一种发光二极管制造技术

本实用新型专利技术提供了一种发光二极管，其外延层结构包括：从下至上依次叠加于所述衬底上的N型半导体层、有源区、P型半导体层；首先，通过设置N型电极扩展条与P型电极扩展条在水平方向的位置重叠，减少电极挡光面积；其次，通过在第二隔离层、第三隔离层特定位置设有若干贯穿隔离层的导电通孔，提升电流扩展效果，提高发光效率；通过第一隔离层、第三隔离层，使N型电极绝缘于第一透明导电层及第二透明导电层，有效避免发光二极管的漏电。

A kind of LED

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管
本技术属于发光二极管领域，更为具体地说，涉及一种发光二极管。
技术介绍
由于发光二极管(LightEmittingDiode，LED)具有亮度高、体积小和耗电量低等优点，因此，发光二极管被视为新一代的照明工具，并且近年来，发光二极管在更多领域也得到了迅速的应用和普及。但是，由于现有的发光二极管的半导体芯片仍然存在着发光效率低的问题，因此，如何提高发光二极管的半导体芯片的发光效率已经成为当今科研领域最重要的课题之一。现有芯片结构还是存在一些问题：如传统正装LED芯片，采用P、N焊台电极和交叉相对的P、N扩展电极来进行电流的传输，存在较大的挡光面积。现有技术中最常见的方法是采用在电极底下区域设置一个电流阻挡区域(介质层)，阻挡焊台电极正下方电流的传输能力，藉此提高非焊台电极区域的电流密度而增加有源层的发光能力，降低焊台电极挡光的问题。但由于采用介质层绝缘，介质层属于氧化物，这些氧化物层的存在，妨碍了半导体和金属层之间均匀的相互作用。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种发光二极管，能够减少电极挡光增大发光二极管出光面积。为实现上述目的，本技术采用的技术方案如下：一种发光二极管，包括：衬底；设置在所述衬底表面的外延层结构；所述外延层结构包括：从下至上依次叠加于所述衬底上的N型半导体层、有源区、P型半导体层；所述P型半导体层的上表面设有向所述N型半导体层延伸的凹槽，并显露所述N型半导体层；所述凹槽内的所述N型半导体层表面设有N型焊盘电极和N型电极扩展条；所述N型焊盘电极和所述N型电极扩展条形成电连接，构成N型电极，所述N型电极与所述凹槽的侧壁距离设置；所述凹槽的侧壁与N型电极之间、所述N型电极扩展条的上表面设有第一隔离层；所述第一隔离层背离N型电极扩展条上表面的一侧及所述P型半导体层上设有第一透明导电层，所述第一透明导电层与所述P型半导体层形成电连接；所述第一透明导电层上设有P型电极扩展条和P型焊盘电极,且所述P型焊盘电极和所述P型电极扩展条形成电连接，构成P型电极；所述N型电极扩展条与所述P型电极扩展条在水平方向的位置重叠；所述N型电极与所述P型电极之间、所述N型电极与所述第一透明导电层之间的距离设置。优选地，所述P型半导体层上表面设有第二隔离层；所述第二隔离层设有若干贯穿所述第二隔离层的第一导电通孔；所述第一透明导电层通过所述第一导电通孔设于所述P型半导体层上并与所述P型半导体层形成电连接；所述第一透明导电层与所述N型焊盘电极之间设有所述第一隔离层。优选地，所述N型电极扩展条的上表面和所述P型半导体层的上表面齐平，所述第二隔离层与所述第一隔离层一体设置。优选地，还包括第三隔离层和第二透明导电层；所述第一透明导电层上表面设有所述第三隔离层；所述第三隔离层对应未设N型电极扩展条的位置设有若干贯穿所述第三隔离层的第二导电通孔；所述第三隔离层上表面设有所述第二透明导电层；所述P型电极扩展条和所述P型焊盘电极设于所述第二透明导电层上；所述第二透明导电层通过所述第二导电通孔设于所述第一透明导电层上并与第一透明导电层形成电连接；所述N型焊盘电极与所述第一透明导电层及所述第二透明导电层之间设有所述第三隔离层。优选地，所述第一隔离层的上表面和所述P型半导体层的上表面齐平。优选地，所述第一导电通孔具有至少两种不同的通孔尺寸，远离所述N型电极扩展条的通孔尺寸大于靠近所述N型电极扩展条的通孔尺寸；所述第二导电通孔具有至少两种不同的通孔尺寸，远离所述N型电极扩展条的通孔尺寸大于靠近所述N型电极扩展条的通孔尺寸。经由上述的技术方案，从而达到如下效果：1、通过设置N型电极扩展条与P型电极扩展条在水平方向的位置重叠，减少电极挡光面积；2、通过设置第一隔离层、第三隔离层，使N型电极绝缘于有源区、P型半导体层、第一透明导电层、第二透明导电层，有效避免发光二极管的漏电；3、通过在第二隔离层设有若干贯穿第二隔离层的第一导电通孔，提升电流扩展效果，提高二极管发光效率；4、通过在第三隔离层上表面设有第二透明导电层，第二透明导电层通过第二导电通孔设于第一透明导电层上并与第一透明导电层形成电连接，增加了电流扩展面积，使电流扩展效果更佳，进一步提高发光二极管效率。