像素电路、有机发光二极管显示面板及终端设备制造技术

技术编号:24639274 阅读:85 留言:0更新日期:2020-06-24 15:25
本公开是关于一种像素电路、有机发光二极管显示面板及终端设备,属于显示技术领域。所述像素电路,包括像素补偿子电路,所述像素补偿子电路具有复位电压输入端,所述像素电路,还包括:运放子电路,所述运放子电路的反相输入端与输出端电连接,所述运放子电路的输出端与所述复位电压输入端电连接。在像素补偿子电路的复位电压输入端Vint上连接运放子电路,运放属于高阻态器件,输入输出电流约为0,这样就能够避免发光电流会从复位电压输入端Vint漏掉,消除屏幕闪烁。另外,漏电流减少,结果OLED器件的有效电流会上升,发光效率一定的情况下,可以降低屏幕功耗。

Pixel circuit, OLED display panel and terminal equipment

【技术实现步骤摘要】
像素电路、有机发光二极管显示面板及终端设备
本公开涉及显示
,尤其涉及一种像素电路、有机发光二极管显示面板及终端设备。
技术介绍
有源矩阵有机发光二极管(Active-matrixOrganicLightEmittingDiode,AMOLED)显示器由于它自发光的特性,与液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,LCD)相比,AMOLED具有高对比度、超轻薄、可弯曲等诸多优点。在AMOLED显示器中,由于显示面板的各部分的驱动晶体管存在的阈值漂移,会导致显示亮度差异。为了解决该问题,会在显示面板中设置像素补偿子电路。但是,目前的像素补偿子电路存在漏电流的问题,会造成AMOLED屏幕闪烁。
技术实现思路
本公开提供一种像素电路、有机发光二极管显示面板及终端设备,能够减小漏电流,消除屏幕闪烁。一方面,提供一种像素电路,包括像素补偿子电路,所述像素补偿子电路具有复位电压输入端,所述像素电路,还包括:运放子电路,所述运放子电路的反相输入端与输出端电连接,所述运放子电路的输出端与所述复位电压输入端电连接。在本公开实施例中,在像素补偿子电路的复位电压输入端Vint上连接运放子电路,运放属于高阻态器件,输入输出电流约为0,这样就能够避免发光电流会从复位电压输入端Vint漏掉,消除屏幕闪烁。另外,漏电流减少,结果OLED器件的有效电流会上升,发光效率一定的情况下,可以降低屏幕功耗。同时,运放子电路的反相输入端与输出端电连接,实现短路,这样运放的同相输入端、反相输入端和输出端的电压相等,保证复位电压的正常输入。在本公开实施例的一种实现方式中,所述运放子电路包括单级运算放大器。在该实现方式中,运放子电路采用单级运放实现,首先单级运放能够解决像素补偿子电路漏电的问题,其次,只采用单级运放,结构简单,在面板上占用的面积小,有利于高分辨率面板的实现。在本公开实施例的一种实现方式中,所述单级运算放大器由至少4个晶体管电连接而成。由于在AMOLED显示面板中,像素补偿子电路是采用晶体管制作而成的,为了便于运放子电路的制作,这种情况下运放子电路也采用晶体管制作,设计和制作更方便。在本公开实施例的一种实现方式中,所述单级运算放大器包括四个晶体管:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管;所述第一晶体管的栅极为输入端,所述第一晶体管的源极与所述第二晶体管的源极、所述第二晶体管的栅极以及所述第四晶体管的栅极电连接,所述第一晶体管的漏极与所述第三晶体管的源极均为低电平输入端,所述第二晶体管的漏极与所述第四晶体管的源极均为高电平输入端,所述第四晶体管的漏极与所述第三晶体管的漏极以及所述第三晶体管的栅极电连接,所述第三晶体管的栅极为输出端。在该实现方式中,通过四个晶体管按照上述方式连接,能够实现单级运算放大器的功能。在本公开实施例的一种实现方式中,所述像素补偿子电路为7T1C像素补偿子电路,T为晶体管,C为电容。在该实现方式中,采用7T1C像素补偿子电路可以保证阈值补偿效果。在本公开实施例的一种实现方式中,所述晶体管为LTPSTFT。由于AMOLED为电流驱动器件,而LTPS的电子迁移率较高,更加适用于AMOLED。在本公开实施例的一种实现方式中,所述低温多晶硅薄膜晶体管包括:层叠设置在基板上的缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极、绝缘层和源漏极,所述栅绝缘层和所述绝缘层上开设有过孔,所述源漏极通过所述过孔与所述有源层电连接。另一方面,还提供了一种有机发光二极管显示面板,所述有机发光二极管显示面板包括像素电路,所述像素电路包括像素补偿子电路,所述像素补偿子电路具有复位电压输入端,所述像素电路,还包括:运放子电路,所述运放子电路的反相输入端与输出端电连接,所述运放子电路的输出端与所述复位电压输入端电连接。在本公开实施例的一种实现方式中,所述运放子电路包括单级运算放大器。在本公开实施例的一种实现方式中,所述单级运算放大器由至少4个晶体管电连接而成。在本公开实施例的一种实现方式中,所述单级运算放大器包括四个晶体管:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管;所述第一晶体管的栅极为输入端,所述第一晶体管的源极与所述第二晶体管的源极、所述第二晶体管的栅极以及所述第四晶体管的栅极电连接,所述第一晶体管的漏极与所述第三晶体管的源极均为低电平输入端,所述第二晶体管的漏极与所述第四晶体管的源极均为高电平输入端,所述第四晶体管的漏极与所述第三晶体管的漏极以及所述第三晶体管的栅极电连接,所述第三晶体管的栅极为输出端。另一方面,还提供了一种终端设备,所述终端设备包括如前任一项所述的有机发光二极管显示面板。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。图1是本公开实施例示出的一种像素电路的结构示意图;图2示出了本公开实施例提供的一种运放子电路的电路图;图3示出了本公开实施例提供的一种像素补偿子电路的电路图;图4示出了图3中像素补偿子电路的时序图;图5示出了本公开实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图。具体实施方式这里将详细地对示例性实施例进行说明,其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时,除非另有表示,不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反,它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。图1是本公开实施例示出的一种像素电路的结构示意图。参见图1,该像素电路包括像素补偿子电路100,所述像素补偿子电路100具有复位电压输入端Vint。该像素电路还包括:运放子电路200,所述运放子电路200的反相输入端与输出端电连接,所述运放子电路200的输出端与所述复位电压输入端Vint电连接。在本公开实施例中,在像素补偿子电路100的复位电压输入端Vint上连接运放子电路200,运放属于高阻态器件,输入输出电流约为0,这样就能够避免发光电流会从复位电压输入端Vint漏掉,消除屏幕闪烁。另外,漏电流减少,结果OLED器件的有效电流会上升,发光效率一定的情况下,可以降低屏幕功耗。这里,根据运放(运算放大器)的虚断原理,运放的输入端与输出端可认为是阻抗无限大,输入到输出端的电流几乎为零,即没有电流。同时,运放子电路200的反相输入端与输出端电连接,实现短路,这样运放的同相输入端、反相输入端和输出端的电压相等,保证复位电压的正常输入。这里,根据运算放大器的虚短原理,即将运放的反相输入端与输出端直接连接时,同相输入端电压、反相输入端电压与输出端电压均相等。在本公开实施例的一种实现方式中,所述运放子电路200包括单级运算放大器。在该实现方式中,运放子电路采用单级运放实现,首先单级运放能够解决像素补偿子电路漏电的问题,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素电路,包括像素补偿子电路(100),所述像素补偿子电路(100)具有复位电压输入端,其特征在于,所述像素电路,还包括:/n运放子电路(200),所述运放子电路(200)的反相输入端与输出端电连接,所述运放子电路(200)的输出端与所述复位电压输入端电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种像素电路,包括像素补偿子电路(100),所述像素补偿子电路(100)具有复位电压输入端,其特征在于,所述像素电路,还包括:
运放子电路(200),所述运放子电路(200)的反相输入端与输出端电连接,所述运放子电路(200)的输出端与所述复位电压输入端电连接。


