用于半导体制造的喷头制造技术

提供了一种用于半导体制造的喷头和包括所述喷头的用于处理基板的设备，所述设备包括处理室，所述喷头是在所述处理室中，在所述喷头的第一区域中具有多个第一孔，所述多个第一孔具有第一孔径，并且在所述喷头的第二区域中具有多个第二孔，所述第二孔具有第二孔径。所述第一孔径不同于所述第二孔径，所述第一区域被所述第二区域包围，并且所述第一区域的面积大于所述第二区域的面积。

Nozzle for semiconductor manufacturing

【技术实现步骤摘要】
用于半导体制造的喷头相关申请的交叉引用本申请请求于2018年12月17日提交的美国临时申请No.62/780,368的权益及优先权，其专利技术名称为SHOWERHEADFORSEMICONDUCTORFABRICATION，其代理人卷号为US75805(以下称为US75805申请)。本申请还请求于2018年12月13日提交的美国临时申请No.62/778,911的权益及优先权，其专利技术名称为TRIPLE-SIZEHOLETYPESHOWERHEADFORSEMICONDUCTORDEVICEFABRICATION，其代理人卷号为US75608(以下称为US75608申请)。US75805和US75608申请的揭露内容在此通过引用完全并且入本申请中。
本公开总体上涉及一种用于半导体制造的设备和方法。更具体地，本公开涉及处理用于制造半导体器件的基板。
技术介绍
由于信息器件的快速和广泛使用，对存储半导体器件的需求正在扩大。随着器件尺寸的减小，存储器半导体装置需要高存储电容和快速的操作速度。处理技术一直致力于提高存储设备的响应速度、可靠性和集成度。举例来说，动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)装置通常包括一个存取晶体管和一个存储电容器。并且已经使用硼磷硅酸盐玻璃(BoronPhosphorousSilicateGlass，BPSG)膜和/或磷硅酸盐玻璃(PhosphorousSilicateGlass，PSG)膜作为结构膜以形成电容器。通常来说，在基板上沉积BPSG膜/PSG膜是藉由低压化学气相沉积(Low-PressureChemicalVaporDeposition，LPCVD)进行，其中化学反应物通过喷头分布到基板上。
技术实现思路
鉴于上述情况，本公开涉及处理用于制造半导体器件的基板。本申请的实施方式涉及一种用于处理基板的设备。所述设备包括处理室和喷头，所述喷头是在所述处理室中，在所述喷头的第一区域中具有多个第一孔，所述多个第一孔具有第一孔径，并且在所述喷头的第二区域中具有多个第二孔，所述第二孔具有第二孔径。所述第一孔径不同于所述第二孔径，所述第一区域被所述第二区域包围，并且所述第一区域的面积大于所述第二区域的面积。根据一些实施方式，所述第一孔径约为0.66mm至0.74mm。根据一些实施方式，所述第二孔径约为0.70mm至0.76mm。根据一些实施方式，所述第一区域的宽度约为210mm至250mm。根据一些实施方式，所述第二区域在所述第一区域的第一侧具有第一宽度，并且所述第二区域在所述第一区域的第二侧具有第二宽度，第一区域的所述第二侧是与所述第一区域的所述第一侧相对，并且所述第二宽度不同于所述第一宽度。根据一些实施方式，所述多个第一孔的每一者具有横截面，并且在所述第一区域中，所述多个第一孔的所述横截面的面积总和约为800mm2至1000mm2。根据一些实施方式，所述多个第二孔的每一者具有横截面，并且在所述第二区域中，所述多个第二孔的所述横截面的面积总和约为200mm2至300mm2。本申请的另一实施方式涉及一种用于处理基板的设备。所述设备包括：处理室；和喷头，所述喷头是在处理室中，在所述喷头的第一区域中具有多个第一孔，并且在所述喷头的第二区域中具有多个第二孔；其中，所述多个第二孔大于所述多个第一孔，所述第一区域的面积大于所述第二区域的面积，并且在所述第一区域与所述第二区域之间定义一个弓形或直的介面。根据一些实施方式，所述多个第一孔的孔径约为0.66mm至0.74mm。根据一些实施方式，所述多个第二孔的孔径约为0.70mm至0.76mm。根据一些实施方式，所述喷头的中心是在所述第一区域中。根据一些实施方式，所述喷头还具有多个第三孔，所述多个第三孔是在所述喷头的第三区域中，并且所述多个第三孔大于所述多个第二孔。根据一些实施方式，所述喷头还具有多个第三孔，所述多个第三孔是在所述喷头的第三区域中，并且所述第三区域的面积大于所述第二区域的面积。根据一些实施方式，所述多个第一孔的每一个具有横截面，并且在所述第一区域中，所述多个第一孔的所述横截面的面积总和约为800mm2至1000mm2。