一种具有连续细晶消除循环的一体化结晶装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种具有连续细晶消除循环的一体化结晶装置，解决了现有外循环型细晶消除结晶系统结构复杂，设备投资高，操作区间窄，循环流场偏移，及细晶消除效果差等问题。本实用新型专利技术通过在传统的DTB或Oslo型结晶器内部设置细晶消除循环换热装置，实现了细晶消除循环系统与结晶器的一体化设计。通过对结晶器内部结构优化改善了结晶母液的循环流动，使晶体悬浮于液流中形成粒度分级的流化床。粒度较大的晶体在结晶器底部的晶体生长区富集并继续生长，粒度较小的晶体随上升液流通过细晶消除循环区被加热溶解，实现对细小晶粒的有效去除。本申请公开的一体化结晶装置具有设备结构紧凑可靠，细晶消除效果好，产品粒度分布可控等优点。

An integrated crystallization device with continuous fine grain elimination cycle

【技术实现步骤摘要】
一种具有连续细晶消除循环的一体化结晶装置
本技术属于结晶
，具体涉及一种具有连续细晶消除循环(continuousfinesdestructioncycle，CFDC)的一体化结晶装置
技术介绍
结晶是化工生产过程中一种重要的单元操作，为数众多的化工产品以晶体形态存在。结晶过程不仅用于产品的生产过程，也广泛用于产品的分离和纯化过程。与精馏等其他单元操作相比结晶过程具有操作温度低，适用于热敏性物质，过程能耗低，所得产品纯度高等优点。从产品纯度，产品流动性及生产过程中易于分离等角度考虑，结晶过程往往追求得到具有较大粒径且分布均匀的晶体产品。结晶过程产品的粒度分布主要受成核速率和晶体生长速率的影响，其中成核速率是影响结晶产品粒度分布的最主要原因。通常可以通过调整结晶过程的操作参数对结晶母液的过饱和度进行调整进而控制结晶过程的成核速率，对产品粒度分布进行优化。但有时受限于结晶过程的其他条件要求，无法通过调整相应的操作参数对成核速率进行有效的控制，导致结晶过程产生大量细小晶核，最终晶体产品平均粒度较小，且粒度分布范围较宽。对于无法对成核速率进行有效控制的结晶过程，常采用细晶消除的方式消除成核过程产生的过量细小晶核，使结晶母液中溶质集中在少量较大晶粒表面继续生长，从而得到平均粒度较大且粒度分布均匀的晶体产品。现有技术中对细晶进行消除常采用外循环的方式，将结晶器中含有细晶的母液抽出结晶器外，通过换热器进行换热使细晶溶解，然后经循环泵重新返回结晶器内。如专利CN93101419.0、CN200510013414.9、CN200810154636.6、CN201010262062.1、US3873275A中均记载了具有外循环型细晶消除系统的结晶器。整个外循环细晶消除系统通常由循环泵、换热器及循环管路构成，存在设备投资大，结构复杂，占地面积大等缺点。同时含有细晶的结晶母液由循环管路从结晶器中抽出，出口只能在结晶器圆周的某一点上，天然存在流场偏移，抽出效果不理想的缺陷。同时，受限于换热温差，外循环型细晶消除系统往往需要很大的循环量，提高了设备运行能耗的同时过大的循环量容易导致结晶器内部流场形成全混状态，无法实现真正的细晶消除循环。具有连续细晶消除循环的一体化结晶装置及结晶方法未见报道。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种具有连续细晶消除循环的一体化结晶装置。本技术是通过以下技术方案实现的：一种具有连续细晶消除循环的一体化结晶装置，其特征在于，所述结晶装置包括进料口，出料口，汽化室，细晶消除循环区和晶体生长区，装置内设有导流筒或降液管，在细晶消除循环区内导流筒或降液管外壁与装置内壁之间设有细晶消除换热装置。在上述技术方案中，所述细晶消除换热装置为换热盘管或换热板，在导流筒或降液管外壁与装置内壁之间呈两圈或多圈圆周分布，各圈换热装置间具有一定间隔形成细晶消除循环通道。在上述技术方案中，所述结晶装置还配有搅拌器，所述搅拌器为桨式搅拌，桨叶伸入导流筒或降液管内部下端。在上述技术方案中，所述结晶装置晶体生长区呈锥形，结晶装置底部为W型。在上述技术方案中，所述进料口位于结晶装置上部并延伸至导流筒或降液管轴线向下进料，所述出料口位于结晶装置底部。在上述技术方案中，所述结晶装置顶部设有蒸汽出口，蒸汽出口与蒸汽压缩机入口相连，蒸汽压缩机出口与冷凝器气侧进口相连，冷凝器气侧出口与凝水罐入口相连，凝水罐出口连有真空泵用于排出不凝气。在上述技术方案中，所述蒸汽压缩机为罗茨压缩机、离心压缩机或螺杆压缩机。