过滤装置及过滤系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种过滤装置，包括：壳体，所述壳体被第一端盖及第二端盖所封闭，所述第一端盖包括进液口，所述第二端盖包括出液口；以及多个过滤片，设于所述壳体的内侧壁，所述多个过滤片的一部份与另一部份相互交错以在所述壳体内形成曲折流路。

Filter unit and filter system

【技术实现步骤摘要】
过滤装置及过滤系统
本专利技术涉及一种半导体制造领域，尤其涉及一种用于过滤晶圆蚀刻过程所用液体的过滤装置。
技术介绍
当使用湿蚀刻法来剥离氮化硅时，蚀刻液中的二氧化硅浓度会增加，因而降低蚀刻液对氮化硅的选择性。为了确保半导体晶圆的质量，在每一批量处理后，会排放掉一半或全部蚀刻液。平均来说，更换所有蚀刻液会花费30分钟。排放或更换蚀刻液会增加制程成本以及停机时间。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种过滤蚀刻液的过滤装置。另，还有必要提供一种具有所述过滤装置的过滤系统。本专利技术提供一种过滤装置，包括：壳体，所述壳体被第一端盖及第二端盖所封闭，所述第一端盖包括进液口，所述第二端盖包括出液口；以及多个过滤片，设于所述壳体的内侧壁，所述多个过滤片的一部份与另一部份相互交错以在所述壳体内形成曲折流路在本专利技术一些实施方式中，每一所述多个过滤片垂直于所述内侧壁。在本专利技术一些实施方式中，每一所述多个过滤片与所述内侧壁具有范围介于0度至90度的夹角。在本专利技术一些实施方式中，每一所述多个过滤片包括用于捕捉二氧化硅的半导体图案，所述半导体图案具有从每一所述多个过滤片的一侧延伸的刷状结构。本专利技术还提供一种过滤系统，包括：晶圆处理模块；以及至少一过滤装置，连接至所述晶圆处理模块。所述至少一过滤装置包括：壳体，所述壳体被第一端盖及第二端盖所封闭，所述第一端盖包括进液口，所述第二端盖包括出液口；以及多个过滤片，设于所述壳体的内侧壁，其特征在于，所述多个过滤片的一部份与另一部份相互交错以在所述壳体内形成曲折流路。在本专利技术一些实施方式中，所述过滤系统进一步包括：第一阀，连接至所述晶圆处理模块的液体输出口；以及第二阀，连接至所述晶圆处理模块的液体输入口。在本专利技术一些实施方式中，所述至少一过滤装置的所述进液口被设置从所述第一阀接收液体，所述至少一过滤装置的所述出液口被设置来供应滤液至所述第二阀。在本专利技术一些实施方式中，所述第一阀与所述第二阀为三通阀。在本专利技术一些实施方式中，所述晶圆处理模块包括：蚀刻机；加热器，连接至所述液体输入口；浓度计，设置于所述加热器与所述蚀刻机之间；以及泵，设置于所述蚀刻机与所述液体输出口之间。在本专利技术一些实施方式中，所述过滤系统进一步包括：液体供应装置，连接至所述至少一过滤装置，用于供应清洗剂；以及排出口，用于收集所述清洗剂。相较于现有技术，本专利技术提供的过滤系统不仅可以过滤蚀刻液中的化学物，更允许湿蚀刻工艺与过滤工艺同步进行，减少更换蚀刻液的次数以及数量。如此，可以降低因更换蚀刻液造成的停机时间以及提高晶圆制备良率。附图说明图1A为本专利技术实施方式提供过滤装置的结构示意图。图1B为过滤装置的侧视剖面示意图。图1C为本专利技术实施方式提供具有倾斜过滤片的过滤装置侧视剖面示意图。图1D为过滤装置中曲折流路的示意图。图2A为过滤系统在第一模式下运作的示意图图2B为过滤系统在第二模式下运作的示意图图2C为过滤系统在第三模式下运作的示意图主要元件符号说明过滤装置100,100a,100b壳体110内侧壁111第一端盖112第二端盖113过滤片120基板121主干122刷毛状数组123进液口151出液口152进气口153出气口154二氧化硅190曲折流路191过滤系统200晶圆处理模块210蚀刻机211浓度计212加热器213泵214控制组件215液体输出口216液体输入口217阀221,222,223,224,225,226,227排出口230液体供应装置240如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式下面将结合具体实施例及附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅是本专利技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护的范围。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。在本专利技术的实施方式的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术的实施方式和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的实施方式的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的实施方式的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。请参阅图1A，本专利技术实施方式提供一种过滤装置100。本实施方式中，所述过滤装置100包括壳体110、第一端盖112、第二端盖113，以及多个过滤片120。所述第一端盖112封闭所述壳体110的一端，所述第二端盖113封闭所述壳体110的另一端。所述壳体110、所述第一端盖112以及所述第二端盖113可采用聚四氟乙烯(PTFE，商标名为铁氟龙)制成。所述壳体110具有管状结构。所述第一端盖112具有进液口151，所述第二端盖113具有出液口152。在一些实施方式中，所述第一端盖112进一步具有进气口153，所述第二端盖113进一步具有出气口154。请参阅图1B，其为所述过滤装置100的侧视剖面示意图。所述多个过滤片120设置于所述壳体110的内侧壁111，以形成曲折流路191。具体地，所述多个过滤120片的一部份与另一部份相互交错以在所述壳体110内形成所述曲折流路191，举例来说，设置在所述内侧壁111上端的过滤120片与设置在所述内侧壁111下端的过滤120片依序相互交错。在一些实施方式中，每一所述多个过滤片120垂直于所述内侧壁111。继续参阅图1B，每一所述多个过滤片120包括从所述内侧壁111沿垂直方向延伸的基板121。半导体图案设置在所述基板121的一表面，所述表面朝向所述第一端盖112。图1B放大所述半导体图案的大小以利说明。所述半导体图案具有刷状结构，所述刷状结构包括主干122及刷毛状数组123。所述主干122及所述刷毛状数组123可采用氧化物材料制成。在一些范例中，所述基板121的双面皆具有前述半导体图案。在一些实施方式中，液体从所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过滤装置，其特征在于，包括：/n壳体，所述壳体被第一端盖及第二端盖所封闭，所述第一端盖包括进液口，所述第二端盖包括出液口；以及/n多个过滤片，设于所述壳体的内侧壁，其特征在于，所述多个过滤片的一部份与另一部份相互交错以在所述壳体内形成曲折流路。/n

【技术特征摘要】
20181213 US 62/7789251.一种过滤装置，其特征在于，包括：
壳体，所述壳体被第一端盖及第二端盖所封闭，所述第一端盖包括进液口，所述第二端盖包括出液口；以及
多个过滤片，设于所述壳体的内侧壁，其特征在于，所述多个过滤片的一部份与另一部份相互交错以在所述壳体内形成曲折流路。


2.如权利要求1所述的过滤装置，其特征在于，每一所述多个过滤片垂直于所述内侧壁。


3.如权利要求1所述的过滤装置，其特征在于，每一所述多个过滤片与所述内侧壁具有范围介于0度至90度的夹角。


4.如权利要求1所述的过滤装置，其特征在于，每一所述多个过滤片包括用于捕捉二氧化硅的半导体图案，所述半导体图案具有从每一所述多个过滤片的一侧延伸的刷状结构。


5.一种过滤系统，其特征在于，包括：
晶圆处理模块；以及
至少一过滤装置，连接至所述晶圆处理模块，所述至少一过滤装置包括：
壳体，所述壳体被第一端盖及第二端盖所封闭，所述第一端盖包括进液口，所述第二端盖包括出液口；以及
多个过滤片...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔相龙，南昌铉，吕寅准，
申请(专利权)人：夏泰鑫半导体青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37