根据一些实施方式，所述多个第二孔的每一个具有横截面，并且在所述第二区域中，所述多个第二孔的所述横截面的面积总和约为200mm2至300mm2。本申请的又一实施方式涉及一种气体分布的方法，包括：通过进气口接收第一处理气体；在喷头上不均匀地分布所述第一处理气体；和藉由从所述喷头流过第二处理气体以均匀地分布所述第二处理气体于基板之上。根据一些实施方式，所述的方法还包括：使所述第一处理气体流过所述喷头中的多个孔，其中，所述多个孔被分组为所述喷头的第一区域和所述喷头的第二区域，并且所述第二区域中的孔径大于所述第一个区域中的孔径。根据一些实施方式，所述第一区域中的所述孔的孔径约为0.66mm至0.74mm，所述第二区域中的所述孔的孔径约为0.74mm至0.76mm。根据一些实施方式，所述第一区域的开口面积约为800mm2至1000mm2，所述第二区域的开口面积约为200mm2至300mm2。根据一些实施方式，所述第一区域和所述第二区域之间的界面是圆形、多边形、弓形或直的。附图说明附图是以可以详细地理解本公开叙述特征的方式，并且针对以上本公开较特定的描述简要地概述，所述较特定的描述可能论及实施方式，其中，一些描述在附图中示出。然而，可以注意的是，附图仅说明本专利技术的典型实施方案，且因此不应视为限制本专利技术的范围，因为本专利技术可涉及其他等效的实施方式。图1所示为根据本公开的示例实施方式，用于处理基板的设备。图2所示为根据本公开的示例实施方式，喷头的俯视图。图3所示为根据本公开的示例实施方式，喷头的俯视图。图4所示为根据本公开的示例实施方式，用于处理基板的设备。图5所示为根据本公开的示例实施方式，喷头的俯视图。图6所示为根据本公开的示例实施方式，喷头的俯视图。图7所示为根据本公开的示例实施方式，在基板上进行处理的设备。图8所示为根据本公开的示例实施方式，喷头的俯视图。图9所示为根据本公开的示例实施方式，喷头的俯视图。图10所示为根据本公开的示例实施方式，膜的掺杂剂的浓度比较图。图11所示为根据本公开的示例实施方式，用于处理基板的方法的流程图。然而，应该注意的是，附图仅说明本公开的实例实施方式，且因此不应视为限制本公开的范围，因为本专利技术可涉及其他等效实施方式。应该注意的是，这些附图旨在说明在某些示例实施方式中使用的方法、结构和/或材料的一般特性，并补充以下提供的文字描述。但是，这些附图未按比例绘制，并且可能无法准确反映任何给定实现方式的精确结构或性能特征，并且不应解释为定义或限制示例实施方式所包含的值或属性的范围。例如，为了清楚起见，可以减小本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种包括用于半导体制造的喷头的用于处理基板的设备，其特征在于，包括：/n处理室；和/n所述喷头是在所述处理室中，在所述喷头的第一区域中具有多个第一孔，所述多个第一孔具有第一孔径，并且在所述喷头的第二区域中具有多个第二孔，所述第二孔具有第二孔径；/n其中，所述第一孔径不同于所述第二孔径，所述第一区域被所述第二区域包围，并且所述第一区域的面积大于所述第二区域的面积。/n

【技术特征摘要】
20181213 US 62/778911;20181217 US 62/7803681.一种包括用于半导体制造的喷头的用于处理基板的设备，其特征在于，包括：
处理室；和
所述喷头是在所述处理室中，在所述喷头的第一区域中具有多个第一孔，所述多个第一孔具有第一孔径，并且在所述喷头的第二区域中具有多个第二孔，所述第二孔具有第二孔径；
其中，所述第一孔径不同于所述第二孔径，所述第一区域被所述第二区域包围，并且所述第一区域的面积大于所述第二区域的面积。


2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，其中，所述第一孔径约为0.66mm至0.74mm。


3.如权利要求1所述的设备，其特征在于，其中，所述第二孔径约为0.70mm至0.76mm。


4.如权利要求1所述的设备，其特征在于，其中，所述第一区域的宽度约为210mm至250mm。


5.如权利要求1所述的设备，其特征在于，其中，所述第二区域在所述第一区域的第一侧具有第一宽度，并且所述第二区域在所述第一区域的第二侧具有第二宽度，第一区域的所述第二侧是与所述第一区域的所述第一侧相对，并且所述第二宽度不...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱灿述，金志勋，
申请(专利权)人：夏泰鑫半导体青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37