一种SnS制造技术

本发明专利技术涉及光催化纳米材料领域，特别是涉及一种SnS

A SNS

【技术实现步骤摘要】
一种SnS2@SnO2异质结及制备方法
本专利技术涉及光催化纳米材料领域，具体，涉及一种SnS2@SnO2异质结及制备方法。
技术介绍
氧化锡为白色、淡黄色或淡灰色四方、六方或斜方晶系粉末。熔点1630℃，沸点1800℃。是一种优秀的透明导电材料。它是第一个投入商用的透明导电材料。SnO2是一种重要的半导体传感器材料，用它制备的气敏传感器灵敏度高，被广泛用于各种可燃气体、环境污染气体、工业废气以及有害气体的检测和预报。以SnO2为基体材料制备的湿敏传感器，在改善室内环境、精密仪器设备机房以及图书馆、美术馆、博物馆等均有应用。通过在SnO2中掺杂一定量的CoO、Co2O3、Cr2O3、Nb2O5、Ta2O5等，可以制成阻值不同的压敏电阻，在电力系统、电子线路、家用电器等方面都有广泛的用途。SnO2由于对可见光具有良好的通透性，在水溶液中具有优良的化学稳定性，且具有特定的导电性和反射红外线辐射的特性，因此在锂电池、太阳能电池、液晶显示、光电子装置、透明导电电极、防红外探测保护等领域也被广泛应用。而SnO2纳米材料由于具有小尺寸效应、量子尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应，在光、热、电、声、磁等物理特性以及其他宏观性质方面较传统SnO2而言都会发生显著的变化，所以可以通过运用纳米材料来改善传感器材料的性能。在过渡金属硫化物中，SnS2是带隙宽度为2.2-2.5eV的n型半导体材料，每层Sn原子通过较强的Sn-S共价键与S原子相连接，层与层之间则是通过较弱的范德华力相连。由于其具有储量丰富、价格低廉、光催化效率高和储能容量大等优点，在光电探测、太阳能电池以及储能领域拥有广泛的应用前景。
技术实现思路
本专利技术所要解决的首要技术问题是提供一种工艺简单、成本低、反应周期短的SnS2@SnO2异质结的制备方法。一种SnS2@SnO2异质结制备方法，包括以下步骤：a将四氯化锡和硫代乙酰胺溶于乙醇和醋酸的混合溶液中，搅拌，形成溶液A；b.将溶液A装入反应釜中，放入恒温干燥箱中，一定温度下反应数小时后，让反应釜自然冷却至室温，乙醇与去离子水分别洗涤多次，干燥，得到SnS2花状结构；c.将得到的SnS2花状结构置于马弗炉中退火，得到SnS2@SnO2异质结。进一步地，步骤a所述的四氯化锡的量为0.035-3.5g；硫代乙酰胺的量为0.01875-1.875g。进一步地，步骤a所述乙醇的量为10-100ml；醋酸的量为0.5-5ml；搅拌时间为10-60min。进一步地，所述步骤b的反应温度为100-200℃；反应时间为8-20小时。进一步地，所述步骤c的反应温度为200-450℃；反应时间为5-20min。本专利技术的有益效果：本专利技术的SnS2@SnO2异质结的制备方法，无需贵重仪器设备，通过合理的工艺控制，实现SnS2@SnO2异质结的制备。本专利技术的原料廉价易得，合成工艺简单，成本低，反应周期短，且对环境无污染。该制备的SnS2@SnO2异质结大小均匀、尺寸可调、分散良好，可应用于光催化、气敏、吸附等领域。附图说明图1是实施例1所制备SnS2@SnO2的扫描电子显微镜(SEM)照片。图2是实施例1所制备SnS2@SnO2的扫描电子显微镜(SEM)照片。具体实施方式以下通过具体实施例用于进一步说明本专利技术描述的方法，但是并不意味着本专利技术局限于这些实施例。实施例1：一种SnS2@SnO2异质结的制备方法，其步骤包括：a.将0.35g四氯化锡和0.1875g硫代乙酰胺溶于33.5ml乙醇和1.5ml醋酸的混合溶液中，搅拌30min后，形成溶液A；b.将溶液A装入反应釜，在恒温干燥箱中，160℃下反应12h，待反应釜自然冷却后，用乙醇与去离子水分别洗涤多次，干燥，得到SnS2花状结构；c.将得到的SnS2花状结构置于马弗炉中400℃氧化10分钟，得到SnS2@SnO2异质结。