双面错边金属化膜制造技术

本实用新型专利技术涉及一种双面错边金属化膜，其包括绝缘基膜、上导电层和下导电层，上导电层和下导电层分别蒸镀设置在绝缘基膜的上下两侧表面，所述上导电层呈带状，上导电层设有两条以上，各条上导电层沿绝缘基膜宽度方向相互平行排布、并且相邻两条上导电层之间通过上空白面隔开；所述下导电层呈带状，下导电层设有一条以上，上空白面的正投影至少一部分落在下导电层上，当下导电层设有两条以上时，各条下导电层沿绝缘基膜宽度方向相互平行排布、并且下导电层之间通过下空白面隔开。本双面错边金属化膜的每一条下导电层同时与两条上导电层相对，从而形成内部串联的两个电容，而且，各金属层直接蒸镀在绝缘基膜上，使其传热散热性能更佳，成本更低。

【技术实现步骤摘要】
双面错边金属化膜
本技术涉及电容器用金属化膜，特别是一种双面错边金属化膜。
技术介绍
参见图4所示，目前的电容器用双面金属化膜主要包括聚酯基膜、聚丙烯基膜等绝缘基材4、上金属层5和下金属层6，上金属层和下金属层分别蒸镀设置在绝缘基材的上下两侧表面。虽然上金属层和下金属层分别设有两条以上，相邻的上金属层之间通过上空白面51隔开，相邻的下金属层之间通过下空白面61隔开，但是，由于上金属层和下金属层是正对、并且一一对应的，所以不能独立形成内串结构的电容。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种结构简单、合理，可以形成内部串联电容的双面错边金属化膜。本技术的目的是这样实现的：一种双面错边金属化膜，包括绝缘基膜、上导电层和下导电层，上导电层和下导电层分别蒸镀设置在绝缘基膜的上下两侧表面，其特征在于：所述上导电层呈带状，上导电层设有两条以上，各条上导电层沿绝缘基膜宽度方向相互平行排布、并且相邻两条上导电层之间通过上空白面隔开；所述下导电层呈带状，下导电层设有一条以上，上空白面的正投影至少一部分落在下导电层上，当下导电层设有两条以上时，各条下导电层沿绝缘基膜宽度方向相互平行排布、并且下导电层之间通过下空白面隔开。本技术的目的还可以采用以下技术措施解决：作为更具体的方案，靠近绝缘基膜边缘的上导电层的外侧边缘延伸至绝缘基膜边缘，当下导电层设有两条以上时，靠近绝缘基膜边缘的下导电层的外侧边缘与绝缘基膜边缘通过白边隔开。当双面错边金属化膜卷绕或叠放形成电容时，电容两端喷金（溅射）形成的电极不与下导电层接触，从而形成内串结构。作为进一步的方案，所述上导电层设有N条，下导电层设有N-1条，N为大于等于3的自然数；该结构的金属化膜可以形成多串结构的电容。作为进一步的另一方案，所述上导电层设有两条，下导电层设有一条，上导电层的外侧边缘延伸至绝缘基膜边缘，下导电层两侧与绝缘基膜边缘通过白边隔开。该结构的金属化膜可以形成双串结构的电容。作为进一步的方案，所述上导电层和下导电层均为为铝、锌、铜、锡等金属镀层或非金属导电物质。作为进一步的方案，所述绝缘基膜厚度为0.5μm至60μm。优选是0.8μm至60μm。作为进一步的方案，所述上空白面的宽度为0.1mm至100mm。优选是0.3mm至20mm。作为进一步的方案，所述下空白面的宽度为0.1mm至100mm。优选是0.3mm至20mm。作为进一步的方案，所述上导电层和下导电层的方阻分别为方阻0.1Ω以上（优选是0.3Ω以上）。作为进一步的方案，所述绝缘基膜为聚丙烯基膜或聚酯基膜及其他电容器用基膜。优选聚丙烯基膜，聚丙烯基膜的厚度可以做得更小。本技术的有益效果如下：本双面错边金属化膜的每一条下导电层同时与两条上导电层相对，从而形成内部串联的两个电容，而且，各金属层直接蒸镀在绝缘基膜上，使其传热散热性能更佳，成本更低。附图说明图1为本技术一实施例截面结构示意图。图2为本技术中双面错边金属化膜裁剪前截面结构示意图。图3为本技术另一实施例结构示意图。图4为现有技术结构示意图。具体实施方式下面结合附图及实施例对本技术作进一步描述。实施例一，参见图1所示，一种双面错边金属化膜，包括绝缘基膜1、上导电层2和下导电层3，上导电层2和下导电层3分别蒸镀设置在绝缘基膜1的上下两侧表面，所述上导电层2呈带状，上导电层2设有两条，各条上导电层2沿绝缘基膜1宽度方向相互平行排布、并且相邻两条上导电层2之间通过上空白面21隔开，上导电层2的外侧边缘延伸至绝缘基膜1边缘，上空白面21的正投影至少一部分落在下导电层3上；所述下导电层3呈带状，下导电层3设有一条，下导电层3两侧与绝缘基膜1边缘通过白边31隔开。所述上导电层2和下导电层3均为铝镀层。所述绝缘基膜1厚度为0.3-60μm±10%。所述上空白面21和下空白面32的宽度为0.2mm至8mm。所述上导电层2和下导电层3的方阻分别为方阻0.3Ω以上。所述绝缘基膜1为聚丙烯基膜。结合图2所示，双面错边金属化膜加工时，其形成在一种宽幅的膜本体上，然后通过裁切（裁切线见图2中虚线所示）形成图1所示结构。实施例二，与实施例一的区别在于：参见图3所示，所述上导电层2设有三条，靠近绝缘基膜1边缘的上导电层2的外侧边缘延伸至绝缘基膜1边缘；所述下导电层3设有两条，靠近绝缘基膜1边缘的下导电层3的外侧边缘与绝缘基膜1边缘通过白边31隔开。上述实施例一和实施例二的双面错边金属化膜可以与白膜叠合后卷绕（或者与白膜交错堆叠），然后在其端面喷金，溅射电极，即分别形成双内串式电容和多内串式电容。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双面错边金属化膜，包括绝缘基膜（1）、上导电层（2）和下导电层（3），上导电层（2）和下导电层（3）分别蒸镀设置在绝缘基膜（1）的上下两侧表面，其特征在于：所述上导电层（2）呈带状，上导电层（2）设有两条以上，各条上导电层（2）沿绝缘基膜（1）宽度方向相互平行排布、并且相邻两条上导电层（2）之间通过上空白面（21）隔开；所述下导电层（3）呈带状，下导电层（3）设有一条以上，上空白面（21）的正投影至少一部分落在下导电层（3）上，当下导电层（3）设有两条以上时，各条下导电层（3）沿绝缘基膜（1）宽度方向相互平行排布、并且下导电层（3）之间通过下空白面（32）隔开。/n

