多层结构的制备方法技术

本公开提供一种多层结构的制备方法。该制备方法包括下列操作：在一反应物中配置一基底；将一含铝化合物引入该反应器中，其中该含铝化合物吸附在该基底上；进行一抽气程序以从该反应器清除一过量含铝化合物；以及将一含氧化合物引入该反应器中，其中该含氧化合物与该含铝化合物相互反应，以在该基底上形成一含铝层。

【技术实现步骤摘要】
多层结构的制备方法
本公开主张2018/12/24申请的美国临时申请案第62/784,612号及2019/03/28申请的美国正式申请案第16/368,200号的优先权及益处，该美国临时申请案及美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
技术介绍
电子电路，例如集成电路、显示电路、存储器电路，以及电力电路，制作得更小以增加轻便性及计算能力。二氧化硅层在制造电子电路的主动特征与被动特征中，已被使用在不同应用中。在一应用中，二氧化硅层被使用在多层抗蚀层叠(multilayeretch-resistantstacks)的制造中。在半导体与光伏产业中，二氧化硅为已知用来当作钝化材料(passivationmaterial)，而钝化材料导致在表面重组中的明显减少。可在温度900℃中以湿式热氧化法(wetthermaloxidation)或者在氧气环境下温度850℃到1000℃之间以干式氧化法显影一高品质的二氧化硅层。然而，如此高温通常不适合光伏装置的制造。因此，发展出其他方法，例如以化学气相沉积法(CVD)从TEOS结合氧所显影出二氧化硅。而化学气相沉积法的一些缺点在控制层厚度是困难的，且其结果缺乏膜的高均匀性(filmhomogeneity)。而其他的缺点则是化学气相沉积法的二氧化硅的相对缺乏的钝化。针对这些理由，对于二氧化硅沉积而言，原子层沉积法(ALD)为一优选方法，其允许高均匀性层的沉积，且同时显现良好的钝化特性(goodpassivationproperties)。虽然二氧化硅具有钝化能力，但现在正在考虑氧化铝的钝化(Al2O3passivation)。类似于二氧化硅层，氧化铝的最新研究证明在沉积期间，自然地以氢(hygrogen)充实氧化铝层。氧化铝包含氢的一合理的层，也因此不需完全地将氢(H2)加到氮(N2)中。上文的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
技术实现思路
本公开的一实施例提供一种多层结构的制备方法。该制备方法包括在一反应器中配置一基底；将一含铝化合物引入该反应器中，其中该含铝化合物吸附在该图案层上；进行一抽气程序以从该反应器清除一过量含铝化合物；以及将一含氧化合物引入该反应器中，其中该含氧化合物与该含铝化合物相互反应，以在该基底上形成一含铝层。依据本公开的一些实施例，其中该基底具有一图案层，且该含铝化合物吸附在该图案层上。依据本公开的一些实施例，该含铝化合物选自下列群组，包含三甲基铝(Al(Me)3)、三乙基铝(Al(Et)3)、异丙醇铝(Al(Me)2(OiPr))、二甲基胺基铝(Al(Me)2(NMe)2)、以及二乙基胺基铝(Al(Me)2(NEt)2)。依据本公开的一些实施例，该含氧化合物为蒸气、氧(O2)或臭氧(O3)。依据本公开的一些实施例，该制备方法还包括以一预定数量的循环周期重复下列步骤：将该含铝化合物引入该反应器中，其中该含铝化合物吸附在该基底上；进行一抽气程序以从该反应器清除一过量含铝化合物；以及将该含氧化合物引入该反应器中，其中该含氧化合物与该含铝化合物相互反应。依据本公开的一些实施例，该制备方法还包括：在该含铝层上形成一介电层。依据本公开的一些实施例，该制备方法还包括：将该含铝化合物引入该反应器中，其中该含铝化合物吸附在该介电层上；进行一抽气程序以从该反应器清除一过量含铝化合物；以及将该含氧化合物引入该反应器中，其中该含氧化合物与该含铝化合物相互反应。依据本公开的一些实施例，该介电层为一氧化硅层、一氮化硅层，或是高k值层。依据本公开的一些实施例，该高k值层为一含铪层或一含锆层。