针对存储器装置的降级传信制造方法及图纸

技术编号:24707769 阅读:50 留言:0更新日期:2020-06-30 23:56
本申请涉及针对存储器装置的降级传信。在一个实例中,根据所描述技术的方法可包含在存储器装置处监视所述存储器装置的操作特性。举例来说,可监视所述存储器装置内的一或多个晶体管的阈值电压。所述存储器装置可至少部分地基于所监视的操作特性识别所述存储器装置的降级。基于识别所述降级,所述存储器装置可向主机装置传信所述存储器装置的所述降级的指示。

【技术实现步骤摘要】
针对存储器装置的降级传信交叉参考本专利申请要求由Merritt在2018年12月20日提交的标题为“针对存储器装置的降级传信(DEGRADATIONSIGNALINGFORAMEMORYDEVICE)”第16/227,393号美国专利申请的优先权,所述美国专利申请转让给本受让人且以全文引用的方式明确地并入本文中。

涉及针对存储器装置的降级传信。
技术介绍
以下大体上涉及一种包含至少一个存储器装置的系统,且更确切地说涉及针对存储器装置的降级传信。存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。举例来说,二进制装置最经常存储两个状态中的一个,经常由逻辑1或逻辑0表示。在其它装置中,可存储两个以上状态。为了存取所存储的信息,装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息,装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。存在各种类型的存储器装置,包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等。存储器装置可为易失性或非易失性的。例如FeRAM等非易失性存储器可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间,即使无外部电源存在也是这样。例如DRAM等易失性存储器装置在从外部电源断开时可能丢失其所存储状态。FeRAM可能够实现类似于易失性存储器的密度,但可具有非易失性性质,这是归因于使用铁电电容器作为存储装置。存储器装置的组件可能降级,这随着时间的过去可能导致存储器装置的操作发生故障。举例来说,存储器装置可能降级到存储器装置不再可以支持信息的准确或可靠的读取、写入、重写或刷新或者不能支持以所要或所设计的速率执行此类存取操作的点。此类故障可能影响主机装置执行所要或所设计功能的能力。期望改进的传信。
技术实现思路
描述一种方法。所述方法可包含:在存储器装置处监视与存储器装置的一或多个晶体管相关联的阈值电压;在存储器装置处至少部分地基于所述监视识别阈值电压的改变;以及至少部分地基于所述识别向主机装置传信存储器装置的降级的指示。描述一种设备。所述设备可包含具有多个存储器单元的存储器装置。所述设备还可包含被配置成进行以下操作的电路:监视与存储器装置的一或多个晶体管相关联的阈值电压;至少部分地基于所述监视识别阈值电压的改变;以及至少部分地基于所述识别向主机装置传信存储器装置的降级的指示。描述另一种方法。所述方法可包含:在主机装置处监视指示存储器装置的一或多个晶体管的阈值电压的传信;至少部分地基于所监视的传信识别阈值电压已改变;以及至少部分地基于所述识别产生与存储器装置的降级相关联的指示。附图说明图1示出根据如本文中所公开的实例支持针对存储器装置的降级传信的系统的实例。图2示出根据如本文中所公开的实例支持针对存储器装置的降级传信的存储器裸片的实例。图3示出根据如本文中所公开的实例支持针对存储器装置的降级传信的系统的实例。图4示出根据如本文中所公开的实例支持针对存储器装置的降级传信的电路的实例。图5示出根据如本文中所公开的实例支持针对存储器装置的降级传信的电路的实例。图6示出根据如本文中所公开的实例支持针对存储器装置的降级传信的环形振荡器的实例。图7展示根据本专利技术的方面支持针对存储器装置的降级传信的主机装置的框图。图8展示根据本专利技术的方面支持针对存储器装置的降级传信的存储器装置的框图。图9到13展示流程图,其示出根据如本文中所公开的实例支持针对存储器装置的降级传信的一或多种方法。具体实施方式存储器装置的组件可能随着时间的过去而降级,这可能致使存储器装置的操作发生故障。举例来说,存储器装置可包含各种晶体管(例如,p沟道晶体管、n沟道晶体管),每一晶体管可与特定阈值电压相关联用于激活晶体管(例如,用于启用晶体管的例如源极或漏极等其它节点之间的导电路径)。随着时间的过去,晶体管的阈值电压可改变(例如,归因于晶体管的物理降级、归因于沟道热载子(CHC)降级、归因于例如负偏置温度不稳定性(NBTI)等偏置温度不稳定性),这可能影响是否以特定激活电压激活晶体管,或者可能影响多少电流将在特定激活电压的情况下通过晶体管。当晶体管的阈值电压随着时间的过去改变时,存储器装置的相关操作也可能改变(例如,被延迟、较慢地执行、不执行),这在一些实例中可能导致存储器装置的操作降级。在一些实例中,存储器装置的降级(例如,存储器装置的一或多个组件的降级)可能随着时间的过去导致存储器装置的不可接受的(例如,不可靠的)操作,这继而可能导致依赖于存储器装置用于信息存储的主机装置的不可接受的操作。在一个实例中,存储器装置可由车辆控制器(例如,车辆安全控制器、车辆制动控制器、与自主驾驶相关联的控制器)代管,且存储器装置的降级可能导致车辆控制器的操作受损,或不可能支持车辆控制器的操作。在一些实例中,随着时间的过去存储器装置的降级可能导致主机装置的操作完全失效。根据本公开的实例,存储器装置可向主机装置提供指示存储器装置的降级的传信。所述传信可向主机装置提供较早指示或警示,从而指示存储器装置已经识别降级的某一方面,例如物理降级、损坏、存储器装置的一或多个组成组件的组成的变化,以及不可逆或无法恢复的受损或功能丧失等。此类降级的所描述识别的条件或阈值可被配置成使得,即使在降级状态(例如,部分降级状态或条件)中存储器装置仍可支持操作。换句话说,可在存储器装置故障之前检测存储器装置的降级,且可在存储器装置到达或经历故障点之前传信(例如,向主机装置)旗标。因此,所述传信可用于指示存储器装置应被替换(例如,物理上用新的存储器装置替换),但存储器装置可继续提供对于存储器装置的所要或所设计功能性的至少一些支持。在一些实例中,主机装置可接收此类传信且产生降级的指示,例如向用户产生应替换存储器装置的指示。首先在如参考图1和2描述的存储器系统和存储器裸片的上下文中描述本公开的特征。在如参考图3-6描述的实例系统和组件的上下文中描述本公开的特征。本公开的这些和其它特征进一步通过设备图和流程图来说明且参考设备图和流程图来描述,所述设备图和流程图涉及如参考图7-13描述的针对存储器装置的降级传信。图1示出根据如本文中所公开的实例利用一或多个存储器装置的系统100的实例。系统100可包含外部存储器控制器105、存储器装置110以及耦合外部存储器控制器105与存储器装置110的多个信道115。系统100可包含一或多个存储器装置,但为易于描述,可将所述一或多个存储器装置描述为单个存储器装置110。系统100可包含电子装置的方面,例如计算装置、移动计算装置、无线装置或图形处理装置、车辆等。系统100可以是便携式电子装置的实例。系统100可以是计算机、膝本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种方法,其包括:/n在存储器装置处监视与所述存储器装置的一或多个晶体管相关联的阈值电压;/n在所述存储器装置处至少部分地基于所述监视识别所述阈值电压的改变;以及/n至少部分地基于所述识别向主机装置传信所述存储器装置的降级的指示。/n

