一种内嵌式触摸屏、其触控检测方法及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种内嵌式触摸屏、其触控检测方法及显示装置，由于开关晶体管被配置为在手指触控模式下处于截止状态，且在激光触控模式下的初始状态为亚阈状态，并在激光照射下因滤镜的存在由亚阈状态变换为导通状态，从而使得在手指触控和激光触控两触控模式下与各开关晶体管一一对应耦接的自电容电极上的信号变化不同，进而可实现手指触控检测和激光触控检测两种触控模式。因此，本发明专利技术提供了一种兼容手指触控和激光触控的新型触控产品。

An embedded touch screen, its touch detection method and display device

【技术实现步骤摘要】
一种内嵌式触摸屏、其触控检测方法及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种内嵌式触摸屏、其触控检测方法及显示装置。
技术介绍
内嵌式触控(Fullincelltouch)显示技术将显示与触控合二为一，产品更轻薄，成本更低。目前，内嵌式触控显示产品大部分都使用自容式架构，即显示(AA)区包括多个自电容电极，驱动芯片在触控时间(V-blanking)段输出方波信号，对自电容电极充电，并同时检测自电容电极的信号变化，最终通过运算，定位发生触控的坐标。然而，如上所述，相关内嵌式触控显示产品是一种较统一的自容式系统架构，亟需衍生出新的触控产品。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种内嵌式触摸屏、其触控检测方法及显示装置，用以提供一种兼容激光触控与手指触控的新型触控产品。因此，本专利技术实施例提供的一种内嵌式触摸屏，包括：相对而置的阵列基板和对向基板，所述阵列基板面向所述对向基板的一侧设置有多个开关晶体管、以及与各所述开关晶体管一一对应耦接的多个自电容电极，所述对向基板面向所述阵列基板的一侧设置有黑矩阵和嵌入所述黑矩阵的滤镜；各所述开关晶体管的部分沟道区与所述滤镜相互重叠，其余部分所述沟道区与所述黑矩阵相互重叠；所述开关晶体管，被配置为在手指触控模式下处于截止状态，且在激光触控模式下的初始状态为亚阈状态；所述滤镜，被配置为选择性透过激光笔发出的激光，使得所述开关晶体管在激光照射下由亚阈状态变换为导通状态。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供上述内嵌式触摸屏中，所述黑矩阵具有多个网格构成的网状结构，所述滤镜与所述网格的边界接触。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供上述内嵌式触摸屏中，各所述自电容电极复用为公共电极。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供上述内嵌式触摸屏中，还包括：触控侦测芯片；所述触控侦测芯片，被配置为在所述手指触控模式或所述激光触控模式下，根据所述自电容电极上的信号变化判断触控位置。基于同一专利技术构思，本专利技术实施例还提供了一种上述内嵌式触摸屏的触控检测方法，包括：在触控时间段，接收切换为手指触控模式或激光触控模式的指令；在所述手指触控模式下，控制开关晶体管处于截止状态，并对各自电容电极加载驱动信号，以根据各自电容电极上的第一信号变化判断手指触控位置；在所述激光触控模式下，控制所述开关晶体管的初始状态为亚阈状态，并使得所述开关晶体管在受到激光笔发出激光的照射时处于导通状态，对各所述自电容电极加载所述驱动信号，以根据各所述自电容电极上的第二信号变化判断激光触控位置。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述触控检测方法中，所述控制开关晶体管处于截止状态，具体包括：对所述开关晶体管的栅极加载第一调制信号，所述第一调制信号的高电平小于0V，所述第一调制信号的低电平为所述开关晶体管的关断电压。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述触控检测方法中，所述控制所述开关晶体管处于亚阈状态，具体包括：对所述开关晶体管的栅极加载第二调制信号，所述第二调制信号的高电平小于0V，所述第二调制信号的低电平大于所述第一调制信号的低电平。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述触控检测方法中，在根据各自电容电极上的信号变化判断手指触控位置或激光触控位置之前，还包括：对各所述自电容电极上的信号变化进行放大。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述触控检测方法中，所述接收切换为手指触控模式或激光触控模式的指令，具体包括：在接收到激光笔打开的信号时，开启激光触控模式；并在接收到所述激光笔关闭的信号时，开启手指触控模式。基于同一专利技术构思，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括：上述内嵌式触摸屏。本专利技术有益效果如下：本专利技术实施例提供的一种内嵌式触摸屏、其触控检测方法及显示装置，包括：相对而置的阵列基板和对向基板，阵列基板面向对向基板的一侧设置有多个开关晶体管、以及与各开关晶体管一一对应耦接的多个自电容电极，对向基板面向阵列基板的一侧设置有黑矩阵和嵌入黑矩阵的滤镜；各开关晶体管的部分沟道区与滤镜相互重叠，其余部分沟道区与黑矩阵相互重叠；开关晶体管，被配置为在手指触控模式下处于截止状态，且在激光触控模式下的初始状态为亚阈状态；滤镜，被配置为选择性透过激光笔发出的激光，使得开关晶体管在激光照射下由亚阈状态变换为导通状态。由于开关晶体管被配置为在手指触控模式下处于截止状态，且在激光触控模式下的初始状态为亚阈状态，并在激光照射下因滤镜的存在由亚阈状态变换为导通状态，从而使得在手指触控和激光触控两触控模式下与各开关晶体管一一对应耦接的自电容电极上的信号变化不同，进而可实现手指触控检测和激光触控检测两种触控模式。因此，本专利技术提供了一种兼容手指触控和激光触控的新型触控产品。附图说明图1为本专利技术实施例提供的内嵌式触摸屏的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的内嵌式触摸屏的触控检测方法的流程图；图3为相关技术中内嵌式触摸屏的工作时序图；图4为本专利技术实施例提供的内嵌式触摸屏的工作时序图；图5为本专利技术实施例提供的内嵌式触摸屏在手指触控模式下的工作原理示意图；图6为本专利技术实施例提供的内嵌式触摸屏在激光触控模式下的工作原理示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。附图中各膜层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。本专利技术实施例提供的一种内嵌式触摸屏，如图1所示，包括：相对而置的阵列基板001和对向基板002，阵列基板001面向对向基板002的一侧设置有多个开关晶体管101、以及与各开关晶体管101一一对应耦接的多个自电容电极102，对向基板002面向阵列基板001的一侧设置有黑矩阵201和嵌入黑矩阵201的滤镜202；具体地，各开关晶体管101包括栅极1011、源极1012、漏极1013和有源层1014，有源层1014包括与源极1012接触的第一接触区、与漏极1013接触的第二接触本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种内嵌式触摸屏，其特征在于，包括：相对而置的阵列基板和对向基板，所述阵列基板面向所述对向基板的一侧设置有多个开关晶体管、以及与各所述开关晶体管一一对应耦接的多个自电容电极，所述对向基板面向所述阵列基板的一侧设置有黑矩阵和嵌入所述黑矩阵的滤镜；/n各所述开关晶体管的部分沟道区与所述滤镜相互重叠，其余部分所述沟道区与所述黑矩阵相互重叠；/n所述开关晶体管，被配置为在手指触控模式下处于截止状态，且在激光触控模式下的初始状态为亚阈状态；/n所述滤镜，被配置为选择性透过激光笔发出的激光，使得所述开关晶体管在激光照射下由亚阈状态变换为导通状态。/n

