用于有机发光二极管显示器件的化合物制造技术

技术编号:24512370 阅读:23 留言:0更新日期:2020-06-17 04:51
一种用于有机发光二极管显示器件的化合物,具有如结构式为D‑π‑A,其中D选自如下列取代基团中的一种:二甲基吖啶基、芴基、螺二芴基、咔唑基、芳胺基、吩噻嗪基、吩恶嗪类基和吲哚类基,A选自如下列取代基团中的一种:三嗪类基、氰基、硝基、酯基、卤原子、羧基、甲酰胺基、异硫氰基、饶丹宁基、三氟甲基、芳硫基、芳磷基和芳酮基以及π为芘类化合物,在不引入重金属原子的情况下,可以将小分子外量子发光效率提升至100%,据此,可以得到较高发光效率的有机发光二极管显示器件,并且可以降低有机发光二极管显示器件的制造成本。

Compounds for OLED display devices

【技术实现步骤摘要】
用于有机发光二极管显示器件的化合物
本专利技术是涉及有机发光二极管显示器件领域,特别是有关于一种用于有机发光二极管显示器件中的发光层的化合物。
技术介绍
有机发光二极管(Organiclightemittingdiode,简称OLED)显示器件由于不需要背光源,对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性,被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。有机发光二极管(以下称OLED)或者又称电致发光器件(EL)可以包括阳极、阴极以及介于阳极和阴极之间的有机发光材料层。其中阳极一般由透明导电材料如铟锡氧化物(ITO)制成,而阴极一般则是由低功函的金属例如镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)或是其合金所制成。在OLED中,正电荷,即电洞(hole)和负电子,即电子(electron)分别从阳极和阴极注入到发光材料层中,并且在发光材料层中再结合,从而形成可以发光的激发态。然而现有技术中,OLED发光层由主体材料和客体材料组成,而客体发光材料主要是由金属配合物组成,金属配合物主要是由于重金属原子的引入,使得发光层内的量子效率可以提升至100%,但是重金属原子资源少,取得不易,导致使用重金属成本高,合成效率低。另外,重金属也比较容易污染环境,造成自然生态的破坏或是伤害人体,因此众多因素限制了利用金属配合物做为客体材料来与主体材料合成形成有机发光二极管的发光层的有机材料。
技术实现思路
根据现有技术的缺陷,本专利技术主要公开一种利用具有D-π-A结构的有机发光材料来取代在有机发光二极管显示器件的发光层,在不引入重金属原子的情况下,可以将小分子外量子发光效率提升至100%,据此,可以得到较高发光效率的有机发光二极管显示器件,并且可以降低有机发光二极管显示器件的制造成本。根据上述目的,本专利技术披露一种用于有机发光二极管显示器件的化合物,具有如结构式为D-π-A,其中D选自如下列取代基团中的一种:二甲基吖啶基、芴基、螺二芴基、咔唑基、芳胺基、吩噻嗪基、吩恶嗪类基和吲哚类基,A选自如下列取代基团中的一种:三嗪类基、氰基、硝基、酯基、卤原子、羧基、甲酰胺基、异硫氰基、饶丹宁基、三氟甲基、芳硫基、芳磷基和芳酮基以及π为芘类化合物。于本专利技术较优选的实施例中,D-π-A结构式可以是:于本专利技术较优选的实施例中,M1-M4为取代单元,且M1-M4选自如下列取代基团中的一种:三嗪类基、氰基、硝基、酯基、卤原子、羧基、甲酰胺基、异硫氰基、饶丹宁基、三氟甲基、芳硫基、芳磷基、芳酮基,其M1-M4可以是相同的取代单元或是不同的取代单元。于本专利技术较优选的实施例中,R1-R4为取代单元,且R1-R4选自如下列取代基团中的一种:二甲基吖啶基、芴基、螺二芴基、咔唑基、芳胺基、吩噻嗪基、吩恶嗪类基和吲哚类基,其中R1-R4可以是相同的取代单元或是不同的取代单元。于本专利技术较优选的实施例中,上述取代单元D1及取代单元D2可以相同或是不同。附图说明无具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术特征及优点,能更为相关
