显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种含有量子点的显示装置。本发明专利技术为一种具备显示区域的显示装置(1)，其特征在于，所述显示区域具有第一电极(11)、所述第一电极与发光层之间的层(12)、所述发光层(13)、所述发光层与第二电极之间的层(14)以及所述第二电极(15)按照该顺序层叠在基板上的发光元件，所述发光层由含有量子点的无机层形成，所述发光元件为底部发光型。在本发明专利技术中，优选，自所述第一电极至所述第二电极的所有的层由无机层形成。

display device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置
本专利技术涉及一种使用量子点的显示装置。
技术介绍
在下述的专利文献中公开有一种涉及有机EL(organicelectro-luminescence)的专利技术。通过在基板上层叠阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极而构成有机EL元件。这种有机EL元件由有机化合物形成，通过注入到有机化合物中的电子与空穴的再复合而产生的激子发光。专利文献1：日本特开2017-45650号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是近几年，使用量子点的发光元件的开发正在推进。量子点为由数百～数千个左右的原子构成、粒径为数nm～数十nm左右的纳米粒子。量子点也被称作荧光纳米粒子、半导体纳米粒子或者纳米晶体。量子点具有利用纳米粒子的粒径和组成而能够对发光波长进行各种变更的特征。与有机EL元件同样，使用量子点的发光元件能够实现薄型化和面发光。但是，底部发光型中使用量子点的发光元件的层叠构造还未确立。本专利技术正是鉴于该点而作出的专利技术，其目的在于提供一种具备含有量子点的发光元件的显示装置。用于解决课题的方案本专利技术为一种具备显示区域的显示装置，其特征在于，所述显示区域具有第一电极、所述第一电极与发光层之间的层、所述发光层、所述发光层与第二电极之间的层以及所述第二电极按照该顺序层叠在基板上的发光元件，所述发光层由含有量子点的无机层形成，所述发光元件为底部发光型。在本专利技术中，优选，自所述第一电极至所述第二电极的所有的层由无机层形成。在本专利技术中，优选，所述第一电极与发光层之间的层、所述发光层以及所述发光层与第二电极之间的层为由纳米粒子形成的所述无机层。而且，在本专利技术中，优选，所述显示装置具有可挠性。而且，在本专利技术中，优选，所述量子点为核的表面未被壳包覆的结构。而且，在本专利技术中，优选，所述第一电极与发光层之间的层、所述发光层以及所述发光层与第二电极之间的层中的至少任一层利用喷墨法形成。而且，在本专利技术中，优选，位于所述第一电极与所述第二电极之间的所有的层通过涂布形成。专利技术的效果本专利技术的显示装置能够使用于显示装置中的含有量子点的发光元件的层叠构造合理化。而且，在本专利技术中，可以由无机层形成自阳极至阴极的所有的层。附图说明图1为本实施方式的显示装置的局部俯视图。图2为放大表示图1所示的显示装置一个显示区域的局部放大剖面图。图3为用于表示与图2不同的薄膜晶体管构造的剖面图。图4中的图4A为第一实施方式中的发光元件的剖面图，图4B为第一实施方式的显示装置中各层的能级图。图5为本实施方式中的量子点的示意图。图6为与图1不同的实施方式的发光元件的剖面图。图7中的图7A为使用核壳结构的量子点时的能级图，图7B为使用核未被壳包覆结构的量子点时的能级图。图8中的图8A为与图4不同的另一发光元件的剖面图，图8B为图8A的发光元件中各层的能级图。图9为与图8不同的实施方式的发光元件的剖面图。图10中的图10A为使用核壳结构的量子点时的能级图，图10B为使用核未被壳包覆结构的量子点时的能级图。图11为用于表示利用喷墨法形成无机层的工序的示意图。图12为实施例的涂布照片。图13为Cd系绿色量子点的PYS测定数据。图14为PYS测定数据。图15为实验所使用的发光元件中各层的能级图。图16为用于表示使用绿色量子点的EL发光体和PL发光体的电流值与EQE之间关系的图形。图17为用于表示使用红色量子点的EL发光体和PL发光体的电流值与EQE之间关系的图形、以及用于表示使用蓝色量子点的EL发光体的电流值与EQE之间关系的图形。图18为用于表示实验所使用的发光元件中各层的能带间隙Eg、导带下端的能量ECB、价带上端的能量EVB的图表和各层的能级图。