一种检测晶圆缺陷的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种检测晶圆缺陷的方法及装置，属于晶圆制造领域。所述方法包括：获取所述晶圆上预设范围内的各缺陷的位置信息；根据所述各缺陷的位置信息和预设的计算公式，计算所述各缺陷的收敛程度；判断所述收敛程度是否大于预设阈值，如果是，则判定所述晶圆为不合格产品；如果否，则判定所述晶圆为合成产品。本发明专利技术提供的一种检测晶圆缺陷的方法及装置，可以根据缺陷的收敛程度判断晶圆是否为合格产品，从而避免将不合格产品误判为合格产品，以提高检测效率。

A method and device for detecting wafer defects

【技术实现步骤摘要】
一种检测晶圆缺陷的方法及装置
本专利技术涉及晶圆制造领域，特别涉及一种检测晶圆缺陷的方法及装置。
技术介绍
随着半导体技术的发展，器件的尺寸越来越小，在晶圆制造过程中因为制程调整、环境或机台的异常对晶圆良率的影响越来越大，因此在晶圆制造过程中对晶圆缺陷进行实时检测也越来越重要。目前，主要通过缺陷扫描机台在晶圆制造线上对晶圆缺陷进行扫描，以获取晶圆缺陷的总数，然后判断缺陷总数是否超过预设的限定值以便计算产品是否合格。如图1所示，预设的限定值为80时，当晶圆缺陷总数大于虚线表示的界限时，缺陷扫描机台才报警，以表示该晶圆为不合格产品；例如，左起第二个晶圆被判定为合格产品，右起第二个晶圆被判定为不合格产品。然而，上述对缺陷的检测方法只适用于缺陷在晶圆上随机分布的情况。当晶圆出现一些特殊缺陷而并非在晶圆上随机分布时，例如图1中的左侧第二个晶圆对应的如图5所示缺陷分布图，图5中的黑点表示缺陷，其部分缺陷的收敛程度比较集中，这些特殊缺陷的总数有可能不会超过预设的限定值，缺陷扫描机台则判定该晶圆为合格产品，但是该晶圆实际上属于不合格产品。
技术实现思路
本专利技术提供了一种检测晶圆缺陷的方法及装置，以解决现有的缺陷扫描机台将不合格产品误判为合格产品的技术问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种检测晶圆缺陷的方法，所述方法包括：获取所述晶圆上预设范围内的各缺陷的位置信息；根据所述各缺陷的位置信息和预设的计算公式，计算所述各缺陷的收敛程度；判断所述收敛程度是否大于预设阈值，如果是，则判定所述晶圆为不合格产品；如果否，则判定所述晶圆为合成产品。可选的，所述预设范围为所述晶圆的晶面，所述位置信息为坐标值；所述根据所述各缺陷的位置信息，计算所述各缺陷的收敛程度的步骤，具体包括：将所述各缺陷的坐标值输入所述预设的计算公式中；将所述预设的计算公式的输出值作为所述各缺陷的收敛程度；其中，所述预设的计算公式包括所述n表示所述各缺陷的总数，所述R表示所述晶圆的半径，所述i表示所述各缺陷的序号，所述ri表示第i个缺陷距离坐标原点的距离，所述μ1表示所述n个ri的平均值；所述晶圆上的坐标系包括x轴和y轴，所述坐标原点为所述晶面的中心；所述π表示圆周率，所述θi表示第i个缺陷的坐标点至所述坐标原点之间的连线与所述x轴之间的夹角，所述μ2表示所述n个θi的平均值。可选的，所述预设阈值包括第一阈值和第二阈值，所述判断所述收敛程度是否大于预设阈值的步骤，包括：判断所述P1是否大于所述第一阈值，并且判断所述P2是否大于所述第二阈值，如果所述P1小于或等于所述第一阈值，并且所述P2小于或等于所述第二阈值，则判定所述晶圆为合格产品；否则，判定所述晶圆为不合格产品。可选的，所述预设阈值包括第三阈值，所述判断所述收敛程度是否大于预设阈值的步骤，包括：判断所述P1与所述P2之和是否大于所述第三阈值，如果是，则判定所述晶圆为不合格产品；如果否，则判定所述晶圆为合格产品。可选的，当所述晶圆的半径R＝150毫米时，所述第一阈值和所述第二阈的取值范围均为[6，8]。可选的，所述获取所述晶圆上预设范围内的各缺陷的位置信息的步骤之前，还包括：获取所述晶圆上预设范围内的各缺陷的总数；判断所述总数是否大于预设的限定值，如果是，则判定所述晶圆为不合格产品；如果否，则执行所述获取所述晶圆上预设范围内的各缺陷的位置信息的步骤。本专利技术还提供了一种检测晶圆缺陷的装置，所述装置包括：第一获取模块，用于获取所述晶圆上预设范围内的各缺陷的位置信息；计算模块，用于根据所述各缺陷的位置信息和预设的计算公式，计算所述各缺陷的收敛程度；第一判断模块，用于判断所述收敛程度是否大于预设阈值，如果是，则判定所述晶圆为不合格产品；如果否，则判定所述晶圆为合成产品。可选的，所述预设范围为所述晶圆的晶面，所述位置信息为坐标值；所述计算模块具体包括：输入模块，用于将所述各缺陷的坐标值输入所述预设的计算公式中；输出模块，用于将所述预设的计算公式的输出值作为所述各缺陷的收敛程度；其中，所述预设的计算公式包括所述n表示所述各缺陷的总数，所述R表示所述晶圆的半径，所述i表示所述各缺陷的序号，所述ri表示第i个缺陷距离坐标原点的距离，所述μ1表示所述n个ri的平均值；所述晶圆上的坐标系包括x轴和y轴，所述坐标原点为所述晶面的中心；所述π表示圆周率，所述θi表示第i个缺陷的坐标点至所述坐标原点之间的连线与所述x轴之间的夹角，所述μ2表示所述n个θi的平均值。可选的，所述预设阈值包括第一阈值和第二阈值，所述第一判断模块具体用于判断所述P1是否大于所述第一阈值，并且判断所述P2是否大于所述第二阈值，如果所述P1小于或等于所述第一阈值，并且所述P2小于或等于所述第二阈值，则判定所述晶圆为合格产品；否则，判定所述晶圆为不合格产品。可选的，所述装置还包括：第二获取模块，用于获取所述晶圆上预设范围内的各缺陷的总数；第二判断模块，用于判断所述总数是否大于预设的限定值，如果是，则判定所述晶圆为不合格产品；如果否，则执行所述获取所述晶圆上预设范围内的各缺陷的位置信息的步骤。本专利技术提供的一种检测晶圆缺陷的方法及装置，可以根据缺陷的收敛程度判断晶圆是否为合格产品，从而避免将不合格产品误判为合格产品，以提高检测效率。附图说明图1是现有技术中通过预设的限定值判断晶圆是否合格的缺陷总数趋势示意图；图2是本专利技术提供的一种检测晶圆缺陷的方法的流程示意图；图3是晶圆的坐标系示意图；图4是多个产品对应的缺陷的总数、P1的值、P2的值的趋势图；图5是一种晶面上的缺陷分布呈特殊图形的示意图；图6是一种晶面上的缺陷分布呈随机图形的示意图；图7是图4对应的缺陷的总数、P1的值+P2的值的趋势图。具体实施方式为使本专利技术的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图对本专利技术提出的一种检测晶圆缺陷的方法及装置作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。如图2所示，本专利技术提供了一种检测晶圆缺陷的方法，所示方法包括：S1：获取所述晶圆上预设范围内的各缺陷的位置信息；其中，所述位置信息可以是各缺陷在晶圆上的坐标值，或者，将晶圆划分成多个区域，各区域具有不同的标识信息，各缺陷所在的区域所对应的标识信息可以作为各缺陷的位置信息；S2：根据所述各缺陷的位置信息和预设的计算公式，计算所述各缺陷的收敛程度；其中，各缺陷的收敛程度是指各缺陷在晶圆上的聚集程度；S3：判断所述收敛程度是否大于预设阈值，如果是，则执行S4；如果否，则执行S5；S4：判定所述晶圆为不合格产品；S5：判定所述晶圆为合成产品。本专利技术提供的一种检测晶圆缺陷的方法，可以根据缺陷本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种检测晶圆缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：/n获取所述晶圆上预设范围内的各缺陷的位置信息；/n根据所述各缺陷的位置信息和预设的计算公式，计算所述各缺陷的收敛程度；/n判断所述收敛程度是否大于预设阈值，如果是，则判定所述晶圆为不合格产品；如果否，则判定所述晶圆为合成产品。/n

