离子植入在线监测方法、装置、计算机设备和存储介质制造方法及图纸

本申请涉及一种离子植入在线监测方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取当前进行离子植入的晶圆的理论离子植入剂量；获取离子植入设备以所述理论离子植入剂量进行离子植入的运行参数；利用所述运行参数和所述理论离子植入剂量进行计算得到离子植入比；将所述离子植入比与预设植入比进行比较，并根据比较结果确定本次离子植入得到的晶圆产品是否异常。采用本方法利用理论离子植入剂量和设备的运行参数计算得到离子植入比，通过将植入比与预设植入比进行比较进而实现判断实际植入到晶圆中的离子植入是否存在异常，实现了在线监测，减少了对晶圆允收测试的依赖，能够准确的在离子植入阶段剔除损坏的晶圆产品，避免了资源浪费。

On line monitoring method, device, computer equipment and storage medium for ion implantation

【技术实现步骤摘要】
离子植入在线监测方法、装置、计算机设备和存储介质
本专利技术涉及离子植入
，尤其涉及一种离子植入在线监测方法、装置、计算机设备和存储介质。
技术介绍
离子植入技术在半导体制造技术中有着广泛的应用，例如现有的盘式离子植入机，请参照图1所示，靶盘10沿圆周方向均匀设置多个，晶圆置于靶盘10上，靶盘10围绕通过圆心的水平轴在圆周平面(即图1中X-Y平面内)旋转，将晶圆依次送至离子束20所在的区域，离子束20固定不动，靶盘10以1000-1500转/分钟的速度自转，同时靶盘10还以1-5英尺/秒的速度整体上下(即图1中Y方向)运动，从而离子注入到晶圆的各个位置上。在离子植入过程中，盘式离子植入机按照设定值对晶圆进行离子植入，进而得到晶圆产品。但在晶圆产品中实际离子植入剂量与设定值之间通常存在差异，并且实际离子植入剂量也直接影响产品的性能。目前，晶圆产品离子实际注入剂量测量是通常采用间接测得或者利用晶片允收测试的方式确定。一方面，间接测量受干扰的因素较多，测量不准确。另一方面，晶片允收测试的方法只能等到晶圆完成所有的制程工艺后才能进行测试，然而晶圆完成所有的制程工艺耗费时间较长，并且在离子植入后到晶圆允收试验前还需要进行其他的工艺，在离子植入时就已损坏的产品若不能及时发现，继续进行后续的工艺将造成不必要的资源浪费。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种离子植入在线监测方法、装置、计算机设备和存储介质。一种离子植入在线监测方法，所述方法包括：获取当前进行离子植入的晶圆的理论离子植入剂量；获取离子植入设备以所述理论离子植入剂量进行离子植入的运行参数；利用所述运行参数和所述理论离子植入剂量进行计算得到离子植入比；将所述离子植入比与预设植入比进行比较，并根据比较结果确定本次离子植入得到的晶圆产品是否异常。在其中一个实施例中，所述运行参数包括：靶盘上下移动次数、靶盘上下移动速度和离子束电流中的至少一种。在其中一个实施例中，所述运行参数为靶盘上下移动次数、靶盘上下移动速度和离子束电流；则所述利用所述运行参数和所述理论离子植入剂量进行计算得到离子植入比的步骤包括：将所述离子束电流与所述靶盘上下移动次数相乘，以得到第一乘积；将所述靶盘上下移动速度与所述理论离子植入剂量相乘，以得到第二乘积；将所述第一乘积与所述第二乘积的比值作为所述离子植入比。在其中一个实施例中，所述将所述离子植入比与预设植入比进行比较，并根据比较结果确定本次离子植入得到的晶圆产品是否异常的步骤包括：计算所述离子植入比与所述预设植入比的误差率；将所述误差率与预设误差率进行比较以确定所述晶圆产品是否异常。在其中一个实施例中，所述将所述误差率与预设误差率进行比较以确定所述晶圆产品是否异常的步骤包括：响应于所述误差率小于等于所述预设误差率，则所述晶圆产品正常。在其中一个实施例中，所述方法还包括：预先获取采用所述离子植入设备对多个样本晶圆进行离子植入的样本数据，其中，所述样本数据包括每一样本晶圆的理论植入剂量和离子植入设备的运行参数；根据所述样本数据设定所述预设植入比。在其中一个实施例中，所述预设植入比介于0.85至1.15之间。一种离子植入在线监测装置，包括：获取单元，计算单元和比较单元；所述获取单元，用于获取当前进行离子植入的晶圆的理论离子植入剂量；以及用于获取离子植入设备以所述理论离子植入剂量进行离子植入的运行参数；所述计算单元，用于利用所述运行参数和所述理论离子植入剂量进行计算得到离子植入比；所述比较单元，用于将所述离子植入比与预设植入比进行比较，以及根据比较结果确定本次离子植入得到的晶圆产品是否异常。一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以上所述方法的步骤。一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以上所述的方法的步骤。上述离子植入在线监测方法、装置、计算机设备和存储介质，利用离子植入设备的理论离子植入剂量和设备的运行参数计算得到离子植入比，通过将植入比与预设植入比进行比较进而实现判断实际植入到晶圆中的离子植入是否存在异常，实现了在线监测，减少了对晶圆允收测试的依赖，能够准确的在离子植入阶段剔除损坏的晶圆产品，避免了资源浪费。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的实施例。图1为盘式离子植入机结构示意图；图2为一个实施例提供的一种离子植入在线监测方法的流程示意图；图3为采用离子植入作为参数得到的统计过程控制曲线图；图4为另一个实施例提供的离子植入在线监测装置的结构示意图；图5为又一个实施例提供的计算设备的内部结构图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本专利技术实施例进一步详细说明。需要说明的是，本专利技术实施例中所有使用“第一”和“第二”的表述均是为了区分两个相同名称非相同的实体或者非相同的参量，可见“第一”“第二”仅为了表述的方便，不应理解为对本专利技术实施例的限定，后续实施例对此不再一一说明。在一个实施例中，请参照图2所示，提供了一种离子植入在线监测方法，具体的该方法包括以下步骤：S200，获取当前进行离子植入的晶圆的理论离子植入剂量。其中，离子植入剂量是指离子植入设备设定的植入剂量值，不同程式晶圆的理论植入剂量不同，同程式时晶圆的理论植入剂量是相同的。S400，获取离子植入设备以理论离子植入剂量进行离子植入的运行参数。其中，离子植入设备可以是盘式离子植入机或其它的离子植入机，运行参数可以是离子植入机的现有控制参数，例如运动的速度、注入时间，移动轨迹等。S600，利用运行参数和理论离子植入剂量进行计算得到离子植入比；其中，离子植入比是指实际离子注入剂量与理论离子植入剂量的比值。S800，将离子植入比与预设植入比进行比较，并根据比较结果确定本次离子植入得到的晶圆产品是否异常。其中，晶圆产品是通过离子植入设备对晶圆进行离子植入后得到的产品，预设植入比是常数，在实际使用过程中常数的数值依据操作人员的经验或者测试的方式设置。上述离子植入在线监测方法利用离子植入设备的理论离子植入剂量和设备的运行参数计算得到离子植入比，通过将植入比与预设植入比进行比较进而实现判断实际植入到晶圆中的离子植入是否存在异常，实现了在线监测，减少了对晶圆允收测试的依赖，能够准确的在离子植入阶段剔除损坏的晶圆产品，避免了资源浪费。在一个实施例中，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子植入在线监测方法，其特征在于，所述方法包括：/n获取当前进行离子植入的晶圆的理论离子植入剂量；/n获取离子植入设备以所述理论离子植入剂量进行离子植入的运行参数；/n利用所述运行参数和所述理论离子植入剂量进行计算得到离子植入比；/n将所述离子植入比与预设植入比进行比较，并根据比较结果确定本次离子植入得到的晶圆产品是否异常。/n

