半导体结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种半导体结构。半导体结构中具有位于相邻接触垫之间的凹槽，并且填充在凹槽中的绝缘填充层是由至少两个绝缘部构成的，从而能够更为有效的缓解凹槽中的绝缘材料的内应力，有利于改善由于凹槽中的绝缘材料的高强度内应力而对其邻近的半导体器件造成损伤的问题。

Semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构。
技术介绍
对于半导体工艺而言，内应力对半导体器件的可靠性有着重大的影响。尤其是，随着半导体技术的不断发展，半导体器件的尺寸不断缩减，半导体结构中的内应力对半导体器件的影响也越来越明显。通常而言，填充在凹槽中的材料在高温制程中所产生的内应力更大，其更容易对邻近的半导体器件造成影响。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种半导体结构，以解决现有的半导体结构中由于高强度内应力而容易对半导体器件造成损伤的问题。为解决上述技术问题，本技术提供一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底中形成有至少一半导体器件和层间介质层，所述层间介质层覆盖所述半导体器件；至少两个互连结构，所述互连结构包括接触插塞和接触垫，所述接触插塞贯穿所述层间介质层并延伸至所述半导体器件，所述接触垫覆盖所述接触插塞的顶部并延伸覆盖部分所述层间介质层的顶表面；以及，位于相邻接触垫之间的凹槽，所述凹槽还向下延伸停止于所述层间介质层中；以及，绝缘填充层，填充在所述凹槽中，并且所述绝缘填充层包括至少两个绝缘部。可选的，所述绝缘填充层至少包括两个第一绝缘部，所述两个第一绝缘部覆盖所述凹槽相对的两个侧壁，并且所述两个第一绝缘部界定出一凹陷在所述凹槽的中间区域；以及，所述半导体结构还包括遮盖层，所述遮盖层覆盖所述接触垫和所述绝缘填充层，并填充所述凹陷。可选的，所述凹陷的底部延伸至所述凹槽的底部，所述遮盖层填充所述凹陷并延伸至所述凹槽的底部，并且所述遮盖层对应于所述凹陷的部分中还形成有空。可选的，所述半导体器件包括形成在衬底顶表面上的栅极导电层，所述层间介质层包括覆盖所述栅极导电层顶表面的遮蔽层以及覆盖所述栅极导电层侧壁和所述遮蔽层侧壁的侧墙结构；其中，所述凹槽在高度方向上从相邻的接触垫之间向下延伸至所述遮蔽层中，所述凹槽在宽度方向上从所述遮蔽层横向扩展至所述侧墙结构中，并且所述凹槽的深度值不大于所述栅极导电层的高度值，所述凹槽的宽度尺寸大于所述栅极导电层的宽度尺寸。可选的，所述绝缘填充层还包括第二绝缘部，所述第二绝缘部覆盖所述凹槽的底部，并且所述第二绝缘部和所述第一绝缘部之间形成有空隙，所述空隙由凹槽的底壁和侧壁相互连接的拐角处往所述凹陷的方向延伸。可选的，所述凹陷的底部延伸至所述第二绝缘部，并使所述空隙与所述凹陷连通，以及所述遮盖层填充所述凹陷并封闭所述空隙的开口。可选的，所述半导体器件包括形成在衬底顶表面上的栅极导电层，所述层间介质层包括覆盖所述栅极导电层顶表面的遮蔽层以及覆盖所述栅极导电层侧壁和所述遮蔽层侧壁的侧墙结构；其中，所述凹槽在高度方向上从相邻的接触垫之间向下延伸至所述遮蔽层中，所述凹槽在宽度方向上从所述遮蔽层横向扩展至所述侧墙结构中，并且所述凹槽的深度值不大于所述栅极导电层的高度值。可选的，所述半导体器件包括形成在衬底顶表面上的栅极导电层，所述层间介质层包括覆盖所述栅极导电层顶表面的遮蔽层以及覆盖所述栅极导电层侧壁和所述遮蔽层侧壁的侧墙结构；其中，所述凹槽在高度方向上从相邻的接触垫之间向下延伸至所述遮蔽层中，所述凹槽在宽度方向上从所述遮蔽层横向扩展至所述侧墙结构中，并且所述凹槽的深度值大于所述栅极导电层的高度值。可选的，所述遮盖层对应于所述凹陷的部分中也形成有空隙。可选的，两个所述第一绝缘部之间形成有空隙在所述凹槽的中间区域，所述空隙在所述凹陷的下方沿着高度方向延伸。可选的，所述遮盖层填充所述凹陷并封闭所述空隙的顶部开口。可选的，所述半导体器件包括形成在衬底顶表面上的栅极导电层、以及形成在衬底中的第一源/漏区和第二源/漏区，所述第一源/漏区和所述第二源/漏区分别位于所述栅极导电层的两侧；其中，所述第一源/漏区和所述第二源/漏区上分别设置有所述互连结构，并且对应于第一源/漏区的接触垫和对应于第二源/漏区的接触垫分别从所述栅极导电层的两侧以朝向所述栅极导电层方向横向延伸。可选的，所述层间介质层包括覆盖所述栅极导电层顶表面的遮蔽层以及覆盖所述栅极导电层侧壁和所述遮蔽层侧壁的侧墙结构；其中，对应于第一源/漏区的接触垫和对应于第二源/漏区的接触垫分别从所述栅极导电层的两侧横向延伸至所述侧墙结构上。可选的，所述凹槽在宽度方向上从所述遮蔽层横向扩展至所述侧墙结构中，所述凹槽在高度方向上从相邻的接触垫之间向下延伸至所述遮蔽层中。在本技术提供的半导体结构中，具有位于相邻接触垫之间的凹槽，以及凹槽中填充有绝缘填充层，以用于分隔相邻的接触垫。并且，填充在凹槽中的绝缘填充层是由至少两个绝缘部构成的。相对于仅采用一个较大体积的绝缘材料填充凹槽，本技术中采用至少两个绝缘部填充凹槽，能够更为有效的缓解凹槽中的绝缘材料的内应力，从而可以改善由于凹槽中的绝缘材料的高强度内应力而对其邻近的半导体器件造成损伤的问题。进一步的，还可使填充在凹槽中的绝缘材料形成有空隙(例如，可使相邻的绝缘部之间形成有空隙)，如此，即能够利用所述空隙实现绝缘材料的应力释放，进一步减小填充于凹槽中的绝缘材料的内应力。附图说明图1为本技术实施例一中的半导体结构的示意图；图2为本技术实施例二中的半导体结构的示意图；图3为本技术实施例三中的半导体结构的示意图；图4为本技术实施例四中的半导体结构的示意图。其中，附图标记如下：100-衬底；110-第一源/漏区；120-第二源/漏区；200-栅极导电层；210-第一导电层；220-第二导电层；230-第三导电层；300-互连结构；310-接触插塞；320-接触垫；400-层间介质层；410-遮蔽层；420-隔离侧墙；430-隔离介质层；500-绝缘填充层；500a-凹陷；510-第一绝缘部；520-第二绝缘部；510a-第一空隙；520a-第二空隙；600-遮盖层；600a-空隙。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术提出的半导体结构作进一步详细说明。根据下面说明，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。实施例一图1为本技术实施例一中的半导体结构的示意图，如图1所示，所述半导体结构包括：衬底100，所述衬底100中形成有至少一半导体器件和层间介质层400，所述层间介质层400覆盖所述半导体器件；至少两个互连结构300，所述互连结构300包括接触插塞310和接触垫320，所述接触插塞310贯穿所述层间介质层400并延伸至所述半导体器件，所述接触垫320覆盖所述接触插塞310的顶部并延伸覆盖部分所述层间介质层400的顶表面；以及，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n衬底，所述衬底中形成有至少一半导体器件和层间介质层，所述层间介质层覆盖所述半导体器件；/n至少两个互连结构，所述互连结构包括接触插塞和接触垫，所述接触插塞贯穿所述层间介质层并延伸至所述半导体器件，所述接触垫覆盖所述接触插塞的顶部并延伸覆盖部分所述层间介质层的顶表面；以及，/n位于相邻接触垫之间的凹槽，所述凹槽还向下延伸停止于所述层间介质层中；以及，/n绝缘填充层，填充在所述凹槽中，并且所述绝缘填充层包括至少两个绝缘部。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底中形成有至少一半导体器件和层间介质层，所述层间介质层覆盖所述半导体器件；
至少两个互连结构，所述互连结构包括接触插塞和接触垫，所述接触插塞贯穿所述层间介质层并延伸至所述半导体器件，所述接触垫覆盖所述接触插塞的顶部并延伸覆盖部分所述层间介质层的顶表面；以及，
位于相邻接触垫之间的凹槽，所述凹槽还向下延伸停止于所述层间介质层中；以及，
绝缘填充层，填充在所述凹槽中，并且所述绝缘填充层包括至少两个绝缘部。