【技术特征摘要】
1.一种双面错边金属化膜，包括绝缘基膜（1）、上导电层（2）和下导电层（3），上导电层（2）和下导电层（3）分别蒸镀设置在绝缘基膜（1）的上下两侧表面，其特征在于：所述上导电层（2）呈带状，上导电层（2）设有两条以上，各条上导电层（2）沿绝缘基膜（1）宽度方向相互平行排布、并且相邻两条上导电层（2）之间通过上空白面（21）隔开；所述下导电层（3）呈带状，下导电层（3）设有一条以上，上空白面（21）的正投影至少一部分落在下导电层（3）上，当下导电层（3）设有两条以上时，各条下导电层（3）沿绝缘基膜（1）宽度方向相互平行排布、并且下导电层（3）之间通过下空白面（32）隔开。


2.根据权利要求1所述双面错边金属化膜，其特征在于：靠近绝缘基膜（1）边缘的上导电层（2）的外侧边缘延伸至绝缘基膜（1）边缘，当下导电层（3）设有两条以上时，靠近绝缘基膜（1）边缘的下导电层（3）的外侧边缘与绝缘基膜（1）边缘通过白边（31）隔开。


3.根据权利要求1所述双面错边金属化膜，其特征在于：所述上导电层（2）设有N条，下导电层（3）设有N-1条，N为大于等于3的自然数。
...

【专利技术属性】
技术研发人员：王燕，
申请(专利权)人：王燕，
类型：新型
国别省市：重庆;50