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的一种发光二极管的结构示意图；图2为本技术实施例提供的一种发光二极管的俯视图；图3至图8为本技术实施例2提供的一种发光二极管的制作方法各步骤对应的结构示意图；图9至图16为本技术实施例4提供的一种发光二极管的制作方法各步骤对应的结构示意图；图17至图26为本技术实施例6提供的一种发光二极管的制作方法各步骤对应的结构示意图。图中符号说明：101、衬底，102、N型半导体层，103、有源区，104、P型半导体层，105、N型焊盘电极，106、N型电极扩展条，107、第一隔离层，108、第一透明导电层，109、P型焊盘电极，110、P型电极扩展条，111、第二隔离层，112、第三隔离层，113、第二透明导电层，A、凹槽，B、第一导电通孔，C、第二导电通孔。具体实施方式为本技术的内容更加清晰，下面结合附图对本技术的内容作进一步说明。本技术不局限于该具体实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例1本实施例提供的一种发光二极管，如图1、图2所示，包括：衬底101；设置在所述衬底101表面的外延层结构；所述外延层结构包括：从下至上依次叠加于所述衬底101上的N型半导体层102、有源区103、P型半导体层104；所述P型半导体层104的上表面设有向所述N型半导体层102延伸的凹槽A，并显露所述N型半导体层102；所述凹槽A内的所述N型半导体层102表面设有N型焊盘电极105和N型电极扩展条106；所述N型焊盘电极105和所述N型电极扩展条106形成电连接，构成N型电极，所述N型电极与所述凹槽A的侧壁距离设置；所述凹槽A的侧壁与N型电极之间、所述N型电极扩展条106的上表面设有第一隔离层107；所述第一隔离层107背离N型电极扩展条106上表面的一侧及所述P型半导体层104上设有第一透明导电层108，所述第一透明导电层108与所述P型半导体层104形成电连接；所述第一透明导电层108上设有P型电极扩展条110和P型焊盘电极109,且所述P型焊盘电极109和所述P型电极扩展条110形成电连接，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：/n衬底；/n设置在所述衬底表面的外延层结构；所述外延层结构包括：从下至上依次叠加于所述衬底上的N型半导体层、有源区、P型半导体层；/n所述P型半导体层的上表面设有向所述N型半导体层延伸的凹槽，并显露所述N型半导体层；所述凹槽内的所述N型半导体层表面设有N型焊盘电极和N型电极扩展条；所述N型焊盘电极和所述N型电极扩展条形成电连接，构成N型电极，所述N型电极与所述凹槽的侧壁距离设置；/n所述凹槽的侧壁与N型电极之间、所述N型电极扩展条的上表面设有第一隔离层；所述第一隔离层背离N型电极扩展条上表面的一侧及所述P型半导体层上设有第一透明导电层，所述第一透明导电层与所述P型半导体层形成电连接；所述第一透明导电层上设有P型电极扩展条和P型焊盘电极,且所述P型焊盘电极和所述P型电极扩展条形成电连接，构成P型电极；/n所述N型电极扩展条与所述P型电极扩展条在水平方向的位置重叠；/n所述N型电极与所述P型电极之间、所述N型电极与所述第一透明导电层之间的距离设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
衬底；
设置在所述衬底表面的外延层结构；所述外延层结构包括：从下至上依次叠加于所述衬底上的N型半导体层、有源区、P型半导体层；
所述P型半导体层的上表面设有向所述N型半导体层延伸的凹槽，并显露所述N型半导体层；所述凹槽内的所述N型半导体层表面设有N型焊盘电极和N型电极扩展条；所述N型焊盘电极和所述N型电极扩展条形成电连接，构成N型电极，所述N型电极与所述凹槽的侧壁距离设置；
所述凹槽的侧壁与N型电极之间、所述N型电极扩展条的上表面设有第一隔离层；所述第一隔离层背离N型电极扩展条上表面的一侧及所述P型半导体层上设有第一透明导电层，所述第一透明导电层与所述P型半导体层形成电连接；所述第一透明导电层上设有P型电极扩展条和P型焊盘电极,且所述P型焊盘电极和所述P型电极扩展条形成电连接，构成P型电极；
所述N型电极扩展条与所述P型电极扩展条在水平方向的位置重叠；
所述N型电极与所述P型电极之间、所述N型电极与所述第一透明导电层之间的距离设置。


2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述P型半导体层上表面设有第二隔离层；所述第二隔离层设有若干贯穿所述第二隔离层的第一导电通孔；所述第一透明导电层通过所述第一导电通孔设于所述P型半导体层上并与所述P型半导体层形成电连接；...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志伟，陈凯轩，蔡建九，曲晓东，赵斌，
申请(专利权)人：厦门乾照半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35