晶体管开关电路制造技术

本发明专利技术提供了一种晶体管开关电路，包括一第一晶体管，耦接于一输入端和一输出端之间，以控制所述输入端与所述输出端间信号的传输与切断；一串接晶体管组，与所述第一晶体管并联而耦接于所述输入端和输出端之间，所述串接晶体管组包括背对背串接的多个晶体管，且各所述多个晶体管的一基体端与所述第一晶体管的一第一基体端耦接，且所述第一晶体管的一控制端与所述多个晶体管的控制端接收相同的控制信号。通过串接晶体组的设置，切断第一晶体管的寄生本体二极管的导通路径，进而消除基体效应，从而避免晶体管在关闭时仍由其寄生本体二极管的导通路径输出信号。

Transistor switching circuit

【技术实现步骤摘要】
晶体管开关电路
本专利技术关于一种晶体管开关电路，特别是，一种通过晶体管的基体端互相连接以降低基体效应的晶体管开关电路。
技术介绍
一般而言，晶体管具有基体效应(bodyeffect)而导致漏电流或漏电压的产生，并使晶体管在关闭时仍输出电压，解决方法通常为利用两个晶体管背对背(backtoback)串接的方式来消除基体效应，虽然利用此种方式成功地去除各晶体管的基体效应，但却造成整个电路的导通电阻数值上升，如何在降低导通电阻和去除基体效应之间取得平衡，遂成为待解决的问题。美国公告号US7760007B2的专利通过偏压电路连接于两个晶体管之间，消除基体效应及漏电流，但却需额外的偏压电流电路提供电流以驱动偏压电路运作，造成整个电路的尺寸增加。综观前述，本专利技术的专利技术人思索并设计一种晶体管开关电路，以期针对现有技术的缺失加以改善，进而增进产业上的实施利用。
技术实现思路
有鉴于上述现有技术的问题，本专利技术的目的在于提供一种晶体管开关电路，用以解决现有技术中所面临的问题。基于上述目的，本专利技术提供一种晶体管开关电路，其包括第一晶体管以及串接晶体管组。第一晶体管耦接于输入端和输出端之间，以控制输入端与输出端间信号的传输与切断；串接晶体管组与第一晶体管并联而耦接于输入端和输出端之间，串接晶体管组包括背对背串接的多个晶体管，且各晶体管的一基体端与第一晶体管的第一基体端耦接，以切断第一晶体管的寄生本体二极管的导通路径而消除其基体效应，从而避免晶体管在关闭时仍由其寄生本体二极管的导通路径输出信号，且降低本专利技术的导通电阻。较佳地，多个晶体管包括第二晶体管及以背对背的方式连接于第二晶体管的第三晶体管，第二晶体管及第三晶体管的串接节点、第二晶体管的第二基体端以及第三晶体管的第三基体端，与第一基体端互相耦接。较佳地，第二晶体管具有第二源极及第二漏极，第三晶体管具有第三源极及第三漏极，第二源极连接于第三源极，第二漏极与输入端连接，第三漏极与输出端连接。较佳地，多个晶体管进一步包括第四晶体管以及第五晶体管。第四晶体管以背对背的方式连接于第二晶体管相对于第三晶体管的一端，且第四晶体管具有第四基体端、第四源极及第四漏极，第四基体端连接于第四源极及第四漏极二者之中未与第二晶体管耦接的一端；第五晶体管以背对背的方式连接于第三晶体管相对于第二晶体管的一端，且第五晶体管具有第五基体端、第五源极及第五漏极，第五基体端连接于第五源极及第五漏极二者之中未与第三晶体管耦接的一端。基于上述目的，本专利技术提供一种晶体管开关电路，其包括第一晶体管以及串接晶体管组。第一晶体管耦接于输入端和输出端之间，以控制输入端与输出端间信号的传输与切断；串接晶体管组与第一晶体管并联而耦接于输入端和输出端之间，串接晶体管组包括背对背串接的多个晶体管，其中第一晶体管的第一基体端耦接于多个晶体管的第一串接节点，以切断第一晶体管的寄生本体二极管的导通路径而消除其基体效应，从而避免晶体管在关闭时仍由其寄生本体二极管的导通路径输出信号及降低本专利技术的导通电阻。较佳地，多个晶体管包括第二晶体管以及第三晶体管，第三晶体管以背对背的方式连接于第二晶体管，且第一基体端耦接于第二晶体管与第三晶体管间的第一串接节点。较佳地，多个晶体管进一步包括第四晶体管以及第五晶体管，第四晶体管以背对背的方式连接于第二晶体管相对于第三晶体管的一端，且第四晶体管具有第四基体端，第四基体端耦接于第二晶体管的第二基体端，且亦耦接于第二晶体管及第四晶体管的第二串接节点；第五晶体管以背对背的方式连接于第三晶体管相对于第二晶体管的一端，且第五晶体管具有第五基体端，第五基体端耦接于第三晶体管的第三基体端，且亦耦接于第三晶体管及第五晶体管的第三串接节点。较佳地，第四晶体管具有第四源极及第四漏极，第五晶体管具有第五源极及第五漏极，而第四源极与第四漏极二者之中未与第二晶体管连接的一端耦接于输入端，第五源极与第五漏极二者之中未与第三晶体管连接的一端耦接于输出端。较佳地，第一晶体管的尺寸大于串接晶体管组中的各晶体管的尺寸。较佳地，第一晶体管的导通电阻小于串接晶体管组中各晶体管的导通电阻。承上所述，本专利技术的晶体管开关电路，通过第一晶体管的基体端连接各晶体管的基体端，切断第一晶体管的寄生本体二极管的导通路径而消除其基体效应，从而避免晶体管在关闭时仍由其寄生本体二极管的导通路径输出信号及降低本专利技术的导通电阻。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术的晶体管开关电路的第一实施例的电路图。图2为现有源极对源极的电路图。图3为本专利技术的晶体管开关电路的第一实施例的电压波形图。图4为本专利技术的晶体管开关电路的第二实施例的电路图。图5为本专利技术的晶体管开关电路的第三实施例的电路图。图6为本专利技术的晶体管开关电路的第四实施例的电路图。图7为本专利技术的晶体管开关电路的第五实施例的电路图。符号说明：10：第一晶体管20：第二晶体管30：第三晶体管40：第四晶体管50：第五晶体管60：比较器70：反相器B1：第一基体端B2：第二基体端B3：第三基体端B4：第四基体端B5：第五基体端D1：第一漏极D2：第二漏极D3：第三漏极D4：第四漏极D5：第五漏极G1：第一栅极G2：第二栅极G3：第三栅极G4：第四栅极G5：第五栅极IN：输入端OUT：输出端S1：第一源极S2：第二源极S3：第三源极S4：第四源极S5：第五源极T1、T2：晶体管VGATE：控制电压VIN：输入电压VOUT、VOUT1：输出电压具体实施方式本专利技术的优点、特征以及达到的技术方法将参照例示性实施例及所附图式进行更详细地描述而更容易理解，且本专利技术可以不同形式来实现，故不应被理解仅限于此处所陈述的实施例，相反地，对所属
具有通常知识者而言，所提供的实施例将使本揭露更加透澈与全面且完整地传达本专利技术的范畴。请参阅图1，其为本专利技术的晶体管开关电路的第一实施例的电路图。如图1所示，本专利技术的晶体管开关电路，其包括第一晶体管10以及串接晶体管组。第一晶体管10耦接于输入端IN和输出端OUT之间，以控制输入端IN与输出端OUT间信号的传输与切断，且第一晶体管10具有第一源极S1、第一漏极D1、第一栅极G1以及第一基体端B1；串接晶体管组与第一晶体管10并联而耦接于输入端IN和输出端OUT之间，串接晶体管组包括多个晶体管，多个晶体管包括背对背串接的第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体管开关电路，其特征在于，包括：/n一第一晶体管，耦接于一输入端和一输出端之间，以控制所述输入端与所述输出端间信号的传输与切断；以及/n一串接晶体管组，与所述第一晶体管并联而耦接于所述输入端和输出端之间，所述串接晶体管组包括背对背串接的多个晶体管，且各所述多个晶体管的一基体端与所述第一晶体管的一第一基体端耦接，且所述第一晶体管的一控制端与所述多个晶体管的控制端接收相同的控制信号。/n