图19为电子传输层(ETL)所使用的ZnOx(Li)和ZnOx(K)的UV数据。图20为电子传输层(ETL)所使用的ZnOx(Li)和ZnOx(K)的PL数据。图21为电子传输层(ETL)所使用的ZnOx(Li)和ZnOx(K)的PYS数据。图22中的图22A和图22B为表示用于提高底部发光型中提取效率构成的示意图。具体实施方式下面，对本专利技术一实施方式(以下简称为“实施方式”)进行详细说明。此外，本专利技术并不限于以下的实施方式，可以在其要点范围内通过各种变形而进行实施。如图1所示，在显示装置1上以矩阵状方式配置有多个显示区域2。显示区域2具有用于发出红色光的红色发光区域2a、用于发出绿色光的绿色发光区域2b和用于发出蓝色光的蓝色发光区域2c三种。这三种发光区域2a、2b、2c例如在行方向上排列成1组，构成颜色显示中的一个像素(Pixel)。在各发光区域2a、2b、2c上分别形成有发光元件3。后面会叙述发光元件3的层构造。在各发光元件3上连接有薄膜晶体管(TFT:ThinFilmTransistor)4。发光元件3为底部发光型。如图2所示，通过在基板5上层叠栅极4a、沟道层4b、栅绝缘膜(未图示)、漏极4c、源极4d等而构成薄膜晶体管4。尽管并不要求沟道层4b的材质，但为P型半导体，例如由非晶硅形成。尽管图2所示的薄膜晶体管4为上接触下栅极型，但也可以为下接触下栅极型。源极4d连接在电源线上，漏极4c连接在发光元件3上。而且，薄膜晶体管4也可以为图3所示的上栅极型。如图3所示，在基板5上形成有沟道层4b，沟道层4b的表面由栅绝缘膜4e覆盖。并且，在栅绝缘膜4e的表面上形成有栅极4a。如图3所示，栅极4a的表面由绝缘膜4f覆盖。而且形成有贯通栅绝缘膜4e和绝缘膜4f且通到沟道层4b的多个贯通孔，通过各贯通孔分别形成有漏极4c和源极4d。进而，漏极4c和源极4d的表面由保护膜7覆盖。并且，通到漏极4c和源极4d的透明电极形成在保护膜7的表面上。图3所示的透明电极8通到漏极4c。图3所示的薄膜晶体管4的沟道层4b例如由P-Si形成。如图2所示，显示装置1为薄膜晶体管4和发光元件3介于一对基板5、6之间的构造，在各基板5、6之间以框状方式设置有未图示的密封树脂，各基板5、6之间经由密封树脂连接。下面，对发光元件3的构造进行说明。图4A为第一实施方式中的发光元件的剖面图，图4B为第一实施方式的显示装置中各层的能级图。如图4A所示，发光元件3由基板10、形成在基板上的阳极(Anode)11、形成在阳极11上的空穴传输层(HTL:HoleTransportLayer)12、形成在空穴传输层12的发光层(EML:emitterlayer)13、形成在发光层13上的电子传输层(ETL:ElectronTransportLayer)14以及形成在电子传输层14上的阴极(Cathode)15构成。在本实施方式中，阳极11被构成为第一电极、阴极15被构成为第二电极。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，具备显示区域，其特征在于，/n所述显示区域具有第一电极、所述第一电极与发光层之间的层、所述发光层、所述发光层与第二电极之间的层以及所述第二电极按照该顺序层叠在基板上的发光元件，/n所述发光层由含有量子点的无机层形成，所述发光元件为底部发光型。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171108 JP 2017-2158001.一种显示装置，具备显示区域，其特征在于，
所述显示区域具有第一电极、所述第一电极与发光层之间的层、所述发光层、所述发光层与第二电极之间的层以及所述第二电极按照该顺序层叠在基板上的发光元件，
所述发光层由含有量子点的无机层形成，所述发光元件为底部发光型。


2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
自所述第一电极至所述第二电极的所有的层由无机层形成。


3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
所述第一电极与发光层之间的层、所述发光层以及所述发光层与...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫永昭治，伊藤哲二，渡边真由子，
申请(专利权)人：NS材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP