本发明专利技术公开了一种用于多晶硅锭电阻率测试的抽样装置及抽样测试方法，它包括取样板，所述取样板为n*n个硅锭槽焊接成的正方形结构；所述硅锭槽为表面开口的中空矩形体结构；取样板的所有硅锭槽表面开口方向相同。该发明专利技术通过对多晶硅锭电阻率抽样测试的方法进行规定和固化，并设计相应的抽样装置配套使用；在多晶硅锭测试过程中监控电阻率值的大小和分布，准确有效的将硅锭异常部分进行反馈并去除不合格部分，以达到保证多晶硅锭的电性能质量稳定的效果。
A sampling device and method for measuring the resistivity of polycrystalline silicon ingot
【技术实现步骤摘要】
一种用于多晶硅锭电阻率测试的抽样装置及抽样测试方法
本专利技术属于光伏行业多晶硅锭性能测试领域。更具体地，本专利技术涉及一种用于多晶硅锭电阻率测试的抽样装置及抽样测试方法。
技术介绍
目前光伏行业发展迅速，对以往的G4、G5锭已经无法适应发展需要，为降低成本，行业内以G6、G7锭为主，且铸锭的质量以硅片效率作为评价硅片质量的重要依据，硅锭电阻率分布趋势及标准范围对效率影响至关重要，对多晶硅锭的电阻率性能监控要建立起来，采用合适的抽样取点方法进行测试。现有的测试抽样方法往往是随机拿取剖开后的硅锭块进行取样，没有固定的抽样方法，无法有效控制变量以便在多次测试中缩小因取样方法不同带来的误差；对于取样后的硅锭的电阻率测试，现有技术往往是采用在硅锭表面随机取点进行测试的方法。现有的抽样方案随意性较大，不能准确反应出整个锭的电阻率趋势和范围，对铸锭质量的把控方向不清晰，缺少数据支撑，不能准确的判定硅锭/硅片的效率波动影响，对铸锭的原材料的投入影响性无法准确判断，电阻率性能是铸锭品质及硅片效率的重要指标之一，对硅块多次使用无法计算铸锭工艺中的微量元素。因此，设计一种固定的、科学的抽样和测试取点方法，以及相应配套的抽样装置，就显得十分必要了。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种用于多晶硅锭电阻率测试的抽样装置及抽样测试方法，通过对多晶硅锭电阻率抽样测试的方法进行规定和固化，并设计相应的抽样装置配套使用；在多晶硅锭测试过程中监控电阻率值的大小和分布，准确有效的将硅锭异常部分进行反馈并去除不合格部分，以达到保证多晶硅锭的电性能质量稳定的效果。为了实现上述的技术特征，本专利技术采用的技术方案是：一种用于多晶硅锭电阻率测试的抽样装置，它包括取样板，所述取样板为n*n个硅锭槽焊接成的正方形结构；所述硅锭槽为表面开口的中空矩形体结构；取样板的所有硅锭槽表面开口方向相同。所述取样板中硅锭槽的尺寸由所测试多晶硅锭的尺寸确定；硅锭槽内部的尺寸与多晶硅锭的尺寸相同。所述取样板一条对角线上的硅锭槽为抽样槽，抽样槽外表面涂覆颜料，所涂颜料与其余硅锭槽的表面颜色不同。所述抽样槽内部连接有隔板，隔板与抽样槽底板平行；隔板与抽样槽底板之间形成中空的夹层结构。所述夹层结构内设置有定位装置，定位装置与抽样槽底板连接。所述定位装置的数量为五个，五个定位装置成一条直线，位于抽样槽底板侧边缘的中线上；其中靠近抽样槽底板两端的定位装置与抽样槽底板的两侧边缘相距10mm；其余三个定位装置将中间的长度均分为四等份。所述定位装置包括中空圆柱体结构的限位筒，限位筒连接于抽样槽底板；限位筒内连接有弹簧，弹簧一端连接有顶杆。所述顶杆顶端穿过隔板表面预留的孔洞，伸入抽样槽内部；顶杆顶端连接有记号笔头。如上所述的一种用于多晶硅锭电阻率测试的抽样装置的抽样测试方法，其特征在于，它包括以下步骤：S1，将所需测试的多晶硅锭进行剖锭，剖成n*n个硅锭块，然后按照剖开后对应的位置填入取样板的n*n个硅锭槽中；硅锭规格为G4、G5、G6……Gn对应测试的硅锭块数为4*4、5*5、6*6……n*n块；S2，抽出填入对角线上的抽样槽中的硅锭，作为抽取的测试硅锭；S3，抽样槽中的顶杆在弹簧的作用下，压紧填入的硅锭表面，通过顶杆的记号笔头在硅锭表面打上五个电阻率测试的标记点；其中两端的两个标记点分别距离硅锭侧边缘10mm，中间的三个标记点等间距分布；S4，使用电阻率测试装置通过标记的五个标记点对抽取出的待测试硅锭进行电阻率测试，并记录相应数据制成图表。一种用于多晶硅锭电阻率测试的抽样装置，它包括取样板，所述取样板为n*n个硅锭槽焊接成的正方形结构；所述硅锭槽为表面开口的中空矩形体结构；取样板的所有硅锭槽表面开口方向相同。该专利技术通过对多晶硅锭电阻率抽样测试的方法进行规定和固化，并设计相应的抽样装置配套使用；在多晶硅锭测试过程中监控电阻率值的大小和分布，准确有效的将硅锭异常部分进行反馈并去除不合格部分，以达到保证多晶硅锭的电性能质量稳定的效果。在优选的方案中，取样板中硅锭槽的尺寸由所测试多晶硅锭的尺寸确定；硅锭槽内部的尺寸与多晶硅锭的尺寸相同。结构简单，使用时，硅锭槽的内部尺寸根据产品线上剖锭后的多晶硅锭的尺寸进行提前铸造，使得多晶硅锭可以恰好置于硅锭槽内部。