一种晶体谐振器用底座制造技术

本实用新型专利技术涉及一种晶体谐振器用底座，底座包括：双层基板，由绝缘材质制成，双层基板包括下层基板和环形的上层基板，上、下层基板合围形成腔室，腔室用于容纳晶体；内电极，设于下层基板的正面，位于腔室中，用于与晶体连接；外电极，设于下层基板的背面，外电极包括与内电极相连的外导电电极，所述上层基板与所述外导电电极上下对应；底座还包括导电连接结构，导电连接结构连接所述内电极与外导电电极；导电连接结构包括设于下层基板正面上的正面导电涂层；正面导电涂层包括敞开部分和夹装部分，所述敞开部分与所述上层基板在下层基板的延伸方向上错开布置，敞开部分裸露于所述腔室中；所述夹装部分被夹装于上层基板与下层基板之间。

A base for crystal resonator

The utility model relates to a base for crystal resonator, the base includes: a double-layer base plate, which is made of insulating material, the double-layer base plate includes a lower base plate and a ring-shaped upper base plate, the upper and lower base plates are surrounded to form a cavity, and the cavity is used for accommodating crystal; the inner electrode is arranged at the front of the lower base plate, which is arranged in the cavity, which is used for connecting with crystal; the outer electrode is arranged at the front of the lower base plate On the back side, the outer electrode comprises an outer conductive electrode connected with the inner electrode, and the upper base plate corresponds to the upper and lower parts of the outer conductive electrode; the base also comprises a conductive connection structure, wherein the conductive connection structure connects the inner electrode with the outer conductive electrode; the conductive connection structure comprises a front conductive coating arranged on the front side of the lower base plate; the front conductive coating comprises an open part and a clamping part The open part and the upper base plate are staggered in the extension direction of the lower base plate, and the open part is exposed in the chamber; the clamping part is clamped between the upper base plate and the lower base plate.