上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得优选了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的构思和范围。附图说明参阅实施方式与权利要求合并考量附图时，可得以更全面了解本公开的内容，附图中相同的元件符号是指相同的元件。图1为在一基底上形成有一抗蚀剂层(resistlayer)的剖视示意图。图2为图1中具有该抗蚀剂层的该基底暴露在一辐射图案下的剖视示意图。图3为在图1的该基底上形成一图案阻剂层(patternedresistlayer)的剖视示意图。图4为依据本公开一些实施例一种多层结构的制备方法100的流程示意图。图5为依据本公开一些实施例该多层结构的制备方法的一操作S11的剖视示意图。图6为依据本公开一些实施例该多层结构的制备方法的一操作S13的剖视示意图。图7为依据本公开一些实施例该多层结构的制备方法的一操作S15的剖视示意图。图8及图9为依据本公开一些实施例该多层结构的制备方法的一操作S17的剖视示意图。图10为依据本公开一些实施例该多层结构的制备方法的一操作S19的剖视示意图。图11为依据本公开一些实施例该多层结构的制备方法100的一操作的剖视示意图。图12为依据本公开一些实施例在二含铝层之间的一中间层(interveninglayer)的剖视示意图。图13为依据本公开一些实施例在一含铝层与一图案层之间的一中间层的剖视示意图。附图标记说明：10基底10A半导体基底101膜层102膜层11阻剂层12图案阻剂层13阻剂特征14辐射图案15辐射源16遮罩18通孔20反应器30含铝化合物40含氧化合物50含铝层50'含铝层60中间层70抽吸装置100制备方法S11操作S13操作S15操作S17操作S19操作具体实施方式本公开的以下说明伴随并入且组成说明书的一部分的附图，说明本公开的实施例，然而本公开并不受限于该实施例。此外，以下的实施例可适当整合以下实施例以完成另一实施例。其将理解的是，虽然用语“第一(first)”、“第二(second)”、“第三(third)”等可用于本文中以描述不同的元件、部件、区域、层及/或部分，但是这些元件、部件、区域、层及/或部分不应受这些用语所限制。这些用语仅用于从另一元件、部件、区域、层或部分中区分一个元件、部件、区域、层或部分。因此，以下所讨论的“第一元件(firstelement)”、“部件(component)”、“区域(region)”、“层(layer)”或“部分(section)”可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不背离本文所启示本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层结构的制备方法，包括：/n在一反应器中配置一基底；/n将一含铝化合物引入该反应器中，其中该含铝化合物吸附在图案层上；/n进行一抽气程序以从该反应器清除一过量含铝化合物；以及/n将一含氧化合物引入该反应器中，其中该含氧化合物与该含铝化合物相互反应，以在该基底上形成一含铝层。/n

【技术特征摘要】
20181224 US 62/784,612;20190328 US 16/368,2001.一种多层结构的制备方法，包括：
在一反应器中配置一基底；
将一含铝化合物引入该反应器中，其中该含铝化合物吸附在图案层上；
进行一抽气程序以从该反应器清除一过量含铝化合物；以及
将一含氧化合物引入该反应器中，其中该含氧化合物与该含铝化合物相互反应，以在该基底上形成一含铝层。


2.如权利要求1所述的制备方法，其中该基底具有一图案层，且该含铝化合物吸附在该图案层上。


3.如权利要求1所述的制备方法，其中该含铝层为一氧化铝层。


4.如权利要求1所述的制备方法，其中该含铝化合物选自下列群组，包含三甲基铝(Al(Me)3)、三乙基铝(Al(Et)3)、异丙醇铝(Al(Me)2(OiPr))、二甲基胺基铝(Al(Me)2(NMe)2)、以及二乙基胺基铝(Al(Me)2(NEt)2)。

【专利技术属性】
技术研发人员：廖俊诚，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71