【技术特征摘要】
1.一种检测晶圆缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：
获取所述晶圆上预设范围内的各缺陷的位置信息；
根据所述各缺陷的位置信息和预设的计算公式，计算所述各缺陷的收敛程度；
判断所述收敛程度是否大于预设阈值，如果是，则判定所述晶圆为不合格产品；如果否，则判定所述晶圆为合成产品。


2.根据权利要求1所述的一种检测晶圆缺陷的方法，其特征在于，所述预设范围为所述晶圆的晶面，所述位置信息为坐标值；
所述根据所述各缺陷的位置信息，计算所述各缺陷的收敛程度的步骤，具体包括：
将所述各缺陷的坐标值输入所述预设的计算公式中；
将所述预设的计算公式的输出值作为所述各缺陷的收敛程度；
其中，所述预设的计算公式包括所述n表示所述各缺陷的总数，所述R表示所述晶圆的半径，所述i表示所述各缺陷的序号，所述ri表示第i个缺陷距离坐标原点的距离，所述μ1表示所述n个ri的平均值；所述晶圆上的坐标系包括x轴和y轴，所述坐标原点为所述晶面的中心；所述π表示圆周率，所述θi表示第i个缺陷的坐标点至所述坐标原点之间的连线与所述x轴之间的夹角，所述μ2表示所述n个θi的平均值。


3.根据权利要求2所述的一种检测晶圆缺陷的方法，其特征在于，所述预设阈值包括第一阈值和第二阈值，所述判断所述收敛程度是否大于预设阈值的步骤，包括：
判断所述P1是否大于所述第一阈值，并且判断所述P2是否大于所述第二阈值，如果所述P1小于或等于所述第一阈值，并且所述P2小于或等于所述第二阈值，则判定所述晶圆为合格产品；否则，判定所述晶圆为不合格产品。


4.根据权利要求2所述的一种检测晶圆缺陷的方法，其特征在于，所述预设阈值包括第三阈值，所述判断所述收敛程度是否大于预设阈值的步骤，包括：
判断所述P1与所述P2之和是否大于所述第三阈值，如果是，则判定所述晶圆为不合格产品；如果否，则判定所述晶圆为合格产品。


5.根据权利要求3所述的一种检测晶圆缺陷的方法，其特征在于，当所述晶圆的半径R＝150毫米时，所述第一阈值和所述第二阈的取值范围均为[6，8]。


6.根据权利要求1所述的一种检测晶圆缺陷的方法，其特征在于，所述获取所述晶圆上预设范围内的各缺陷...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋箭叶，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31