具有高耐压绝缘结构的半导体元件封装件制造技术

本发明专利技术涉及具有高耐压绝缘结构的半导体元件封装件，包括：半导体元件；散热用散热器，在上面安装有所述半导体元件并且散热从所述半导体元件产生的热；硅胶片，具有导热性，并且接触于所述散热用散热器的下面；放热用散热器，上面具有粘合所述硅胶片的下面的平板部，并且在所述平板部的下部形成有多个通风孔；支撑件，沿着所述硅胶片的外廓线间隔预定距离地结合于所述平板部上面，并且支撑所述散热用散热器；注塑外壁框架，沿着所述散热用散热器的外廓线组装在所述平板部上面；及角落连接件，紧固于所述平板部上面的角落部，并且连接所述注塑外壁框架的端部。

Semiconductor component package with high voltage and insulation structure

【技术实现步骤摘要】
具有高耐压绝缘结构的半导体元件封装件
本专利技术涉及半导体元件封装件，更详细地说涉及具有高耐压绝缘结构的半导体元件封装件，满足半导体元件的高耐压标准的同时提高散热特性，并且隔绝可破坏绝缘的环境。
技术介绍
通常，在电气、电子领域使用的电源装置具有快速切换的电力半导体切换元件。电力半导体切换元件正在使用于广泛的产业领域，对于大部分的电力半导体切换元件正在要求承受高电压的高耐压特性。另外，电力半导体切换元件在高速切换的环境下可发生因为元件发热而损坏零部件或者电源装置的动作不良，因此通常与散热装置一同封装。在制造半导体元件封装件时尤其应该注意的是应保持封装件构成部件之间的绝缘。此时，通过绝缘结构可降低散热功能，因此需要保持高散热特定的同时强化绝缘结构的方案。尤其是，使用于车辆的半导体元件封装件有必要在高速行驶的环境下也能够无故障的长时间运行，并且要求在强烈的振动下也不破坏绝缘的特性，因此相比于其他产业领域有必要具有更加严格的高耐压绝缘结构。(现有技术文献)(专利文献)韩国专利公开第10-1998-037815号
技术实现思路
(要解决的问题)本专利技术是用于提供搭载于车辆的半导体元件封装件，目的在于提供一种具有高耐压绝缘结构的半导体元件封装件，满足半导体元件的高耐压标准的同时采用双重散热器以提高散热特性，并且利用用于绝缘的硅胶片和注塑成型结构，达到更加严格的高耐压绝缘结构，尤其是在车辆振动的情况下也不被轻易破坏。(解决问题的手段)本专利技术的一实施例的高耐压绝缘结构的半导体元件封装件包括：半导体元件；散热用散热器，在上面安装有所述半导体元件并且散热从所述半导体元件产生的热；硅胶片，具有导热性，并且接触于所述散热用散热器的下面；放热用散热器，上面具有粘合所述硅胶片的下面的平板部，并且在所述平板部的下部形成有多个通风孔；支撑件，沿着所述硅胶片的外廓线间隔预定距离地结合于所述平板部上面，并且支撑所述散热用散热器；注塑外壁框架，沿着所述散热用散热器的外廓线组装在所述平板部上面；及角落连接件，紧固于所述平板部上面的角落部，并且连接所述注塑外壁框架的端部。(专利技术的效果)根据本专利技术的具有高耐压绝缘结构的半导体元件封装件具有如下的效果：具有双重散热结构，通过散热用散热器首次分散在半导体元件产生的热，然后通过放热用散热器进行二次散热，并且在散热用散热器和放热用散热器之间介入导热性的硅胶片，保障高绝缘性的同时提高导热特性，利用配置在边框的注塑外壁框架和角落连接件使注塑坚固地结合于封装件的同时不因振动等的外部环境而被轻易破坏。附图说明图1是示例本专利技术的具有高耐压绝缘结构的半导体元件封装件的分解立体图；图2是示例本专利技术的具有高耐压绝缘结构的半导体元件封装件的分解状态的正面图；图3是示例本专利技术中的配置在边框的注塑外壁框架和用于组装注塑外壁框架的角落连接件的分解立体图；图4是示例本专利技术中的注塑外壁框架的剖面状态的图；图5是示例本专利技术中的角落连接件的前面及背面状态的立体图；及图6是示例本专利技术的具有高耐压绝缘结构的半导体元件封装件的组装状态的立体图。(附图标记说明)100：半导体元件200：散热用散热器210：凸出部220：凹陷部230：凸台部300：硅胶片400：注塑外壁框架402：垂直板部404：底板部406：防开裂槽408：注塑结合销440：角落连接件450：柱部452：倒角部454：框架插槽456：曲面部458：加固肋片460：底面支撑部462：紧固孔464：固定销480：支撑件500：放热用散热器510：平板部520：通风孔具体实施方式以下，参照附图详细说明本专利技术的具体实施例。但是这并不是要将本专利技术现定于特定的事实形态，而是应该理解为包括本专利技术的思想及技术范围内的所有改变、同等物、代替物。对于说明书全文中具有类似的结构及动作的部分赋予相同的附图标记。然后，本专利技术的附图是为了便于说明的，可夸张或者省略其形状和相对尺寸。在具体说明实施例中，省略了重复的说明或者在该领域显而易见的技术的说明。另外，在以下的说明中，在说明某一构成要素“包括”其他构成要素时，这意味着只要没有特别反对的记载还可包括除了记载的构成要素以外的构成要素。另外，在说明书“～部”、“～器”、“～模块”等的用语意味着至少处理一个功能或者动作的单位，这可由硬件或者软件、硬件及软件的结合实现。另外，在说明某一部分电连接另一部分时，这不仅包括直接连接的情况，还包括在这中间有其他结构进行连接的情况。包括诸如第一、第二等的序数的用语可用于说明各种构成要素，但是所述构成要素不限于所述用语。所述用语只以将一个构成要素从另一个构成要素区分的目的来使用。例如，在不超出本专利技术的权利范围的同时第二构成要素可命名为第一构成要素，与此类似第一构成要素也可命名为第二构成要素。本专利技术涉及具有高耐压绝缘结构的半导体元件封装件，提供满足5,400V的耐压标准的同时具有高散热特性和绝缘特性的半导体元件封装件。本专利技术的具有高耐压绝缘结构的半导体元件封装件适合使用于经常发生振动的车辆，尤其适合搭载于电动汽车或者混合动力汽车等的电源装置的电力半导体切换元件。当然，本专利技术的半导体元件封装件也可使用于其他产业领域，也可适用于不是切换元件的其他零部件。半导体元件可具有已知的常规结构，以下将对用于半导体元件的绝缘及散热结构重点进行说明。图1是示例本专利技术的具有高耐压绝缘结构的半导体元件封装件的分解立体图；图2是示例本专利技术的具有高耐压绝缘结构的半导体元件封装件的分解状态的正面图。参照图1，本专利技术的具有高耐压绝缘结构的半导体元件封装件具有从上侧依次层叠半导体元件100、散热用散热器200、硅胶片300、放热用散热器500的结构，在放热用散热器500的上面组装注塑外壁框架400、角落连接件440、支撑件480，所述注塑外壁框架400用于向封装件内部装填注塑液，所述角落连接件440用于结合注塑外壁框架400以固定所述注塑外壁框架400的位置，所述支撑件480用于以同等的高度支撑散热用散热器200。散热用散热器200上面具有用于紧固半导体元件100的多个紧固孔。散热用散热器200作为首次散热在半导体元件100产生的热的散热器，上部板具有多个凸出部210和凹陷部220，所述多个凸出部210沿周围向侧方外侧凸出，所述凹陷部220在凸出部210和凸出部210之间向内侧凹陷。凸出部210和凹陷部220沿着散热用散热器200周围形成大的凹凸，同时可引导浸渍在封装件内的注塑液顺畅地流向上部板的下方空间。散热用散热器200的下侧形成有凸台部230，所述凸台部230向下凸出并且在下面粘合硅胶片300。硅胶片300用导热性硅材料形成，并且绝缘散热用散热器200和放热用散热器500之间，同时从散热用散热器200向放热用散热器500传递热，具有绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有高耐压绝缘结构的半导体元件封装件，包括：/n半导体元件；/n散热用散热器，在上面安装有所述半导体元件并且散热从所述半导体元件产生的热；/n硅胶片，具有导热性，并且接触于所述散热用散热器的下面；/n放热用散热器，上面具有粘合所述硅胶片的下面的平板部，并且在所述平板部的下部形成有多个通风孔；/n支撑件，沿着所述硅胶片的外廓线间隔预定距离地结合于所述平板部上面，并且支撑所述散热用散热器；/n注塑外壁框架，沿着所述散热用散热器的外廓线组装在所述平板部上面；及/n角落连接件，紧固于所述平板部上面的角落部，并且连接所述注塑外壁框架的端部。/n

