半导体设备恢复方法技术

本发明专利技术提供一种半导体设备恢复方法，包括：清洁步骤，向反应腔室内通入第一工艺气体，将所述第一工艺气体激发成等离子体，以清除所述反应腔室的内壁及介质窗上的残留副产物；恢复步骤，向所述反应腔室内通入第二工艺气体，将所述第二工艺气体激发成等离子体；所述第二工艺气体用于对所述反应腔室内的涂有光胶掩膜的基片进行刻蚀，以在所述反应腔室的内壁及所述介质窗上形成附着层。应用本发明专利技术，可有效减少副产物颗粒的掉落，预防后续晶片刻蚀过程中，由于副产物掉落导致的晶片表面产生颗粒污染等问题，从而提高晶片的表面质量，同时可保持刻蚀腔室的长期稳定，有效延长反应腔室及机台的平均维护周期。

Recovery method of semiconductor equipment

【技术实现步骤摘要】
半导体设备恢复方法
本专利技术涉及半导体
，具体地，涉及一种半导体设备恢复方法。
技术介绍
刻蚀工艺是微纳制造技术中的重要工艺步骤，其工艺结果对后序器件性能有至关重要的作用。例如，在铝镓铟磷(AlGaInP)基红黄光LED芯片制造过程的切割道刻蚀工艺中，通常是将AlGaInP基材料完全刻蚀，将掩膜材料(如光胶材料、氧化硅材料等)部分刻蚀料。而随着工艺时间的累积，AlGaInP基材料刻蚀过程中产生的副产物会不断附着在反应腔室的内壁，尤其是介质窗上，若无法附着牢固(由于介质窗表面通常比较光滑，更容易附着不牢)则会产生颗粒污染，影响器件电学性能甚至导致晶片报废，产生巨大的经济损失。同时颗粒掉落也会缩短刻蚀机台的维护周期(以下均指因颗粒掉落导致机台开腔维护的周期)，影响机台产能。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体设备恢复方法。为实现本专利技术的目的而提供一种半导体设备恢复方法，包括：清洁步骤，向反应腔室内通入第一工艺气体，将所述第一工艺气体激发成等离子体，以清除所述反应腔室的内壁及介质窗上的残留副产物；恢复步骤，向所述反应腔室内通入第二工艺气体，将所述第二工艺气体激发成等离子体；所述第二工艺气体用于对所述反应腔室内的涂有光胶掩膜的基片进行刻蚀，以在所述反应腔室的内壁及所述介质窗上形成附着层。可选地，所述方法还包括再恢复步骤，所述再恢复步骤包括：向所述反应腔室内通入第二工艺气体，将所述第二工艺气体激发成等离子体，所述第二工艺气体用于对腔室内的涂有光胶掩膜的基片进行刻蚀；所述再恢复步骤于完成一次所述清洁步骤和所述恢复步骤之后的一预设工艺时间段之后，连续执行N次，N为1到5的自然数。可选地，所述预设工艺时间段为所述反应腔室连续对8-10批次的晶片进行工艺所需要消耗的时长；或者，所述预设工艺时间段为所述反应腔室连续空闲的时长，所述连续空闲的时长大于或等于半小时。可选地，所述第二工艺气体包括氯气或三氯化硼中的至少一种。可选地，在所述清洁步骤中，所述反应腔室内的压强的取值范围为10mT～20mT；所述第一工艺气体包括氧气，所述氧气的流量的取值范围为200sccm-300sccm，用于将所述氧气激发成等离子体的上电极电源功率的取值范围为800W-1200W。可选地，在所述清洁步骤中，所述反应腔室的温度的取值范围为0℃～20℃，所述反应腔室内的下电极电源功率取值范围为0-100W。可选地，在所述恢复步骤中，所述反应腔室内的压强的取值范围为10mT～20mT；所述第二工艺气体包括氯气，所述氯气的流量的取值范围为100sccm-300sccm，用于将所述氯气激发成等离子体的上电极电源功率的取值范围为400W-600W，所述反应腔室内的下电极电源功率取值范围为100W-200W。可选地，在所述恢复步骤中，所述反应腔室的温度的取值范围为-20℃～20℃；所述第二工艺气体还包括三氯化硼，所述三氯化硼的流量的取值范围为15sccm-30sccm。可选地，在所述再恢复步骤中，所述反应腔室内的压强的取值范围为10mT～20mT；所述第二工艺气体包括氯气，所述氯气的流量的取值范围为100sccm-300sccm，用于将所述氯气激发成等离子体的上电极电源功率的取值范围为400W-600W，所述反应腔室内的下电极电源功率取值范围为100W-200W。可选地，在所述再恢复步骤中，所述反应腔室的温度的取值范围为-20℃～20℃；所述第二工艺气体还包括三氯化硼，所述三氯化硼的流量的取值范围为15sccm-30sccm。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的半导体设备恢复方法，通过对涂有光胶掩膜的基片进行刻蚀，来使产生的光胶聚合物在反应腔室的内壁及石英窗上形成光胶附着层，由于光胶聚合物的黏附性较强，光胶附着层可以吸附后续晶片刻蚀所产生的副产物，可有效减少副产物颗粒的掉落，预防后续晶片刻蚀过程中，由于副产物掉落导致的晶片表面产生颗粒污染等问题，提高晶片的表面质量，同时可保持刻蚀腔室的长期稳定，有效延长反应腔室及机台的平均维护周期。附图说明图1为本专利技术实施例提供的半导体设备恢复方法的流程图。具体实施方式下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。本
