用于半导体器件的显影装置及显影方法制造方法及图纸

一种用于半导体器件的显影装置，包括：显影腔室，用于容置待加工半导体器件；显影模块，用于朝向所述待加工半导体器件输送显影液；清洗模块，包括：第一驱动件；连接于所述第一驱动件的第一驱动臂；连接于所述第一驱动臂的清洗液喷嘴和气体喷嘴；所述清洗液喷嘴用于朝向所述待加工半导体器件输送清洗液，所述气体喷嘴用于朝向所述待加工半导体器件输送气体，所述第一驱动件用于驱动所述第一驱动臂移动，从而带动所述清洗液喷嘴和所述气体喷嘴自第一预设位置至第二预设位置移动，其中，定义所述待加工半导体器件的中心至边缘方向为预设方向，所述第一预设位置和所述第二预设位置沿所述预设方向设置。本发明专利技术还提供一种显影方法。

【技术实现步骤摘要】
用于半导体器件的显影装置及显影方法
本专利技术涉及一种半导体制造领域，尤其涉及一种用于半导体器件的显影装置及显影方法。
技术介绍
光刻技术通常采用以下方式进行：在半导体晶圆上涂覆一层光刻胶；对所述光刻胶进行曝光；通过显影液对曝光后的所述光刻胶进行显影，从而移除所述光刻胶。然而，在显影步骤之后，所述半导体晶圆的表面通常会残留有显影液，而且在某些情况下，曝光后的光刻胶也有可能会残留在所述半导体晶圆的表面，在后续的蚀刻过程中，残留的所述显影液和曝光后的光刻胶会影响蚀刻进行，造成半导体晶圆不良产生。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种能够有效移除半导体器件表面残留杂质的显影装置。另，还有必要提供一种应用如上所述的显影装置的显影方法。本专利技术提供一种用于半导体器件的显影装置，包括：显影腔室，用于容置所述待加工半导体器件，所述待加工半导体器件上设有曝光后的光致抗蚀层；显影模块，用于朝向所述待加工半导体器件输送显影液以对所述光致抗蚀剂层进行显影；及清洗模块，包括：第一驱动件；连接于所述第一驱动件的第一驱动臂；及连接于所述第一驱动臂的清洗液喷嘴和气体喷嘴；其中，所述清洗液喷嘴用于朝向所述待加工半导体器件输送清洗液，所述气体喷嘴用于朝向所述待加工半导体器件输送气体，从而清除所述待加工半导体器件上残留的杂质，所述第一驱动件用于驱动所述第一驱动臂移动，从而带动所述清洗液喷嘴和所述气体喷嘴自第一预设位置至第二预设位置移动，其中，定义所述待加工半导体器件的中心至边缘方向为预设方向，所述第一预设位置和所述第二预设位置沿所述预设方向设置。在本专利技术一些实施例中，所述气体喷嘴朝向预设方向输送所述气体，所述预设方向与竖直方向之间的夹角为70-80度。在本专利技术一些实施例中，所述气体喷嘴朝向预设方向输送所述气体，所述预设方向与竖直方向之间的夹角为40-50度。在本专利技术一些实施例中，所述气体喷嘴朝向预设方向输送所述气体，所述预设方向与竖直方向之间的夹角为20-30度。在本专利技术一些实施例中，所述气体喷嘴的口径为0.25英寸。在本专利技术一些实施例中，所述显影模块包括：第二驱动件；连接于所述第二驱动件的第二驱动臂；及连接于所述第二驱动臂的显影液喷嘴，所述显影液喷嘴用于朝向所述待加工半导体器件输送所述显影液。在本专利技术一些实施例中，所述显影腔室包括用于放置所述待加工半导体器件的支撑台及连接于所述支撑台的第三驱动件，所述第三驱动件用于驱动所述支撑台转动。在本专利技术一些实施例中，所述第一预设位置相较于所述第二预设位置更靠近所述待加工半导体器件的中心。本专利技术还提供一种应用如上所述的显影装置的显影方法，包括：将所述待加工半导体器件放置于所述显影腔室中；通过所述显影模块朝向所述待加工半导体器件输送显影液以对所述光致抗蚀剂层进行显影；显影完成后，通过所述清洗液喷嘴朝向所述待加工半导体器件输送清洗液，并通过所述气体喷嘴朝向所述待加工半导体器件输送气体；通过所述第一驱动件驱动所述第一驱动臂移动，从而带动所述清洗液喷嘴和所述气体喷嘴自第一预设位置至第二预设位置移动，其中，定义所述待加工半导体器件的中心至边缘方向为预设方向，所述第一预设位置和所述第二预设位置沿所述预设方向设置；以及在移动过程中，通过所述清洗液喷嘴朝向所述待加工半导体器件继续输送所述清洗液，并通过所述气体喷嘴朝向所述待加工半导体器件继续输送所述气体。在本专利技术一些实施例中，在继续输送所述清洗液和所述气体时，所述方法还包括：驱动所述待加工半导体器件转动。相较于现有技术，本专利技术通过清洗液对所述半导体器件的表面由内向外进行清洗，并通过气体将清洗后的产物(包括清洗液、残留的显影液和/或曝光后的光刻胶)吹离所述半导体器件，从而有效移除残留的杂质，防止残留的杂质影响后续的蚀刻制程。附图说明图1为本专利技术实施方式提供的用于半导体器件的显影装置的结构示意图。图2A为本专利技术实施方式中在图1所示的显影装置的半导体器件上所设定的第一预设位置和第二预设位置的示意图。图2B为本专利技术另一实施方式中在图1所示的显影装置的半导体器件上所设定的第一预设位置和第二预设位置的示意图。图2C为本专利技术又一实施方式中在图1所示的显影装置的半导体器件上所设定的第一预设位置和第二预设位置的示意图。图2D为本专利技术其它实施方式中在图1所示的显影装置的半导体器件上所设定的第一预设位置和第二预设位置的示意图。图3为图1所示的显影装置的气体喷嘴的仰视图。图4为本专利技术实施方式提供的显影方法的流程图。主要元件符号说明显影装置100清洗模块101第一驱动件102清洗液喷嘴103气体喷嘴104第一驱动臂105显影模块106第二驱动件107显影液喷嘴108第二驱动臂109显影腔室110支撑台111第三驱动件112排液口113排气口114半导体器件115步骤S1-S6第一预设位置A第二预设位置B内径D夹角α如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式下面将结合附图及实施方式对本专利技术作进一步说明。请参阅图1，本专利技术实施方式提供一种用于半导体器件115的显影装置100。所述显影装置100包括显影腔室110、显影模块106和清洗模块101。所述显影腔室110用于容置所述待加工半导体器件115，所述待加工半导体器件115上设有曝光后的光致抗蚀层(图未示)。所述显影模块106用于朝向所述待加工半导体器件115输送显影液以对所述光致抗蚀剂层进行显影。所述清洗模块101包括第一驱动件102、连接于所述第一驱动件102的第一驱动臂105及连接于所述第一驱动臂105的清洗液喷嘴103和气体喷嘴104。其中，所述清洗液喷嘴103用于朝向所述待加工半导体器件115输送清洗液，所述气体喷嘴104用于朝向所述待加工半导体器件115输送气体，从而清除所述待加工半导体器件115上残留的杂质(包括显影液和/或曝光后的光刻胶)。所述第一驱动件102用于驱动所述第一驱动臂105移动，从而带动所述清洗液喷嘴103和所述气体喷嘴104自第一预设位置A至第二预设位置B移动(在图2A至2D中示出)。其中，定义所述待加工半导体器件115的中心至边缘方向为预设方向，所述第一预设位置A和所述第二预设位置B沿所述预设方向设置(即，由内向外设置)。通过清洗液对所述半导体器件115的表面由内向外进行清洗，并通过气体将清洗后的产物(包括清洗液、残留的显影液和/或曝光后的光刻胶)吹离所述半导体器件115，从而有效移除残留的杂质，防止残留的杂质影响后续的蚀刻制程。实际操作中，所述第一驱动件102还可以通过所述第一驱动本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于半导体器件的显影装置，其特征在于：包括：/n显影腔室，用于容置所述待加工半导体器件，所述待加工半导体器件上设有曝光后的光致抗蚀层；/n显影模块，用于朝向所述待加工半导体器件输送显影液以对所述光致抗蚀剂层进行显影；及/n清洗模块，包括：/n第一驱动件；/n连接于所述第一驱动件的第一驱动臂；及/n连接于所述第一驱动臂的清洗液喷嘴和气体喷嘴；/n其中，所述清洗液喷嘴用于朝向所述待加工半导体器件输送清洗液，所述气体喷嘴用于朝向所述待加工半导体器件输送气体，从而清除所述待加工半导体器件上残留的杂质，所述第一驱动件用于驱动所述第一驱动臂移动，从而带动所述清洗液喷嘴和所述气体喷嘴自第一预设位置至第二预设位置移动，其中，定义所述待加工半导体器件的中心至边缘方向为预设方向，所述第一预设位置和所述第二预设位置沿所述预设方向设置。/n