【技术特征摘要】
20181220 US 16/227,3931.一种方法,其包括:
在存储器装置处监视与所述存储器装置的一或多个晶体管相关联的阈值电压;
在所述存储器装置处至少部分地基于所述监视识别所述阈值电压的改变;以及
至少部分地基于所述识别向主机装置传信所述存储器装置的降级的指示。


2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
从主机装置接收请求,其中所述识别响应于所述所接收请求。


3.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
确定所述所监视的阈值电压满足阈值,其中至少部分地基于所述确定起始所述传信。


4.根据权利要求1所述的方法,其中:
监视所述阈值电压包括监视被配置成模拟所述存储器装置的一或多个其它组件的降级的所述存储器装置的组件;且
识别所述阈值电压的所述改变至少部分地基于监视所述存储器装置的所述组件。


5.根据权利要求4所述的方法,其进一步包括:
至少部分地基于所述存储器装置内的存储器单元行被存取而激活所述存储器装置的所述组件。


6.根据权利要求4所述的方法,其进一步包括:
至少部分地基于所述存储器装置内的延迟锁定回路处于待用模式而激活所述存储器装置的所述组件。


7.根据权利要求4所述的方法,其进一步包括:
至少部分地基于所述存储器装置内的时钟树的组件处于待用模式而激活所述存储器装置的所述组件。


8.根据权利要求4所述的方法,其中识别所述阈值电压的所述改变包括:
将所述存储器装置的所述组件的操作特性与所述存储器装置的参考组件的所述操作特性进行比较。


9.根据权利要求1所述的方法,其中监视所述阈值电压包括:
监视所述存储器装置的用于存取所述存储器装置的存储器单元行或用于产生所述存储器装置的时钟信号的晶体管。


10.一种设备,其包括:
存储器装置,其具有多个存储器单元;以及
电路,其被配置成:
监视与所述存储器装置的一或多个晶体管相关联的阈值电压;
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【专利技术属性】
技术研发人员:T·A·梅里特
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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