2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述运放子电路(200)包括单级运算放大器。


3.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述单级运算放大器包括四个晶体管:第一晶体管(T11)、第二晶体管(T12)、第三晶体管(T13)和第四晶体管(T14);所述第一晶体管(T11)的栅极为输入端,所述第一晶体管(T11)的源极与所述第二晶体管(T12)的源极、所述第二晶体管(T12)的栅极以及所述第四晶体管(T14)的栅极电连接,所述第一晶体管(T11)的漏极与所述第三晶体管(T13)的源极均为低电平输入端,所述第二晶体管(T12)的漏极与所述第四晶体管(T14)的源极均为高电平输入端,所述第四晶体管(T14)的漏极与所述第三晶体管(T13)的漏极以及所述第三晶体管(T13)的栅极电连接,所述第三晶体管(T13)的栅极为输出端。


4.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述像素补偿子电路(100)为7T1C像素补偿子电路,T为晶体管,C为电容;
所述7T1C像素补偿子电路包括:驱动晶体管(T21)、第五晶体管(T22)、第六晶体管(T23)、第七晶体管(T24)、第八晶体管(T25)、第九晶体管(T26)、第十晶体管(T27)和电容(C);
所述驱动晶体管(T21)的栅极连接所述电容(C)的一端,所述电容(C)的另一端连接高电平输入端,所述驱动晶体管(...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘颖
申请(专利权)人:北京小米移动软件有限公司
类型:新型
国别省市:北京;11

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