【技术特征摘要】
20181220 US 62/7823711.一种用于半导体器件的显影装置，其特征在于：包括：
显影腔室，用于容置所述待加工半导体器件，所述待加工半导体器件上设有曝光后的光致抗蚀层；
显影模块，用于朝向所述待加工半导体器件输送显影液以对所述光致抗蚀剂层进行显影；及
清洗模块，包括：
第一驱动件；
连接于所述第一驱动件的第一驱动臂；及
连接于所述第一驱动臂的清洗液喷嘴和气体喷嘴；
其中，所述清洗液喷嘴用于朝向所述待加工半导体器件输送清洗液，所述气体喷嘴用于朝向所述待加工半导体器件输送气体，从而清除所述待加工半导体器件上残留的杂质，所述第一驱动件用于驱动所述第一驱动臂移动，从而带动所述清洗液喷嘴和所述气体喷嘴自第一预设位置至第二预设位置移动，其中，定义所述待加工半导体器件的中心至边缘方向为预设方向，所述第一预设位置和所述第二预设位置沿所述预设方向设置。


2.如权利要求1所述的用于半导体器件的显影装置，其特征在于，所述气体喷嘴朝向预设方向输送所述气体，所述预设方向与竖直方向之间的夹角为70-80度。


3.如权利要求1所述的用于半导体器件的显影装置，其特征在于，所述气体喷嘴朝向预设方向输送所述气体，所述预设方向与竖直方向之间的夹角为40-50度。


4.如权利要求1所述的用于半导体器件的显影装置，其特征在于，所述气体喷嘴朝向预设方向输送所述气体，所述预设方向与竖直方向之间的夹角为20-30度。


5.如权利要求1所述的用于半导体器件的显影装置，其特征在于，所述气体喷嘴的口径为0.25英寸。


6.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：南兑澔，张成根，
申请(专利权)人：夏泰鑫半导体青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37