【技术特征摘要】
1.一种离子植入在线监测方法，其特征在于，所述方法包括：
获取当前进行离子植入的晶圆的理论离子植入剂量；
获取离子植入设备以所述理论离子植入剂量进行离子植入的运行参数；
利用所述运行参数和所述理论离子植入剂量进行计算得到离子植入比；
将所述离子植入比与预设植入比进行比较，并根据比较结果确定本次离子植入得到的晶圆产品是否异常。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述运行参数包括：靶盘上下移动次数、靶盘上下移动速度和离子束电流中的至少一种。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述运行参数为靶盘上下移动次数、靶盘上下移动速度和离子束电流；
则所述利用所述运行参数和所述理论离子植入剂量进行计算得到离子植入比的步骤包括：
将所述离子束电流与所述靶盘上下移动次数相乘，以得到第一乘积；
将所述靶盘上下移动速度与所述理论离子植入剂量相乘，以得到第二乘积；
将所述第一乘积与所述第二乘积的比值作为所述离子植入比。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述离子植入比与预设植入比进行比较，并根据比较结果确定本次离子植入得到的晶圆产品是否异常的步骤包括：
计算所述离子植入比与所述预设植入比的误差率；
将所述误差率与预设误差率进行比较以确定所述晶圆产品是否异常。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述将所述误差率与预...

【专利技术属性】
技术研发人员：王智权，滕庚烜，
申请(专利权)人：和舰芯片制造苏州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32