【技术特征摘要】
1.一种内嵌式触摸屏，其特征在于，包括：相对而置的阵列基板和对向基板，所述阵列基板面向所述对向基板的一侧设置有多个开关晶体管、以及与各所述开关晶体管一一对应耦接的多个自电容电极，所述对向基板面向所述阵列基板的一侧设置有黑矩阵和嵌入所述黑矩阵的滤镜；
各所述开关晶体管的部分沟道区与所述滤镜相互重叠，其余部分所述沟道区与所述黑矩阵相互重叠；
所述开关晶体管，被配置为在手指触控模式下处于截止状态，且在激光触控模式下的初始状态为亚阈状态；
所述滤镜，被配置为选择性透过激光笔发出的激光，使得所述开关晶体管在激光照射下由亚阈状态变换为导通状态。


2.如权利要求1所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，所述黑矩阵具有多个网格构成的网状结构，所述滤镜与所述网格的边界接触。


3.如权利要求1所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，各所述自电容电极复用为公共电极。


4.如权利要求1-3任一项所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，还包括：触控侦测芯片；
所述触控侦测芯片，被配置为在所述手指触控模式或所述激光触控模式下，根据所述自电容电极上的信号变化判断触控位置。


5.一种如权利要求1-4任一项所述的内嵌式触摸屏的触控检测方法，其特征在于，包括：
在触控时间段，接收切换为手指触控模式或激光触控模式的指令；
在所述手指触控模式下，控制开关晶体管处于截止状态，并对各自电容电极加载驱动信号，以根据各自电容电极上的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张郑欣，宋勇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11