人员所了解,并得以实施本专利技术,在此配合所附的图式,具体阐明本专利技术的技术特征与实施方式,并列举较佳实施例进一步说明。以下文中所对照的图式,为表达与本专利技术特征有关的示意,并未亦不需要依据实际情形完整绘制。而关于本案实施方式的说明中涉及本领域技术人员所熟知的
技术实现思路
,亦不再加以陈述。本专利技术披露一种用于有机发光二极管器件中的化合物,特别是有关于发光层的化合物,此化合物利用芘类化合物所合成的有机发光材料来取代金属配合物客体材料做为发光层,可以降低成本,也减少对重金属的依赖,并且提高有机发光二极管器件中的光发效率。在本专利技术中,用于有机发光二极管器件中的化合物具有如通式(I)的结构式:D-π-A式(I),其中,D可以是二甲基吖啶基、芴基、螺二芴基、咔唑基、芳胺基、吩噻嗪基、吩恶嗪类基或是吲哚类基,A可以是三嗪类基、氰基、硝基、酯基、卤原子、羧基、甲酰胺基、异硫氰基、饶丹宁基、三氟甲基、芳硫基、芳磷基或是芳酮基以及π则是芘类化合物。因此,根据上述,D-π-A结构式可以如下式(1)-式(5)所列:其中M1,M2,M3,M4及R1,R2,R3,R4分别为取代单元,M1,M2,M3及M4可以选自如下取带基团中的一种:三嗪类基、氰基、硝基、酯基、卤原子、羧基、甲酰胺基、异硫氰基、饶丹宁基、三氟甲基、芳硫基、芳磷基或芳酮基。而R1,R2,R3,R4可以选自如下列取代基团中的一种:二甲基吖啶基、芴基、螺二芴基、咔唑基、芳胺基、吩噻嗪基、吩恶嗪类基和吲哚类基。要说明的是,在一个D-π-A结构式中,取代单元M1,M2,M3,M4彼此之间可以相同或是不同以及取代单元R1,R2,R3,R4彼此之间可以相同或是不同。举例来说,以上述式(1)的结构式为例,其结构式为:因此,取代单元M1-M4可以是相同的取代基团,例如:三嗪类基。而于另一实施例,取代单元M1可以是三嗪类基,M2可以是氰基,取代单元M3可以是羧基及取代单元M4可以是芳磷基。另外,取代单元R1-R4可以是相同的取代基团,例如:二甲基吖啶基,或者是取代单元R1是二甲基吖啶基,取代单元R2是咔唑基,取代单元R3是吩恶嗪类基及取代单元R4是芴基。因此,根据式(I)的结构式、取代单元M1-M4及取代单元R1-R4任意合成之后可以得到如下,式(6)-式(16)结构式:以上所述仅为本专利技术的较佳实施例,并非用以限定本专利技术的权利要求;同时以上的描述,对于相关
的专门人士应可明了及实施,因此其它未脱离本专利技术所揭示的精神下所完成的等效改变或修饰,均应包含在权利要求范围中。本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种用于有机发光二极管显示器件的化合物,其特征在于,所述化合物具有如式(I)通式的结构式:D-π-A式(I),其中所述D选自如下列取代基团中的一种:二甲基吖啶基、芴基、螺二芴基、咔唑基、芳胺基、吩噻嗪基、吩恶嗪类基和吲哚类基,所述A选自如下列取代基团中的一种:三嗪类基、氰基、硝基、酯基、卤原子、羧基、甲酰胺基、异硫氰基、饶丹宁基、三氟甲基、芳硫基、芳磷基和芳酮基以及所述π为芘类化合物。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于有机发光二极管显示器件的化合物,其特征在于,所述化合物具有如式(I)通式的结构式:D-π-A式(I),其中所述D选自如下列取代基团中的一种:二甲基吖啶基、芴基、螺二芴基、咔唑基、芳胺基、吩噻嗪基、吩恶嗪类基和吲哚类基,所述A选自如下列取代基团中的一种:三嗪类基、氰基、硝基、酯基、卤原子、羧基、甲酰胺基、异硫氰基、饶丹宁基、三氟甲基、芳硫基、芳磷基和芳酮基以及所述π为芘类化合物。


2.如权利要求1所述的用于有机发光二极管器件的化合物,其特征在于,所述D-π-A结构式可以是:








3.如权利要求2所述的用于有机发光二极管器件的化合物,其特征在于,所述M1,所述M2,所述M3及所述M4为取代单元,且所述M1,所述M2,所述M3...

【专利技术属性】
技术研发人员:田杰
申请(专利权)人:陕西坤同半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:陕西;61

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