2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘填充层至少包括两个第一绝缘部，所述两个第一绝缘部覆盖所述凹槽相对的两个侧壁，并且所述两个第一绝缘部界定出一凹陷在所述凹槽的中间区域；
以及，所述半导体结构还包括遮盖层，所述遮盖层覆盖所述接触垫和所述绝缘填充层，并填充所述凹陷。


3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述凹陷的底部延伸至所述凹槽的底部，所述遮盖层填充所述凹陷并延伸至所述凹槽的底部，并且所述遮盖层对应于所述凹陷的部分中还形成有空隙。


4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体器件包括形成在衬底顶表面上的栅极导电层，所述层间介质层包括覆盖所述栅极导电层顶表面的遮蔽层以及覆盖所述栅极导电层侧壁和所述遮蔽层侧壁的侧墙结构；
其中，所述凹槽在高度方向上从相邻的接触垫之间向下延伸至所述遮蔽层中，所述凹槽在宽度方向上从所述遮蔽层横向扩展至所述侧墙结构中，并且所述凹槽的深度值不大于所述栅极导电层的高度值，所述凹槽的宽度尺寸大于所述栅极导电层的宽度尺寸。


5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘填充层还包括第二绝缘部，所述第二绝缘部覆盖所述凹槽的底部，并且所述第二绝缘部和所述第一绝缘部之间形成有空隙，所述空隙由凹槽的底壁和侧壁相互连接的拐角处往所述凹陷的方向延伸。


6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述凹陷的底部延伸至所述第二绝缘部，并使所述空隙与所述凹陷连通，以及所述遮盖层填充所述凹陷并封闭所述空隙的开口。


7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体器件包括形成在衬底顶表面上的栅极导电层，所述层间介质层包括覆盖所述栅极导电层顶表面的遮蔽层以及覆盖所述栅极导...

【专利技术属性】
技术研发人员：童宇诚，赖惠先，林昭维，朱家仪，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35