倒装芯片测试的方法及系统技术方案

本发明专利技术涉及一种倒装芯片测试的方法及系统。该方法包括：获取具有不同波长的N个倒装芯片的校准方片；通过倒装机台和正装机台分别获取N个倒装芯片的第一组亮度值和第二组亮度值；获取N个倒装芯片对应的第一亮度值和第二亮度值的亮度比值及亮度比值的平均值；获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值；获取波长为第一数值的任意倒装芯片的第三亮度值；根据第三亮度值、算术平均值及第一修正值的乘积获取亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值；其中，N为大于等于2的整数。通过该方法可以对正装机台的亮度测试值进行修正，进而达到利用正装机台测试倒装产品的亮度值的目的，从而提高正装机台的利用率，降低生产成本。

Test method and system of flip chip

【技术实现步骤摘要】
倒装芯片测试的方法及系统
本专利技术涉及光电
，特别是涉及一种倒装芯片测试的方法及一种倒装芯片测试的系统。
技术介绍
传统的倒装芯片由于本身结构的特性背面出光，使用正装测试机台不能进行芯片参数的准确测试，只能使用倒装测试机台进行测试，与使用正装测试机台和倒装测试机台同时测试芯片相比芯片测试的效率较低，测试成本较高。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述问题，提供一种新的倒装芯片测试的方法及新的倒装芯片测试的系统。一种倒装芯片测试的方法,包括：获取具有不同波长的N个倒装芯片的校准方片；使用倒装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第一亮度值构成的第一组亮度值；使用正装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第二亮度值构成的第二组亮度值；根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值，分别获取所述N个倒装芯片对应的第一亮度值和第二亮度值的亮度比值，及所述N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值；根据所述N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值；使用所述正装机台测试波长为所述第一数值的任意倒装芯片的亮度后，得到第三亮度值；根据所述第三亮度值、所述算术平均值及所述第一修正值的乘积，获取亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值；其中，N为大于等于2的整数。在其中一个实施例中，获取具有不同波长的N个倒装芯片的校准方片的步骤包括：获取全波段范围内的N个不同波长的倒装芯片；将所述N个不同波长的倒装芯片排列在蓝膜上形成所述校准方片。在其中一个实施例中，所述全波段范围的N个倒装芯片包括波长大于等于445纳米且小于等于465纳米的倒装芯片。在其中一个实施例中，根据所述第三亮度值、所述算术平均值及所述第一修正值的乘积，获取所述波长为第一数值的倒装芯片的第一实际亮度值之前还包括步骤：获取形成有波长为第一数值的倒装芯片的第一圆片；使用所述倒装机台测试所述第一圆片上的任意M个倒装芯片的亮度后，获取所述M个倒装芯片的亮度值的第一亮度平均值；使用所述正装机台测试所述M个倒装芯片的亮度后，获取所述M个倒装芯片的亮度值的第二亮度平均值；根据所述第二亮度平均值和所述第一亮度平均值的比值与1的差值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第二修正值；根据所述第三亮度值、所述算术平均值及所述第一修正值的乘积，获取所述亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值还包括：根据所述算术平均值和所述第二修正值之差与所述第三亮度值及所述第一修正值的乘积，获取所述亮度为第三亮度值的倒装芯片的第二实际亮度值；其中，M为大于等于2的整数。在其中一个实施例中，使用倒装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第一亮度值构成的第一组亮度值步骤还包括：使用所述倒装机台分别测量所述N个倒装芯片的主波长，得到所述N个倒装芯片主波长的第一波长平均值；使用正装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第二亮度值构成的第二组亮度值的步骤还包括：使用所述倒装机台分别测量所述N个倒装芯片的主波长，得到所述N个倒装芯片主波长的第二波长平均值；所述倒装芯片测试的方法还包括：根据所述第二波长平均值和所述第一波长平均值的差值，获取所述N个倒装芯片主波长对应的第三修正值；使用所述正装机台测试波长为第二数值的任意倒装芯片的主波长后，获得第一波长值；根据所述第一波长值和所述第三修正值之和，获取所述波长为第二数值的倒装芯片的第一实际主波长值；其中，所述第二数值等于所述N个倒装芯片中任意倒装芯片的波长。在其中一个实施例中，根据所述第一波长值和所述第三修正值之和，获取所述波长为第二数值的倒装芯片的第一实际主波长值之前还包括步骤：获取形成有波长为第二数值的倒装芯片的第二圆片；使用所述倒装机台测试所述第二圆片上的任意L个倒装芯片的主波长后，获取所述L个倒装芯片的主波长的第三波长平均值；使用所述正装机台测试所述L个倒装芯片的亮度后，获取所述L个倒装芯片的主波长的第二波长平均值；根据所述第二波长平均值和所述第一波长平均值的差值，获取波长为第二数值的倒装芯片的主波长的第四修正值；所述根据所述第一波长值和所述第三修正值之和，获取所述波长为第二数值的倒装芯片的第一实际主波长值还包括：根据所述第一波长值和所述第三修正值之和与所述第四修正值之差，获取所述波长为第二数值的倒装芯片的第二实际主波长值；其中，所述L为大于等于2的整数。在其中一个实施例中，所述使用所述正装机台测试波长为所述第一数值的任意倒装芯片的亮度后，得到第三亮度值的步骤包括：获取形成有波长为第一数值的倒装芯片的第三圆片；使用所述正装机台测试所述第三圆片上的任意倒装芯片的亮度后，得到第三亮度值。上述倒装芯片测试的方法，包括获取具有不同波长的N个倒装芯片的校准方片；使用倒装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第一亮度值构成的第一组亮度值；使用正装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第二亮度值构成的第二组亮度值；根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值，分别获取所述N个倒装芯片对应的第一亮度值和第二亮度值的亮度比值，及所述N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值；根据所述N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值；使用所述正装机台测试波长为所述第一数值的任意倒装芯片的亮度后，得到第三亮度值；根据所述第三亮度值、所述算术平均值及所述第一修正值的乘积，获取亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值；其中，N为大于等于2的整数。本申请分别通过倒装机台和正装机台测试校准方片上具有不同波长的N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第一亮度值构成的第一组亮度值和N个第二亮度值构成的第二组亮度值，根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值中各个芯片对应的亮度值，获取对应的亮度比值及亮度比值的算术平均值，根据所述N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值；使用所述正装机台测试波长为所述第一数值的任意倒装芯片的亮度得到的第三亮度值后，即可根据得到的第三亮度值、N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值及波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值，获取该倒装芯片的第一实际亮度值，通过该方法可以对正装机台的亮度测试值进行修正，进而达到利用正装机台测试倒装产品的亮度值的目的，从而提高正装机台的利用率，降低生产成本。一种倒装芯片测试的系统，用于正装机台的测试，所述系统包括：测试模块，所述测试模块用于测试倒装芯片的亮度后得到对应的亮度值；输入模块，所述输入模块用于输入使用倒装机台测试倒装芯片后获取的亮度值；计算模块，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒装芯片测试的方法,其特征在于，所述方法包括：/n获取具有不同波长的N个倒装芯片的校准方片；/n使用倒装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第一亮度值构成的第一组亮度值；/n使用正装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第二亮度值构成的第二组亮度值；/n根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值，分别获取所述N个倒装芯片对应的第一亮度值和第二亮度值的亮度比值，及所述N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值；/n根据所述N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值；/n使用所述正装机台测试波长为所述第一数值的任意倒装芯片的亮度后，得到第三亮度值；/n根据所述第三亮度值、所述算术平均值及所述第一修正值的乘积，获取亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值；/n其中，N为大于等于2的整数。/n