在优选的方案中，取样板一条对角线上的硅锭槽为抽样槽，抽样槽外表面涂覆颜料，所涂颜料与其余硅锭槽的表面颜色不同。结构简单，使用时，选取对角线的硅锭块的抽样方式使得抽取的样品具有充分的代表性，可以均匀的反映整锭中硅块头尾部电阻率的变化，从而针对硅块头尾部电阻率变化趋势进行铸锭质量监控；不同颜色的设计便于操作人员抽取对角线位置的硅锭块。在优选的方案中，抽样槽内部连接有隔板，隔板与抽样槽底板平行；隔板与抽样槽底板之间形成中空的夹层结构；夹层结构内设置有定位装置，定位装置与抽样槽底板连接。结构简单，使用时，抽样槽内部的定位装置用于对硅锭槽表面进行测试位置打点标记，在将硅锭块置于取样板内的过程中即可完成自动标记打点的作业，避免了后续人为测量选取测试点的工序，提高了测试效率。在优选的方案中，定位装置的数量为五个，五个定位装置成一条直线，位于抽样槽底板侧边缘的中线上；其中靠近抽样槽底板两端的定位装置与抽样槽底板的两侧边缘相距10mm；其余三个定位装置将中间的长度均分为四等份。结构简单，使用时，两端相距10mm的测试点设计利于反应出硅锭头尾部的电阻率分布趋势，中间均分设计的3个测试点规避了因随机取点带来的人为误差，可以分段记录电阻率值，为铸锭管控电阻率性能提供重要数据支撑，提高了测试的准确性。在优选的方案中，定位装置包括中空圆柱体结构的限位筒，限位筒连接于抽样槽底板；限位筒内连接有弹簧，弹簧一端连接有顶杆，顶杆顶端穿过隔板表面预留的孔洞，伸入抽样槽内部；顶杆顶端连接有记号笔头。结构简单，使用时，顶杆在弹簧作用下顶端伸出，当硅锭块置入抽样槽内时，在弹簧压力下顶杆顶端的记号笔头在硅锭块表面进行打点定位，同时在压力作用下顶杆缩回夹层结构内，不占用抽样槽内部空间；从而实现便捷的自动打点标记，后续测试电阻率时只需按照硅锭块表面的标记进行测试即可，无需通过测量进行逐个手动标记，规避了重复操作带来的人为误差。在优选的方案中，上述一种用于多晶硅锭电阻率测试的抽样装置的抽样测试方法，其特征在于，它包括以下步骤：S1，将所需测试的多晶硅锭进行剖锭，剖成n*n个硅锭块，然后按照剖开后对应的位置填入取样板的n*n个硅锭槽中；硅锭规格为G4、G5、G6……Gn对应测试的硅锭块数为4*4、5*5、6*6……n*n块；S2，抽出填入对角线上的抽样槽中的硅锭，作为抽取的测试硅锭；S3，抽样槽中的顶杆在弹簧的作用下，压紧填入的硅锭表面，通过顶杆的记号笔头在硅锭表面打上五个电阻率测试的标记点；其中两端的两个标记点分别距离硅锭侧边缘10mm，中间的三个标记点等间距分布；S4，使用电阻率测试装置通过标记的五个标记点对抽取出的待测试硅本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于多晶硅锭电阻率测试的抽样装置，其特征在于：它包括取样板（1），所述取样板（1）为n*n个硅锭槽（2）连接成的正方形结构；所述硅锭槽（2）为一侧表面开口的中空块状体结构；取样板（1）的所有硅锭槽（2）的开口朝向均相同。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于多晶硅锭电阻率测试的抽样装置，其特征在于：它包括取样板（1），所述取样板（1）为n*n个硅锭槽（2）连接成的正方形结构；所述硅锭槽（2）为一侧表面开口的中空块状体结构；取样板（1）的所有硅锭槽（2）的开口朝向均相同。
2.根据权利要求1所述的一种用于多晶硅锭电阻率测试的抽样装置，其特征在于：所述取样板（1）中硅锭槽（2）的尺寸由所测试多晶硅锭的尺寸确定；硅锭槽（2）内部的尺寸与多晶硅锭的尺寸相同。
3.根据权利要求1所述的一种用于多晶硅锭电阻率测试的抽样装置，其特征在于：所述取样板（1）一条对角线上的硅锭槽（2）为抽样槽（21），抽样槽（21）外表面涂覆颜料，所涂颜料与其余硅锭槽（2）的表面颜色不同。
4.根据权利要求3所述的一种用于多晶硅锭电阻率测试的抽样装置，其特征在于：所述抽样槽（21）内部连接有隔板（3），隔板（3）与抽样槽（21）底部平行；隔板（3）与抽样槽（21）底部之间形成中空的夹层结构（4）。
5.根据权利要求4所述的一种用于多晶硅锭电阻率测试的抽样装置，其特征在于：所述夹层结构（4）内设置有定位装置（5），定位装置（5）一端连接在抽样槽（21）底板。
6.根据权利要求5所述的一种用于多晶硅锭电阻率测试的抽样装置，其特征在于：所述定位装置（5）的数量为五个，五个定位装置（5）成一条直线；其中靠近抽样槽（21）底板两条侧边的定位装置（5）与抽样槽（21）底板的两侧边相距10mm；其余三个定位装置（5）将中间的长度均分为四等份。
【专利技术属性】
技术研发人员：郭兆满，王震，
申请(专利权)人：宜昌南玻硅材料有限公司，中国南玻集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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