技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。本
技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”和“该”也可包括复数形式。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。下面结合附图以具体的实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。本专利技术实施例提供的一种半导体设备恢复方法，主要应用于对进行工艺处理的反应腔室(可以但不限于等离子体刻蚀机台的刻蚀腔室)进行恢复，反应腔室在使用一段时间后，其内壁及介质窗上会沉积大量的副产物颗粒，颗粒掉落则会影响在反应腔室内进行工艺处理的晶片的表面质量，本实施例提供的半导体设备恢复方法可以有效减少副产物颗粒的掉落，提高晶片的表面质量。请参阅图1，本专利技术实施例提供的半导体设备恢复方法，其包括以下步骤：清洁步骤S1，向反应腔室内通入第一工艺气体，将第一工艺气体激发成等离子体，以清除反应腔室的内壁及介质窗上的残留副产物。在清洁步骤S1中，这里的清洁可以理解为现有技术中的干法清洁，其通常在湿法清洁(采用液体进行清洗)后进行，以清除反应腔室的内壁及介质窗上的残留副产物。其中，介质窗可以由石英、陶瓷、碳化硅等介质材料制成，本实施例对此不作具体限定。可以理解的是，可以应用现有技术中任意一种可以清除反应腔室的内壁及介质窗上的残留副产物的具体清洁方式，本实施例对此不作具体限定。相应的，该第一工艺气体也可以是现有技术中的一种或多种清洁用气体，如O2、SF6等，本实施例对此也不作具体限定。优选的，在清洁步骤S1中，反应腔室内可以采用10mT～20mT(毫托)的高压强，以提高第一工艺气体的反应速率，进而提升清洁效率。其中，第一工艺气体可以包括氧气。氧气可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体设备恢复方法，其特征在于，包括：/n清洁步骤，向反应腔室内通入第一工艺气体，将所述第一工艺气体激发成等离子体，以清除所述反应腔室的内壁及介质窗上的残留副产物；/n恢复步骤，向所述反应腔室内通入第二工艺气体，将所述第二工艺气体激发成等离子体；所述第二工艺气体用于对所述反应腔室内的涂有光胶掩膜的基片进行刻蚀，以在所述反应腔室的内壁及所述介质窗上形成附着层。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备恢复方法，其特征在于，包括：
清洁步骤，向反应腔室内通入第一工艺气体，将所述第一工艺气体激发成等离子体，以清除所述反应腔室的内壁及介质窗上的残留副产物；
恢复步骤，向所述反应腔室内通入第二工艺气体，将所述第二工艺气体激发成等离子体；所述第二工艺气体用于对所述反应腔室内的涂有光胶掩膜的基片进行刻蚀，以在所述反应腔室的内壁及所述介质窗上形成附着层。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括再恢复步骤，所述再恢复步骤包括：
向所述反应腔室内通入第二工艺气体，将所述第二工艺气体激发成等离子体，所述第二工艺气体用于对腔室内的涂有光胶掩膜的基片进行刻蚀；
所述再恢复步骤于完成一次所述清洁步骤和所述恢复步骤之后的一预设工艺时间段之后，连续执行N次，N为1到5的自然数。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设工艺时间段为所述反应腔室连续对8-10批次的晶片进行工艺所需要消耗的时长；或者，所述预设工艺时间段为所述反应腔室连续空闲的时长，所述连续空闲的时长大于或等于半小时。


4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述第二工艺气体包括氯气或三氯化硼中的至少一种。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述清洁步骤中，所述反应腔室内的压强的取值范围为10mT～20mT；
所述第一工艺气体包括氧气，所述氧气的流量的取值范围为200sccm-300sccm，用于将所述氧气激发成等离子体的上电极电源功率的取值范围为80...

【专利技术属性】
技术研发人员：国唯唯，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11