【技术特征摘要】
1.一种倒装芯片测试的方法,其特征在于，所述方法包括：
获取具有不同波长的N个倒装芯片的校准方片；
使用倒装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第一亮度值构成的第一组亮度值；
使用正装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第二亮度值构成的第二组亮度值；
根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值，分别获取所述N个倒装芯片对应的第一亮度值和第二亮度值的亮度比值，及所述N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值；
根据所述N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值；
使用所述正装机台测试波长为所述第一数值的任意倒装芯片的亮度后，得到第三亮度值；
根据所述第三亮度值、所述算术平均值及所述第一修正值的乘积，获取亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值；
其中，N为大于等于2的整数。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取具有不同波长的N个倒装芯片的校准方片的步骤包括：
获取全波段范围内的N个不同波长的倒装芯片；
将所述N个不同波长的倒装芯片排列在蓝膜上形成所述校准方片。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述全波段范围的N个倒装芯片包括波长大于等于445纳米且小于等于465纳米的倒装芯片。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第三亮度值、所述算术平均值及所述第一修正值的乘积，获取所述波长为第一数值的倒装芯片的第一实际亮度值之前还包括步骤：
获取形成有波长为第一数值的倒装芯片的第一圆片；
使用所述倒装机台测试所述第一圆片上的任意M个倒装芯片的亮度后，获取所述M个倒装芯片的亮度值的第一亮度平均值；
使用所述正装机台测试所述M个倒装芯片的亮度后，获取所述M个倒装芯片的亮度值的第二亮度平均值；
根据所述第二亮度平均值和所述第一亮度平均值的比值与1的差值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第二修正值；
所述根据所述第三亮度值、所述算术平均值及所述第一修正值的乘积，获取所述亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值还包括：
根据所述算术平均值和所述第二修正值之差与所述第三亮度值及所述第一修正值的乘积，获取所述亮度为第三亮度值的倒装芯片的第二实际亮度值；
其中，所述M为大于等于2的整数。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用倒装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第一亮度值构成的第一组亮度值步骤还包括：
使用所述倒装机台分别测量所述N个倒装芯片的主波长，得到所述N个倒装芯片主波长的第一波长平均值；
使用正装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第二亮度值构成的第二组亮度值的步骤还包括：
使用所述倒装机台分别测量所述N个倒装芯片的主波长，得到所述N个倒装芯片主波长的第二波长平均值；
所述方法还包括：
根据所述第二波长平均值和所述第一波长平均值的差值，获取所述N个倒装芯片主波长对应的第三修正值；
使用所述正装机台测试波长为第二数值的任意倒装芯片的主波长后，获得第一波长值；
根据所述第一波长值和所述第三修正值之和，获取所述波长为第二数值的倒装芯片的第一实际主波长值；
其中，所述第二数值等于所述N个倒装芯片中任意倒装芯片的波长。


6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：周晓萍，张海旭，林肖，王亚洲，
申请(专利权)人：映瑞光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31