发光晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种发光晶体管及其制备方法。发光晶体管包括依次层叠设置的基板、栅极、绝缘层、源极、发光结构以及漏极；源极包括第一齿柄以及若干个与第一齿柄连接的第一齿条；发光结构，位于源极上并且覆盖绝缘层，发光结构包括层叠设置的场效应半导体层和发光层；漏极包括第二齿柄以及若干个与第二齿柄连接的第二齿条；在平行于绝缘层表面的平面上，至少一个第一齿条远离第一柄齿的一端的投影位于两个第二齿条的投影的齿隙内，或者至少一个第二齿条远离第二柄齿的一端的投影位于两个第一齿条的投影的齿隙内。上述发光晶体管的源极和漏极增加了沟道宽度，能够在较低的驱动电压下产生较大的沟道电流，有利于提高发光器件的发光效率和发光强度。

Light emitting transistor and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
发光晶体管及其制备方法
本专利技术涉及微电子器件
，特别是涉及一种发光晶体管及其制备方法。
技术介绍
在有机显示半导体行业，以薄膜晶体管(TFT)驱动的有机发光二极管显示器件(OLEDs)，因其自发光、低功耗、色纯度高、低成本、可溶液法加工以及可柔性制备等优势，是当前显示
的研究重点趋势之一。为了获得高度集成化的器件结构，已有研究将TFT和OLED整合为单个光电子器件构成发光晶体管(OLETs)。与传统的OLED器件相比，发光晶体管利用了场效应晶体管(FETs)的栅场调控载流子浓度的特点，载流子的注入程度可以通过场效应晶体管的栅场调控作用进行调节，达到合适的注入载流子水平，保持载流子平衡，提高发光器件的发光效率和发光强度。发光晶体管包括普通平面结构的有机薄膜晶体管和垂直沟道有机薄膜晶体管(VFETs)。其中，垂直沟道有机薄膜晶体管可以实现低至几十到几百纳米的沟道长度，可以在较低的驱动电压下产生足够大的沟道电流。然而，对于垂直结构的有机晶体管，有机半导体的厚度一般需要保持在几百个纳米，继续减薄容易导致器件漏电，因此也会对沟道电流有一定的限制。
技术实现思路
基于此，有必要针对如何进一步提高垂直结构发光晶体管的沟道电流的问题，提供一种能够提高沟道电流的发光晶体管及其制备方法。一种发光晶体管，所述发光晶体管包括：基板；栅极，位于所述基板上；绝缘层，位于所述栅极上；源极，位于所述绝缘层上，所述源极包括第一齿柄以及若干个与所述第一齿柄连接的第一齿条；发光结构，位于所述源极上并且覆盖所述绝缘层，所述发光结构包括层叠设置的场效应半导体层和发光层；以及漏极，位于所述发光结构上，所述漏极包括第二齿柄以及若干个与所述第二齿柄连接的第二齿条；其中，在平行于所述绝缘层表面的平面上，至少一个所述第一齿条远离所述第一柄齿的一端的投影位于两个所述第二齿条的投影的齿隙内，或者至少一个所述第二齿条远离所述第二柄齿的一端的投影位于两个所述第一齿条的投影的齿隙内。本专利技术技术方案的发光晶体管为垂直结构的发光晶体管，其中，上述结构的源极和漏极增加了沟道宽度，能够在较低的驱动电压下产生较大的沟道电流，有利于提高发光器件的发光效率和发光强度。在其中一个实施例中，所述第一齿柄的投影与所述第二齿柄的投影错开设置，且所述第一齿条的投影朝向所述第二齿柄的方向延伸，所述第二齿条的投影朝向所述第一齿柄的方向延伸。在其中一个实施例中，所述第一齿条的投影与所述第二齿条的投影均位于所述第一齿柄的投影与所述第二齿柄的投影之间。在其中一个实施例中，若干个所述第一齿条与若干个所述第二齿条的数目相同，且一一对应。在其中一个实施例中，在平行于所述绝缘层表面的平面上，若干个所述第一齿条的投影与若干个所述第二齿条的投影不重合。在其中一个实施例中，在平行于所述绝缘层表面的平面上，所述第一齿条的投影与所述第二齿条的投影交替排列。在其中一个实施例中，在平行于所述绝缘层表面的平面上，任意所述第一齿条的投影与相邻所述第一齿条的投影的距离相等，任意所述第二齿条的投影与相邻所述第二齿条的投影的距离相等，任意所述第一齿条的投影与相邻所述第二齿条的投影的距离相等。在其中一个实施例中，所述所述第一齿条或者所述第二齿条的长度为500μm～2000μm，在平行于所述绝缘层表面的平面上，所述第一齿条的投影与相邻所述第二齿条的投影之间的距离为10μm～200μm。在其中一个实施例中，所述第一齿条与所述第二齿条沿平行于所述基板表面的截面形状为矩形、波浪形或者三角形。