具有空穴载流路径的IEGT及其构建方法技术

本发明专利技术公开了一种具有空穴载流路径的IEGT，该具有空穴载流路径的IEGT包括：发射极、n+型发射区、栅极、基极区、p型MOSFET管、n‑型漂移区、n+型缓冲区、p+型集电极区、以及集电极；n‑型漂移区的上方间隔设置基极区和栅极，p型MOSFET管设置在基极区，p型MOSFET管在IEGT的主沟槽栅极的导通时间期间截止，并且在主沟槽栅极的截止时间期间导通；除设置有p型MOSFET管的基极区以外的其它基极区表面的两侧设有n+型发射区，n+型发射区上方设有与n+型发射区连接的发射极；n‑型漂移区的下方设置n+型缓冲区，n+型缓冲区的下方设置p+型集电极区，p+型集电极区的下方连接集电极。本发明专利技术具有空穴载流路径的IEGT的通态电压及关断损耗均比较低。

IEGT with hole current carrying path and its construction method

【技术实现步骤摘要】
具有空穴载流路径的IEGT及其构建方法
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种具有空穴载流路径的注入增强型绝缘栅晶体管IEGT及其构建方法。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管IGBT是家用电器，工业，可再生能源，UPS，铁路，电机驱动、电动汽车(EV)和混合动力电动汽车(HEV)应用等电力电子应用中使用最广泛的功率器件。由于存在双极结型晶体管，具有非常高的电流处理能力。在其结构中，大约数百安培，阻断电压为6500V，从而IGBT可以控制数百千瓦的负载，可用于许多应用。IGBT特别适用于失效工作周期，低频，高电压和负载变化，可用于机车，电动汽车和混合动力汽车。太阳能和风能等可再生能源领域的增长导致需求增加。大功率IGBT用于风力涡轮机的电动机是变速型的，并且需要使用高功率IGBT来提高效率。随着发展中国家基础设施活动的增长，对高压机械的需求预计将增长，从而推动市场对高功率IGBT的需求。电动汽车和混合动力电动汽车中的IGBT应用包括它们在动力传动系和用于输送和控制电动机的充电器中的应用。预计EV/HEV销售将以强劲的35％左右的速度增长，并且由于二氧化碳监管的加强，电池制造能力预计将在预测期结束时增加两倍。根据市场需求，近30年来IGBT技术取得了长足发展，现在技术发展趋势仍在继续。在过去的十年中，全球领先的制造商之间竞争激烈，并且有更先进的IGBT技术发展，最新的IGBT技术已经在电动汽车和混合动力汽车的进步中完成。简而言之，EV和HEV应用的快速增长是IGBT技术发展的主要驱动力。现有IGBT和IEGT的横截面如图1a和图1b所示。IEGT具有浮动p层，如图1a所示，并且由于没有发射极区域，该区域不能作为有源区域工作。但是，由于没有与发射极电极接触，p-浮动区域也不能通过p-浮动区域流出空穴载流子到发射极。IEGT器件结构导致浮置p基区下方的累积空穴载流子区，并且漂移层中的空穴累积区导致在发射极区侧附近的漂移层中的重空穴累积。结果，器件架构导致在n漂移区域中的重载波调制，因此实现了Vce(sat)的显着降低。但是，由于n-漂移层中的载流子存储过多，器件操作导致慢速关断操作。简而言之，IEGT可以显着降低Vce(sat)，但是缓慢关闭漂移区域中大载波存储的切换时间，并且p浮区域中没有载波路径。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术旨在提供一种具有空穴载流路径的注入增强型绝缘栅晶体管IEGT及其构建方法，以实现通态电压及关断损耗均比较低。具体而言，本专利技术提供一种具有空穴载流路径的注入增强型绝缘栅晶体管IEGT，包括：发射极、n+型发射区、栅极、基极区、p型MOSFET管、n-型漂移区、n+型缓冲区、p+型集电极区、以及集电极；所述n-型漂移区的上方间隔设置所述基极区和栅极，所述p型MOSFET管设置在所述基极区，所述p型MOSFET管在所述IEGT的主沟槽栅极的导通时间期间截止，并且在所述主沟槽栅极的截止时间期间导通；除设置有所述p型MOSFET管的所述基极区以外的其它基极区表面的两侧设有所述n+型发射区，所述n+型发射区上方设有与所述n+型发射区连接的所述发射极；所述n-型漂移区的下方设置所述n+型缓冲区，所述n+型缓冲区的下方设置所述p+型集电极区，所述p+型集电极区的下方连接所述集电极。进一步地，所述的具有空穴载流路径的IEGT还包括：p+型基区；各基极区两侧的所述n+型发射区之间设置有所述p+型基区；所述n+型发射区和p+型基区上方设有与所述n+型发射区连接的所述发射极。进一步地，将所述基极区的掺杂浓度限制在7E15～1E16cm3和将所述基极区的n层深度限制在0.7～1μm。进一步地，所述p型MOSFET管所在的基极区上方没有设置n+型发射区，设置有p+型基区，在所述IEGT的主沟槽栅极的导通时段期间，所述p型MOSFET管和空穴载流子的累积区域起作用，并且空穴载流子路径在截止期间流出到所述发射极电极。