附图1和2分别为本实施例制成的SnS2@SnO2异质结的SEM图，从图中可以看出制备的SnS2@SnO2异质结为片状的花状结构，尺寸比较均匀，其中，SnS2@SnO2异质结片的厚度为10nm-100nm，SnS2@SnO2异质结片的宽度在300nm-800nm。实施例2：该实施例与实施例1的区别在于步骤a中四氯化锡和硫代乙酰胺改变为0.07g和0.0375g，其他与实施例1相同，具体如下：a.将0.07g四氯化锡和0.0375g硫代乙酰胺溶于33.5ml乙醇和1.5ml醋酸的混合溶液中，搅拌30min后，形成溶液A；b.将溶液A装入反应釜，在恒温干燥箱中，160℃下反应12h，待反应釜自然冷却后，用乙醇与去离子水分别洗涤多次，干燥，得到SnS2花状结构；c.将得到的SnS2花状结构构置于马弗炉中400℃氧化10分钟，得到SnS2@SnO2异质结。SnS2@SnO2异质结为片状的花状结构，尺寸比较均匀，其中，SnS2@SnO2异质结片的厚度为10nm-100nm。实施例3：该实施例与实施例1的区别在于步骤a中乙醇和醋酸改变为67ml和3ml，其他与实施例1相同，具体如下：a.将0.35g四氯化锡和0.1875g硫代乙酰胺溶于67ml乙醇和3ml醋酸的混合溶液中，搅拌30min后，形成溶液A；b.将溶液A装入反应釜，在恒温干燥箱中，160℃下反应12h，待反应釜自然冷却后，用乙醇与去离子水分别洗涤多次，干燥，得到碳纤维布@SnS2花状结构；c.将得到的SnS2花状结构置于马弗炉中400℃氧化10分钟，得到SnS2@SnO2异质结。SnS2@SnO2异质结为片状的花状结构，尺寸比较均匀，其中，SnS2@SnO2异质结片的厚度为10nm-100nm。实施例4：该实施例与实施例1的区别在于步骤a中搅拌时间改变为60min，其他与实施例1相同，具体如下：a.将0.35g四氯化锡和0.1875g硫代乙酰胺溶于33.5ml乙醇和1.5ml醋酸的混合溶液中，搅拌60min后，形成溶液A；b.将溶液A装入反应釜，在恒温干燥箱中，160℃下反应12h，待反应釜自然冷却后，用乙醇与去离子水分别洗涤多次，干燥，得到SnS2花状结构；c.将得到的SnS2花状结构置于马弗炉中400℃氧化10分钟，得到SnS2@SnO2异质结。SnS2@SnO2异质结为片状的花状结构，尺寸比较均匀，其中，SnS2@SnO2异质结片的厚度为10nm-100nm。实施例5：该实施例与实施例1的区别在于步骤一到步骤b中反应时间改变为16h，其他与实施例1相同，具体如下：a.将0.35g四氯化锡和0.1875g硫代乙酰胺溶于33.5ml乙醇和1.5ml醋酸的混合溶液中，搅拌30min后，形成溶液A；b.将溶液A装入反应釜，在恒温干燥箱中，160℃下反应16h，待反应釜自然冷却后，用乙醇与去离子水分别洗涤多次，干燥，得到SnS2花状结构；c.将得到的SnS2花状结构置于马弗炉中400℃本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SnS

【技术特征摘要】
1.一种SnS2@SnO2异质结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
a.将四氯化锡和硫代乙酰胺溶于乙醇和醋酸的混合溶液中，搅拌，形成溶液A；
b.将溶液A装入反应釜中，放入恒温干燥箱中，一定温度下反应数小时后，让反应釜自然冷却至室温，乙醇与去离子水分别洗涤多次，干燥，得到SnS2花状结构；
c.将得到的SnS2花状结构置于马弗炉中退火，得到SnS2@SnO2异质结。


2.如权利要求1中所述的SnS2@SnO2异质结的制备方法，其特征在于：所述步骤a中的所述四氯化锡的量为0.035-3.5g；硫代乙酰胺的量为0.01875-1.875g。


3.如权利要求1中所述的SnS2@SnO2异质结的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张亦哲，吴小平，崔灿，李小云，金立，
申请(专利权)人：浙江理工大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33