本技术的优点和有益效果为：本技术通过在传统的DTB或Oslo型结晶器内部设置细晶消除循环换热装置，在结晶器内部形成连续的细晶消除循环，实现了细晶消除循环系统与结晶器的一体化设计。通过对结晶器内部结构的优化改善了结晶母液的循环流动，使晶体悬浮于液流中形成粒度分级的流化床。粒度较大的晶体在结晶器底部的晶体生长区富集并继续生长，粒度较小的晶体随上升液流通过细晶消除循环区被加热溶解，实现对细小晶粒的有效去除。采用本技术的具有连续细晶消除循环的一体化结晶装置进行结晶生产时可对产品粒度分布进行主动调控。由于细晶消除循环换热装置围绕结晶器中心轴线呈圆周分布，因此，细晶消除循环通道呈中心对称均匀分布，克服了传统细晶消除循环系统抽出母液时存在的流场偏移的问题。同时，得益于内部流场的优化，细晶循环效率提高，以及设备一体化的设计克服了现有技术外循环型细晶消除循环系统结构复杂，配套设备投资高，稳定性差，占地面积大，循环量大，运行成本高等缺点。附图说明图1为现有外循环型消除细晶的结晶系统示意图。图中：1-结晶器，2-换热器，3-循环泵。图2为一种内部为导流筒结构的具有连续细晶消除循环的一体化结晶装置。图中：1-进料口，2-出料口，3-汽化室，4-细晶消除循环区，5-晶体生长区，6-导流筒，7-细晶消除换热装置。图3为一种内部为降液管结构的具有连续细晶消除循环的一体化结晶装置。图中：1-进料口，2-出料口，3-汽化室，4-细晶消除循环区，5-晶体生长区，6-降液管，7-细晶消除换热装置。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面结合附图和具体实施例进一步说明本技术的技术方案。实施例1分别采用附图2所示内部为导流筒结构的CFDC一体化结晶装置和传统DTB型结晶装置及传统DTB型结晶装置外接细晶消除换热器三种装置形式，以真空闪蒸冷却结晶法进行氯化钴连续结晶中试实验，控制氯化钴进料浓度为300g/L(Co离子浓度)，进料温度70℃，进料量0.3m3/h，对于外接细晶消除换热器的结晶装置控制细晶消除流股循环比R＝2.5，细晶消除换热装置温度均为35℃，结晶温度33℃，停留时间3h，系统稳定时间30h后取样进行粒度分析，结果见表1。表1.氯化钴结晶实验粒度分析实施例2分别采用附图2所示内部为导流筒结构的CFDC一体化结晶装置和传统DTB型结晶装置及传统DTB型结晶装置外接细晶消除换热器三种装置形式，以真空闪蒸冷却结晶法进行硫酸钴连续结晶中试实验，控制硫酸钴进料浓度为240g/L(Co离子浓度)，进料温度80℃，进料量0.3m3/h，对于外接细晶消除换热器的结晶装置控制细晶消除流股循环比R＝2.5，细晶消除换热装置温度均为43℃，结晶温度40℃，停留时间3h，系统稳定时间30h后取样进行粒度分析，结果见表2。表2.硫酸钴结晶实验粒度分析实施例3分别采用附图3所示内部为降液管结构的CFDC一体化结晶装置和传统Oslo型结晶装置，以真空闪蒸冷却结晶法进行维生素C连续结晶中试实验，控制维生素C进料浓度为50wt％，进料温度60℃，进料量0.3m3/h，对于外接细晶消除换热器的结晶装置控制细晶消除流股循环比R＝2.5，细晶消除换热装置温度均为25℃，结晶温度20℃，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有连续细晶消除循环的一体化结晶装置，其特征在于，所述结晶装置包括进料口，出料口，汽化室，细晶消除循环区和晶体生长区，装置内设有导流筒或降液管，在细晶消除循环区内导流筒或降液管外壁与装置内壁之间设有细晶消除换热装置。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有连续细晶消除循环的一体化结晶装置，其特征在于，所述结晶装置包括进料口，出料口，汽化室，细晶消除循环区和晶体生长区，装置内设有导流筒或降液管，在细晶消除循环区内导流筒或降液管外壁与装置内壁之间设有细晶消除换热装置。


2.根据权利要求1所述的一体化结晶装置，其特征在于，所述细晶消除换热装置为换热盘管或换热板，在导流筒或降液管外壁与装置内壁之间呈两圈或多圈圆周分布，各圈换热装置间具有一定间隔形成细晶消除循环通道。


3.根据权利要求1或2所述的一体化结晶装置，其特征在于，所述结晶装置还配有搅拌器，所述搅拌器为桨式搅拌，桨叶伸入导流筒或降液管内部下端。


4....

【专利技术属性】
技术研发人员：夏君君，于会满，尹海蛟，全晓宇，刘莉，谢源圩，
申请(专利权)人：天津乐科节能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12