本专利技术还提供一种构建具有空穴载流路径的注入增强型绝缘栅晶体管的方法，其中所述注入增强型绝缘栅晶体管包括：发射极、n+型发射区、栅极、基极区、p型MOSFET管、n-型漂移区、n+型缓冲区、p+型集电极区、以及集电极，所述方法包括：在所述n-型漂移区的上方间隔设置所述基极区和栅极，将所述p型MOSFET管设置在所述基极区，其中所述p型MOSFET管在所述IEGT的主沟槽栅极的导通时间期间截止，并且在所述主沟槽栅极的截止时间期间导通；在除设置有所述p型MOSFET管的所述基极区以外的其它基极区表面的两侧设置所述n+型发射区，在所述n+型发射区上方设置与所述n+型发射区连接的所述发射极；以及在所述n-型漂移区的下方设置所述n+型缓冲区，在所述n+型缓冲区的下方设置所述p+型集电极区，将所述p+型集电极区的下方连接所述集电极。进一步地，所述注入增强型绝缘栅晶体管还包括：p+型基区；各基极区两侧的所述n+型发射区之间设置有所述p+型基区；所述n+型发射区和p+型基区上方设有与所述n+型发射区连接的所述发射极。进一步地，将所述基极区的掺杂浓度限制在7E15～1E16cm3和将所述基极区的n层深度限制在0.7～1μm。进一步地，其特征在于，在所述p型MOSFET管所在的基极区上方不设置n+型发射区，而是设置p+型基区，在所述IEGT的主沟槽栅极的导通时段期间，所述p型MOSFET管和空穴载流子的累积区域起作用，并且空穴载流子路径在截止期间流出到所述发射极电极。本专利技术的具有空穴载流路径的IEGT，p型MOSFET管布置在基区中，该基区在主IEGT开启期间，起到p-浮动区域的作用，p型MOSFET管相当于位于p-浮动区域中，并且p-MOSFET在主沟槽栅极的导通时间期间截止，并且在主沟槽栅极的截止时间期间导通，根据操作，当主n-MOSFET导通时，p-浮区中的p-MOSFET截止，当主n-MOSFET截止时，p-基区中的p-MOSFET导通因此，在关闭期间，在p基区域中形成到发射电极的空穴路径。结果，在关闭期间，存储空穴载流子可以通过p-MOSFET通道流出，并且导致更快的关断，而不会牺牲Vce(sat)，由此实现通态电压Vce(sat)及关断损耗Eoff均比较低。附图说明并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例，并且与描述一起用于解释本专利技术的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的要素。下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。图1a及图1b为现有的IEGT的横截面视图；图2为根据本专利技术实施例的具有空穴载流路径的IEGT的横截面视图；以及图3为根据本专利技术实施例的构建具有空穴载流路径的IEGT的方法的流程图。具体实施方式现在参考附图介绍本专利技术的示例性实施方式，然而，本专利技术可以用许多不同的形式来实施，并且不局限于此处描述的实施例，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有空穴载流路径的注入增强型绝缘栅晶体管，包括：发射极、n+型发射区、栅极、基极区、p型MOSFET管、n-型漂移区、n+型缓冲区、p+型集电极区、以及集电极；/n所述n-型漂移区的上方间隔设置所述基极区和栅极，所述p型MOSFET管设置在所述基极区，所述p型MOSFET管在注入增强型绝缘栅晶体管IEGT的主沟槽栅极的导通时间期间截止，并且在所述主沟槽栅极的截止时间期间导通；除设置有所述p型MOSFET管的所述基极区以外的其它基极区表面的两侧设有所述n+型发射区，所述n+型发射区上方设有与所述n+型发射区连接的所述发射极；/n所述n-型漂移区的下方设置所述n+型缓冲区，所述n+型缓冲区的下方设置所述p+型集电极区，所述p+型集电极区的下方连接所述集电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有空穴载流路径的注入增强型绝缘栅晶体管，包括：发射极、n+型发射区、栅极、基极区、p型MOSFET管、n-型漂移区、n+型缓冲区、p+型集电极区、以及集电极；
所述n-型漂移区的上方间隔设置所述基极区和栅极，所述p型MOSFET管设置在所述基极区，所述p型MOSFET管在注入增强型绝缘栅晶体管IEGT的主沟槽栅极的导通时间期间截止，并且在所述主沟槽栅极的截止时间期间导通；除设置有所述p型MOSFET管的所述基极区以外的其它基极区表面的两侧设有所述n+型发射区，所述n+型发射区上方设有与所述n+型发射区连接的所述发射极；
所述n-型漂移区的下方设置所述n+型缓冲区，所述n+型缓冲区的下方设置所述p+型集电极区，所述p+型集电极区的下方连接所述集电极。


2.如权利要求1所述的注入增强型绝缘栅晶体管，其特征在于，还包括：p+型基区；
各基极区两侧的所述n+型发射区之间设置有所述p+型基区；所述n+型发射区和p+型基区上方设有与所述n+型发射区连接的所述发射极。


3.如权利要求1所述的注入增强型绝缘栅晶体管，其特征在于，将所述基极区的掺杂浓度限制在7E15～1E16cm3和将所述基极区的n层深度限制在0.7～1μm。


4.如权利要求1所述的注入增强型绝缘栅晶体管，其特征在于，所述p型MOSFET管所在的基极区上方没有设置n+型发射区，设置有p+型基区，在所述IEGT的主沟槽栅极的导通时段期间，所述p型MOSFET管和空穴载流子的累积区域起作用，并且空穴载流子路径在截止期间流出到所述发射极电极。


5.一种构建具有空穴载流...

【专利技术属性】
技术研发人员：樱井建弥，吴磊，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31