【技术实现步骤摘要】
一种晶体谐振器用底座
本技术涉及一种晶体谐振器用底座。
技术介绍
目前，晶体谐振器是普遍使用的频率谐振器和时钟器件，应用于各种电子设备中，从简单的玩具、夹具、钟表到复杂的计算机、手机、卫星导航和尖端的通讯、航空设备上都使用到此类产品。授权公告号为CN209787131U的中国技术专利公开了一种SMD石英晶体谐振器，其具体包括基座、石英晶片以及金属盖板，基座为陶瓷基板，基座正面设有正电极和负电极，背面设有四个外电极，基座与金属盖板之间有银环平面层。其中，四个外电极中的其中两个与正、负电极相连通，定义这两个外电极为外导电电极；另外两个外电极通过穿过基座的导电材料与银环平面层和金属盖板相连通。其中，正、负电极位于基座长度方向的其中一侧，而两个外导电电极是位于基座的两个对角位置处。为实现对应连通，在基座上设有金属带(导电涂层)，金属带连通内、外电极。现有技术中，为了避免银环平面层与金属带之间直接连通而发生短路，无法将金属带设置在基座的正面上，而是将基座设计为包括上、下两层，将金属带布置在两层之间，这样就能够将银环平面层与金属带隔离开。但是现有技术存在一些弊端，金属带完全位于上、下两层之间的，而上、下两层之间通常采用高温烧结等方式成型在一起，但是，由于金属带的存在，使得上、下两层之间无法完全的贴合，在金属带处的粘合力较差，以出现分离的情况，导致无法晶体谐振器无法正常使用。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种晶体谐振器用底座，以解决现有技术中导电涂层完全位于上、下层之间而导致基座易发生分离的技术问题。为实现上述目的，本技术晶体谐振器用底座的技术方案是：一种晶体谐振器用底座，包括：双层基板，由绝缘材质制成，双层基板包括下层基板和环形的上层基板，上、下层基板合围形成腔室，腔室用于容纳晶体；内电极，设于下层基板的正面，位于腔室中，用于与晶体连接；外电极，设于下层基板的背面，外电极包括与内电极相连的外导电电极，所述上层基板与所述外导电电极上下对应；底座还包括导电连接结构，导电连接结构连接所述内电极与外导电电极；导电连接结构包括设于下层基板正面上的正面导电涂层；正面导电涂层包括敞开部分和夹装部分，所述敞开部分与所述上层基板在下层基板的延伸方向上错开布置，敞开部分裸露于所述腔室中；所述夹装部分被夹装于上层基板与下层基板之间。本技术的有益效果是：本技术中，导电带包括敞开部分和夹装部分，敞开部分与上层基板错开布置，该部分并未被夹装在上层基板和下层基板之间，与现有技术中导电涂层全部被夹装在上、下层基板之间相比，被夹装的部分变少，使得上、下层基板之间的粘合力不会因为导电涂层的存在也下降过多，避免上、下层基板之间分离，使得底座以及晶体谐振器能够正常运行。本技术中，在不改变外导电电极位置的前提下减小了导电涂层被夹装量，有利于延长底座和晶体谐振器的使用寿命。进一步地，所述下层基板为方形结构；所述内电极设有两个，两内电极沿下层基板的其中一边间隔排布；所述外导电电极设有两个，两外导电电极沿下层基板的对角分设在两角；所述正面导电涂层包括对应连接两内电极与两外导电电极的长导电涂层和短导电涂层；其中至少所述长导电涂层包括所述敞开部分。进一步地，所述外电极还包括外接地电极，外接地电极用于与印制板上的接地引脚相连；底座包括金属环，金属环设于上层基板的正面上，金属环用于与金属上盖配合以封闭所述腔室；底座还包括穿孔，穿孔上下贯穿双层基板，穿孔中设有接地连接结构，接地连接结构连通外接地电极与所述金属环。设置外接地电极后，使用时，金属环、外接地电极以及金属上盖均接地，形成对晶体的屏蔽，防止外界的杂波对晶体发生的机械波进行干扰。而且，本技术中，金属环与下层基板之间有上层基板，避免金属环与下层基板之间有直接导电接触，而导致晶体的整体供电受到影响。进一步地，所述接地连接结构包括导电柱，导电柱位于所述穿孔中。进一步地，所述长导电涂层包括直段和斜段；其中，直段沿下层基板的一边延伸布置；斜段倾斜延伸至对应外导电电极所在的一角；所述敞开部分包括所述直段和部分所述斜段。敞开部分包括直段和斜段，使得上层基板以及金属环尽可能地远离直段布置，避免产生与直段之间导电连通的风险。进一步地，所述下层基板上设有凹槽，凹槽位于所述外导电电极对应的一角外侧，凹槽上下贯通所述下层基板；所述凹槽中设有侧壁导电涂层，侧壁导电涂层连接对应的正面导电涂层与对应的外导电电极。进一步地，所述凹槽为弧形槽。附图说明图1为本技术晶体谐振器用底座实施例的俯视图；图2为本技术晶体谐振器用底座实施例主视图的半剖示意图；图3为本技术晶体谐振器用底座实施例中上层基板与金属环组装在一起后的示意图；图4为本技术晶体谐振器用底座实施例中下层基板的俯视图；图5为本技术晶体谐振器用底座实施例中下层基板的仰视图；附图标记说明：1-双层基板；2-下层基板；3-上层基板；4-金属环；5-支撑平台；6-第一穿孔；7-第二穿孔；8-第一内电极；9-第二内电极；10-第一导电涂层；101-敞开段；102-夹装段；11-第一导电柱；12-第二导电柱；13-侧壁导电层；14-第三穿孔；15-第四穿孔；16-第一外电极；17-第二外电极；18-第三外电极；19-第四外电极；20-第二导电涂层。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术，即所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。需要说明的是，术语“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。以下结合实施例对本技术的特征和性能作进一步的详细描述。本技术的晶体谐本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体谐振器用底座，包括：/n双层基板，由绝缘材质制成，双层基板包括下层基板和环形的上层基板，上、下层基板合围形成腔室，腔室用于容纳晶体；/n内电极，设于下层基板的正面，位于腔室中，用于与晶体连接；/n外电极，设于下层基板的背面，外电极包括与内电极相连的外导电电极，所述上层基板与所述外导电电极上下对应；/n底座还包括导电连接结构，导电连接结构连接所述内电极与外导电电极；/n其特征在于：/n导电连接结构包括设于下层基板正面上的正面导电涂层；/n正面导电涂层包括敞开部分和夹装部分，所述敞开部分与所述上层基板在下层基板的延伸方向上错开布置，敞开部分裸露于所述腔室中；/n所述夹装部分被夹装于上层基板与下层基板之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶体谐振器用底座，包括：
双层基板，由绝缘材质制成，双层基板包括下层基板和环形的上层基板，上、下层基板合围形成腔室，腔室用于容纳晶体；
内电极，设于下层基板的正面，位于腔室中，用于与晶体连接；
外电极，设于下层基板的背面，外电极包括与内电极相连的外导电电极，所述上层基板与所述外导电电极上下对应；
底座还包括导电连接结构，导电连接结构连接所述内电极与外导电电极；
其特征在于：
导电连接结构包括设于下层基板正面上的正面导电涂层；
正面导电涂层包括敞开部分和夹装部分，所述敞开部分与所述上层基板在下层基板的延伸方向上错开布置，敞开部分裸露于所述腔室中；
所述夹装部分被夹装于上层基板与下层基板之间。


2.根据权利要求1所述的晶体谐振器用底座，其特征在于：所述下层基板为方形结构；
所述内电极设有两个，两内电极沿下层基板的其中一边间隔排布；
所述外导电电极设有两个，两外导电电极沿下层基板的对角分设在两角；
所述正面导电涂层包括对应连接两内电极与两外导电电极的长导电涂层和短导电涂层；
其中至少所述长导电涂层包括所述敞开部分。


3.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘奇，刘永良，关小静，
申请(专利权)人：郑州登电银河科技有限公司，
类型：新型
国别省市：河南;41