二金属例如为Au-Sn合金。优选Au-Sn合金中Au为85重量％以下且70重量％以上，Sn为15重量％以上且30重量％以下，尤其优选为Au为80重量％左右、Sn为20重量％左右。这是由于，通过使Au-Sn合金为规定的重量比，能够得到远低于在凸块24中使用的金属材料(Ag、Cu等)的熔点的温度的熔点。优选凸块(第一部分)24配置在接合部件22的外缘部和接合部件22的中央部，更优选的是从平面图中看配置在所述接合部件的角部和对角线的交点。并且，在图1A中，表示的是将5个凸块24分别设置在模组基板10与安装基板30之间的示例，但凸块24可以为4个部位，也可以是6个部位以上。并且，从平面图中看，优选设有凸块24的部位的面积为安装基板30的面积的10％以下。这是由于能够抑制成本并且确保接合强度。...

【技术保护点】
1.一种光源装置的制造方法，其特征在于，具备：/n在具有热传导性的第一基板上配置包含第一金属的凸块的工序；/n在所述凸块上配置包含Au-Sn合金的接合部件的工序；/n在所述凸块和所述接合部件上配置发光元件的工序；/n对配置了所述凸块、所述接合部件和所述发光元件的所述第一基板进行加热的工序。/n

【技术特征摘要】
20181225 JP 2018-240933;20190613 JP 2019-1104841.一种光源装置的制造方法，其特征在于，具备：
在具有热传导性的第一基板上配置包含第一金属的凸块的工序；
在所述凸块上配置包含Au-Sn合金的接合部件的工序；
在所述凸块和所述接合部件上配置发光元件的工序；
对配置了所述凸块、所述接合部件和所述发光元件的所述第一基板进行加热的工序。


2.根据权利要求1所述的光源装置的制造方法，其中，
所述第一金属为Ag。


3.一种光源装置的制造方法，其特征在于，具备：
在具有热传导性的第一基板上配置包含第一金属的凸块的工序；
在所述凸块上配置包含第二金属的接合部件的工序，该第二金属具有所述第一金属的熔点以下的熔点；
在所述凸块和所述接合部件上配置发光元件的工序；
以所述第一金属的熔点以下的温度对配置了所述凸块、所述接合部件和所述发光元件的所述第一基板进行加热的工序。


4.一种光源装置的制造方法，其特征在于，具备：
在具有热传导性的第一基板上配置包含第二金属的接合部件的工序；
在所述接合部件上配置设有凸块的发光元件的工序，所述凸块包含具有所述第二金属的熔点以上的熔点的第一金属；
以所述第一金属的熔点以下的温度对配置了所述接合部件和设有所述凸块的发光元件的所述第一基板进行加热的工序。


5.根据权利要求3或4所述的光源装置的制造方法，其中，
所述第一金属的熔点与所述第二金属的熔点的差为50度以上。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的光源装置的制造方法，其中，
所述凸块至少配置在所述接合部件的外缘部和所述接合部件的中央部。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的光源装置的制造方法，其中，
所述接合部件从平面图中看具有方形形状，
所述凸块配置在所述接合部件的角部和对角线的交点。


8.根据权利要求1～7中任一项所述的光源装置的制造方法，其中，
进一步具备将所述发光元件与绝缘性的第二基板连接的工序，
所述发光元件经由所述第二基板配置在所述凸块和所述接合部件上。


9.根据权利要求1～7中任一项所述的光源装置的制造方法，其中，
所述发光元件直接配置在所述凸块和所述接合部件上。


10.根据权利要求1～9中任一项所述的光源装置的制造方法，其中，
所述凸块的高度为35μm以上且50μm以下。...

【专利技术属性】
技术研发人员：松本隆志，原田直树，三枝福太郎，荫山良幸，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP