一种二极管软度测试装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于半导体测量技术领域，具体涉及一种二极管软度测试装置。包括开关电源、CPU以及与CPU连接的驱动单元，开关电源一端连接外部电源，另一端连接至驱动单元和CPU，驱动单元还依次连接有电阻R11和MOS管Q3，驱动单元经电阻R11连接至MOS管Q3的栅极，MOS管Q3的漏极依次串接有电感L和直流电源模组，MOS管Q3源极接地，电感L两端并联有相互串联的取样电阻R10和待测二极管。用于解决根据Trr特性测试的装置无法测试出二极管的反向抽出电流曲线特性的问题。

A device for measuring diode softness

【技术实现步骤摘要】
一种二极管软度测试装置
本技术属于半导体测量
，具体涉及一种二极管软度测试装置。
技术介绍
快恢复二极管反向恢复时间Trr是一个极其重要的参数，它直接影响到产品的使用领域和应用中的可靠性。反向恢复时间Trr一直是产品设计开发人员和产品应用人员研究的重要参数。目前国内主流测试二极管反向恢复时间Trr方案是IF＝0.5A,IR＝1A,RL＝1R的方案。随着技术人员对二极管反向恢复时间Trr研究的进一步深入并结合产品实际使用中遇到的一些应用可靠性问题，引出了二极管软度的概念。用IF＝0.5A,IR＝1A,RL＝1R的方案测试不能完全反应产品在应用中的实际情况，由于测试时IF＝0.5A是固定的，而现在生产的快恢复产品的品种非常多，从1A到50A都有，如果用IF＝0.5A测试大电流的快恢复二极管不能反映该产品的反向恢复时间Trr实际值；IF＝0.5A,IR＝1A,RL＝1R的方案没有对反向抽出电流di/dt给出指标，而同一款快恢复二极管在不同的反向抽出电流di/dt测试条件下反向恢复时间Trr值也是不同的。由于快恢复二极管应用于高频整流时，二极管由导通到截止，反向电流恢复到零点的时间与结的少子消失速度和曲线有关。其中单纯少子消失速度快,因而迅速恢复到零点的称为硬恢复特性，这种快恢复二极管在变压器漏感和结电容,分布电容的谐振下，会产生远比所加反向高的尖峰电压,因此干扰输出及电路本身,还会危害负载及自身安全，软恢复二极管截止时，截止前拖尾时间较长,较大程度消耗了漏感和结电容,分布电容的谐振峰压,从而提高了产品应用的可靠性，然而通过Trr特性测试没有办法进一步测出二极管的此种特性，所以存在选择Trr参数一致的二极管进行应用时，可能仍会存在产生不一样的效果，导致整个电路失效。目前市场上均是针对二极管的Trr特性进行测量的装置，缺少测试二极管软度特性的装置，不能针对依据该特性有效的选择产品以满足应用要求。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于克服现有技术的不足，提供一种二极管软度测试装置，用于解决根据Trr特性测试的装置无法测试出二极管的反向抽出电流曲线特性的问题。本技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种二极管软度测试装置，包括开关电源、CPU以及与所述CPU连接的驱动单元，所述开关电源一端连接外部电源，另一端连接至所述驱动单元和CPU，所述驱动单元还依次连接有电阻R11和MOS管Q3，所述驱动单元经所述电阻R11连接至所述MOS管Q3的栅极，所述MOS管Q3的漏极依次串接有电感L和直流电源模组，所述MOS管Q3源极接地，所述电感L两端并联有相互串联的取样电阻R10和待测二极管。进一步地，所述驱动单元包括MOS管Q1、MOS管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6和电阻R7，所述MOS管Q1栅极分别连接所述电阻R1和CUP，所述电阻R1另一端连接所述开关电源正极，所述MOS管Q1的漏极连接所述MOS管Q2的栅极，且所述MOS管Q1的漏极还经所述电阻R2连接至所述开关电源的正极，所述电阻R3与电阻R4并联之后一端连接至所述开关电源的正极，另一端串联上相互并联的所述电阻R5、电阻R6和电阻R7之后连接至所述MOS管Q2的漏极，所述MOS管Q2的漏极还连接至所述MOS管Q3的栅极，所述MOS管Q1和MOS管Q2的源极均接地。进一步地，所述直流电源模组包括直流电源及并联在所述直流电源两端的相互串联的电容C1和电容C2，所述直流电源正极连接所述电感L，且直流电源负极接地，所述直流电源两端还并联有相互串联的电阻R8和电阻R9。进一步地，所述开关电源和CPU之间还连接有稳压器。进一步地，所述CPU还连接有显示单元和测试按钮。本技术的有益效果是：依据反向恢复时间Trr参数特性对二极管性能的体现，进一步细化测绘出二极管的反向抽出电流特性曲线的数值，根据曲线拖尾长短可以进一步判断二极管的软硬程度，即进一步根据其消耗了漏感和结电容,分布电容的谐振峰压的程度,来判断二极管的性能，达到满足不同应用方向及领域对二极管软度的要求，增加二极管在产品应用中的可靠性。附图说明为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术具体实施例所述的整体电路示意图；图2为本技术具体实施例所述的CPU整体示意图；图3为本技术具体实施例所述的驱动单元内部连接示意图；图4为本技术具体实施例所述的直流电源模组内部连接示意图；图5为本技术所述的Trr测试的波形示意图；图6为本技术所述的软度测试的波形示意图；图7为本技术具体实施例所述的双脉冲信号波形示意图。附图标记：1-开关电源；2-CPU；3-驱动单元；4-直流电源模组；5-稳压器；6-显示单元。具体实施方式下面将结合附图对本技术技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案，因此只作为示例，而不能以此来限制本技术的保护范围。需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域技术人员所理解的通常意义。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。实施例如图1-7所示，本技术所提供的一种二极管软度测试装置，包括开关电源、CPU以及与CPU连接的驱动单元，其中CPU由AT89S52微处理器及外围电路组成，驱动单元连接AT89S52微处理器的21号引脚，开关电源一端连接外部220V交流电源，另一端连接至驱动单元和CPU，将外部220V交流电源转为12V直流电源供驱动单元使用，具体开关电源通过型号为7805的稳压器连接至AT89S52的40号引脚，利用稳压器将12V直流电源转化为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二极管软度测试装置，其特征在于：包括开关电源、CPU以及与所述CPU连接的驱动单元，所述开关电源一端连接外部电源，另一端连接至所述驱动单元和CPU，所述驱动单元还依次连接有电阻R11和MOS管Q3，所述驱动单元经所述电阻R11连接至所述MOS管Q3的栅极，所述MOS管Q3的漏极依次串接有电感L和直流电源模组，所述MOS管Q3源极接地，所述电感L两端并联有相互串联的取样电阻R10和待测二极管。/n

【技术特征摘要】
1.一种二极管软度测试装置，其特征在于：包括开关电源、CPU以及与所述CPU连接的驱动单元，所述开关电源一端连接外部电源，另一端连接至所述驱动单元和CPU，所述驱动单元还依次连接有电阻R11和MOS管Q3，所述驱动单元经所述电阻R11连接至所述MOS管Q3的栅极，所述MOS管Q3的漏极依次串接有电感L和直流电源模组，所述MOS管Q3源极接地，所述电感L两端并联有相互串联的取样电阻R10和待测二极管。


2.根据权利要求1所述的一种二极管软度测试装置，其特征在于：所述驱动单元包括MOS管Q1、MOS管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6和电阻R7，所述MOS管Q1栅极分别连接所述电阻R1和CUP，所述电阻R1另一端连接所述开关电源正极，所述MOS管Q1的漏极连接所述MOS管Q2的栅极，且所述MOS管Q1的漏极还经所述电阻R2连接至所...

【专利技术属性】
技术研发人员：时福巧，陈荣洲，
申请(专利权)人：扬州国宇电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32