像素电极及液晶显示面板制造技术

本发明专利技术提供一种像素电极及液晶显示面板，像素电极包括主干电极、分支电极以及侧边电极，主干电极包括呈十字形状设置的第一主干电极和第二主干电极；侧边电极包括第一侧边电极、第二侧边电极、第三侧边电极以及第四侧边电极，第一侧边电极和第二侧边电极分别连接于第一主干电极的两端，第三侧边电极和第四侧边电极分别位于第一侧边电极和第二侧边电极远离分支电极的一侧；第一侧边电极及第二侧边电极分别与第一主干电极的相接处设置有缺口，缺口位于第一侧边电极和第二侧边电极远离分支电极的一侧，使得位于像素边界处的部分液晶分子具有相反的配向方向，不受彼此干扰，有效改善像素边界暗纹，提高穿透率。

【技术实现步骤摘要】
像素电极及液晶显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种像素电极及液晶显示面板。
技术介绍
多畴垂直配向式(multi-domainverticallyalignment，MVA)液晶显示器凭借高对比和广视角的优势在大尺寸液晶显示中得到了广泛的应用，随着屏幕尺寸向大屏化的演化，八畴的像素电极设计以其优异的视角表现而在大尺寸显示器中受到重视，然而八畴像素电极在配向过程中，对于位于像素边界处的液晶分子而言，由于像素边界处同时存在来自主干电极与次像素电极的侧边电极的驱动力，使得该处的液晶分子取向控制效果差，当位于其中一个方向的配向力大于另一相反方向的配向力时，会导致该处的部分液晶分子会朝相反方向倾倒，实际倾倒方向与理想方向相反，从而产生暗纹并损失了穿透率。综上所述，需要提供一种新的像素电极及液晶显示面板，来解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术提供的像素电极及液晶显示面板，解决了现有的像素电极由于位于像素边界处的部分液晶分子进行配向时，其倾倒方向与理想方向相反，导致产生暗纹、损失穿透率的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术实施例提供一种像素电极，包括：主干电极，包括呈十字形状设置的第一主干电极和第二主干电极；分支电极，与所述主干电极连接，所述分支电极和所述主干电极之间具有夹角；以及侧边电极，包括第一侧边电极、第二侧边电极、第三侧边电极以及第四侧边电极，所述第一侧边电极和所述第二侧边电极分别连接于所述第一主干电极的两端，所述第三侧边电极和所述第四侧边电极分别位于所述第一侧边电极和所述第二侧边电极远离所述分支电极的一侧；其中，所述第一侧边电极及所述第二侧边电极分别与所述第一主干电极的相接处设置有缺口，所述缺口位于所述第一侧边电极和所述第二侧边电极远离所述分支电极的一侧。根据本专利技术实施例提供的像素电极，所述第三侧边电极和所述第四侧边电极对应所述缺口的位置设置有凸起，所述凸起位于所述第三侧边电极和所述第四侧边电极靠近所述分支电极的一侧。根据本专利技术实施例提供的像素电极，所述凸起的轴线、所述缺口的轴线以及所述第一主干电极的延伸方向的轴线共线。根据本专利技术实施例提供的像素电极，所述凸起的形状和所述缺口的形状对应。根据本专利技术实施例提供的像素电极，所述像素电极还包括多条与所述分支电极相互间隔排列且相互平行的狭缝，其中，所述缺口的侧边平行于所述狭缝的延伸方向。根据本专利技术实施例提供的像素电极，所述缺口的形状为三角形或梯形。根据本专利技术实施例提供的像素电极，所述像素电极包括主像素电极和次像素电极；所述主像素电极包括所述第一主干电极、所述第二主干电极、所述第一侧边电极以及所述第二侧边电极；所述次像素电极包括与所述第一主干电极平行设置的第三主干电极、与所述第三主干电极呈十字形状交叉设置的第四主干电极、所述第三侧边电极以及所述第四侧边电极，所述第三侧边电极和所述第四侧边电极分别连接于所述第三主干电极的两端并沿所述次像素电极指向所述主像素电极的方向延伸，所述三侧边电极和所述第四侧边电极分别和所述第一侧边电极及所述第二侧边电极之间设置有空隙，所述空隙与所述缺口连通。根据本专利技术实施例提供的像素电极，所述空隙的宽度分别沿所述第一侧边电极和所述第二侧边电极两端至靠近所述第一主干电极的方向递减。根据本专利技术实施例提供的像素电极，所述像素电极还包括控制组件，所述控制组件设置于所述主像素电极远离所述次像素电极的一侧，所述控制组件分别与所述主像素电极和所述次像素电极电性连接。本专利技术实施例提供一种液晶显示面板，包括上述像素电极。本专利技术的有益效果为：本专利技术提供的像素电极及液晶显示面板，通过在第一侧边电极及第二侧边电极分别与第一主干电极的相接处设置有缺口，使得位于此像素边界处相对于第一主干电极上下两侧的液晶分子进行液晶配向时，能够保持相反的配向方向，不受彼此干扰，从而达到理想的倾倒方向，可有效改善像素边界暗纹，提高穿透率。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种像素电极的平面结构示意图；图2为图1中A区域的放大示意图；图3为本专利技术实施例提供的另一种像素电极的平面结构示意图；图4为图3中B区域的放大示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素电极，其特征在于，包括：/n主干电极，包括呈十字形状设置的第一主干电极和第二主干电极；/n分支电极，与所述主干电极连接，所述分支电极和所述主干电极之间具有夹角；以及/n侧边电极，包括第一侧边电极、第二侧边电极、第三侧边电极以及第四侧边电极，所述第一侧边电极和所述第二侧边电极分别连接于所述第一主干电极的两端，所述第三侧边电极和所述第四侧边电极分别位于所述第一侧边电极和所述第二侧边电极远离所述分支电极的一侧；/n其中，所述第一侧边电极及所述第二侧边电极分别与所述第一主干电极的相接处设置有缺口，所述缺口位于所述第一侧边电极和所述第二侧边电极远离所述分支电极的一侧。/n

【技术特征摘要】
1.一种像素电极，其特征在于，包括：
主干电极，包括呈十字形状设置的第一主干电极和第二主干电极；
分支电极，与所述主干电极连接，所述分支电极和所述主干电极之间具有夹角；以及
侧边电极，包括第一侧边电极、第二侧边电极、第三侧边电极以及第四侧边电极，所述第一侧边电极和所述第二侧边电极分别连接于所述第一主干电极的两端，所述第三侧边电极和所述第四侧边电极分别位于所述第一侧边电极和所述第二侧边电极远离所述分支电极的一侧；
其中，所述第一侧边电极及所述第二侧边电极分别与所述第一主干电极的相接处设置有缺口，所述缺口位于所述第一侧边电极和所述第二侧边电极远离所述分支电极的一侧。


2.根据权利要求1所述的像素电极，其特征在于，所述第三侧边电极和所述第四侧边电极对应所述缺口的位置设置有凸起，所述凸起位于所述第三侧边电极和所述第四侧边电极靠近所述分支电极的一侧。


3.根据权利要求2所述的像素电极，其特征在于，所述凸起的轴线、所述缺口的轴线以及所述第一主干电极的延伸方向的轴线共线。


4.根据权利要求2所述的像素电极，其特征在于，所述凸起的形状和所述缺口的形状对应。


5.根据权利要求1所述的像素电极，其特征在于，所述像素电极还包括多条与所述分支电极相互间隔排列且相互平行的狭缝，其中，所述缺口的侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：张琪，严允晟，曹武，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44