【技术特征摘要】
20181226 TW 1071472271.一种晶体管开关电路，其特征在于，包括：
一第一晶体管，耦接于一输入端和一输出端之间，以控制所述输入端与所述输出端间信号的传输与切断；以及
一串接晶体管组，与所述第一晶体管并联而耦接于所述输入端和输出端之间，所述串接晶体管组包括背对背串接的多个晶体管，且各所述多个晶体管的一基体端与所述第一晶体管的一第一基体端耦接，且所述第一晶体管的一控制端与所述多个晶体管的控制端接收相同的控制信号。


2.根据权利要求1所述的晶体管开关电路，其特征在于，所述多个晶体管包括：
一第二晶体管；以及
一第三晶体管，以背对背的方式连接于所述第二晶体管；
其中，所述第二晶体管及所述第三晶体管的一串接节点、所述第二晶体管的一第二基体端以及所述第三晶体管的一第三基体端，与所述第一基体端互相耦接。


3.根据权利要求2所述的晶体管开关电路，其特征在于，所述第二晶体管具有一第二源极及一第二漏极，所述第三晶体管具有一第三源极及一第三漏极，所述第二源极连接于所述第三源极，所述第二漏极与所述输入端连接，所述第三漏极与所述输出端连接。


4.根据权利要求2所述的晶体管开关电路，其特征在于，所述多个晶体管还包括：
一第四晶体管，以背对背的方式连接于所述第二晶体管相对于所述第三晶体管的一端，且所述第四晶体管具有一第四基体端、一第四源极及一第四漏极，所述第四基体端连接于所述第四源极及所述第四漏极二者之中未与所述第二晶体管耦接的一端；以及
一第五晶体管，以背对背的方式连接于所述第三晶体管相对于所述第二晶体管的一端，且所述第五晶体管具有一第五基体端、一第五源极及一第五漏极，所述第五基体端连接于所述第五源极及所述第五漏极二者之中未与所述第三晶体管耦接的一端。


5.一种晶体管开关电路，其特征在于，包括：
一第一晶体管，耦接于一输入端和...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘维钧，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71