此外，还提供一种发光晶体管的制备方法，包括如下步骤：在所述基板上形成栅极；在所述栅极上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成源极，所述源极包括第一齿柄以及若干个与所述第一齿柄连接的第一齿条；在所述源极上形成发光结构，所述发光结构覆盖所述绝缘层，且所述发光结构包括层叠设置的场效应半导体层和发光层；以及在所述发光结构上形成漏极，所述漏极包括第二齿柄以及若干个与所述第二齿柄连接的第二齿条；其中，在平行于所述绝缘层表面的平面上，至少一个所述第一齿条远离所述第一柄齿的一端的投影位于两个所述第二齿条的投影的齿隙内，或者至少一个所述第二齿条远离所述第二柄齿的一端的投影位于两个所述第一齿条的投影的齿隙内。采用本专利技术技术方案的发光晶体管的制备方法制备得到的发光晶体管为垂直结构的发光晶体管，其中，上述结构的源极和漏极增加了沟道宽度，能够在较低的驱动电压下产生较大的沟道电流，有利于提高发光器件的发光效率和发光强度。附图说明图1为本专利技术一实施方式的发光晶体管的主视图；图2为本专利技术一实施方式的发光晶体管中源极与漏极在绝缘层上的投影示意图；图3为本专利技术一实施方式的发光晶体管的剖视图；图4为本专利技术另一实施方式的发光晶体管中源极与漏极在绝缘层上的投影示意图；图5为本专利技术另一实施方式的发光晶体管中源极与漏极在绝缘层上的投影示意图；图6为本专利技术另一实施方式的发光晶体管中源极与漏极在绝缘层上的投影示意图；图7为本专利技术另一实施方式的发光晶体管中源极与漏极在绝缘层上的投影示意图；图8为本专利技术另一实施方式的发光晶体管中源极与漏极在绝缘层上的投影示意图；图9为本专利技术另一实施方式的发光晶体管中源极与漏极在绝缘层上的投影示意图；图10为本专利技术另一实施方式的发光晶体管中源极与漏极在绝缘层上的投影示意图；图11为本专利技术一实施方式的发光晶体管的制备方法的流程图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。请参见图1～图3，本专利技术第一实施方式的发光晶体管100包括基板110、栅极120、绝缘层130、源极140、发光结构150以及漏极160。其中，基板110用于为其上各层提供支撑。基板110可以为玻璃基板、硅片基板或者柔性基板，柔性基板的材质例如可以为聚对苯二甲酸乙本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光晶体管，其特征在于，所述发光晶体管包括：/n基板；/n栅极，位于所述基板上；/n绝缘层，位于所述栅极上；/n源极，位于所述绝缘层上，所述源极包括第一齿柄以及若干个与所述第一齿柄连接的第一齿条；/n发光结构，位于所述源极上并且覆盖所述绝缘层，所述发光结构包括层叠设置的场效应半导体层和发光层；以及/n漏极，位于所述发光结构上，所述漏极包括第二齿柄以及若干个与所述第二齿柄连接的第二齿条；/n其中，在平行于所述绝缘层表面的平面上，至少一个所述第一齿条远离所述第一柄齿的一端的投影位于两个所述第二齿条的投影的齿隙内，或者至少一个所述第二齿条远离所述第二柄齿的一端的投影位于两个所述第一齿条的投影的齿隙内。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光晶体管，其特征在于，所述发光晶体管包括：
基板；
栅极，位于所述基板上；
绝缘层，位于所述栅极上；
源极，位于所述绝缘层上，所述源极包括第一齿柄以及若干个与所述第一齿柄连接的第一齿条；
发光结构，位于所述源极上并且覆盖所述绝缘层，所述发光结构包括层叠设置的场效应半导体层和发光层；以及
漏极，位于所述发光结构上，所述漏极包括第二齿柄以及若干个与所述第二齿柄连接的第二齿条；
其中，在平行于所述绝缘层表面的平面上，至少一个所述第一齿条远离所述第一柄齿的一端的投影位于两个所述第二齿条的投影的齿隙内，或者至少一个所述第二齿条远离所述第二柄齿的一端的投影位于两个所述第一齿条的投影的齿隙内。


2.根据权利要求1所述的发光晶体管，其特征在于，所述第一齿柄的投影与所述第二齿柄的投影错开设置，且所述第一齿条的投影朝向所述第二齿柄的方向延伸，所述第二齿条的投影朝向所述第一齿柄的方向延伸。


3.根据权利要求2所述的发光晶体管，其特征在于，所述第一齿条的投影与所述第二齿条的投影均位于所述第一齿柄的投影与所述第二齿柄的投影之间。


4.根据权利要求1所述的发光晶体管，其特征在于，若干个所述第一齿条与若干个所述第二齿条的数目相同，且一一对应。


5.根据权利要求1所述的发光晶体管，其特征在于，在平行于所述绝缘层表面的平面上，若干个所述第一齿条的投影与若干个所述第二齿条的投影不重合。


6.根据权利要求5所述的发光晶体管，其特征在于，在平行于所述绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯秋坛，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44