【技术特征摘要】
20181130 KR 10-2018-01512741.一种具有高耐压绝缘结构的半导体元件封装件，包括：
半导体元件；
散热用散热器，在上面安装有所述半导体元件并且散热从所述半导体元件产生的热；
硅胶片，具有导热性，并且接触于所述散热用散热器的下面；
放热用散热器，上面具有粘合所述硅胶片的下面的平板部，并且在所述平板部的下部形成有多个通风孔；
支撑件，沿着所述硅胶片的外廓线间隔预定距离地结合于所述平板部上面，并且支撑所述散热用散热器；
注塑外壁框架，沿着所述散热用散热器的外廓线组装在所述平板部上面；及
角落连接件，紧固于所述平板部上面的角落部，并且连接所述注塑外壁框架的端部。


2.根据权利要求1所述的具有高耐压绝缘结构的半导体元件封装件，其特征在于，所述散热用散热器的上面具有用于紧固所述半导体元件的多个紧固孔。


3.根据权利要求1所述的具有高耐压绝缘结构的半导体元件封装件，其特征在于，
所述散热用散热器的上部板具有多个凸出部和凹陷部，所述多个凸出部沿周围向侧方外侧凸出，所述凹陷部在所述凸出部之间向内侧凹陷，所述上部板的下侧形成有凸台部，所述凸台部向下凸出并且在下面粘合所述硅胶片。


4.根据权利要求1所述的具有高耐压绝缘结构的半导体元件封装件，其特征在于，
所述硅胶片具有1W/m.K的导热率的高耐压绝缘结构。


5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：安原镛，
申请(专利权)人：株式会社VCTECH，
类型：发明
国别省市：韩国;KR