【技术实现步骤摘要】
液晶显示元件的半成品、液晶显示元件以及显示装置
本专利技术涉及一种液晶显示元件的半成品、液晶显示元件以及显示装置,尤其涉及一种适用于垂直取向及纵向电场的液晶显示元件的半成品、液晶显示元件以及显示装置。
技术介绍
液晶显示元件根据液晶分子的动作模式而被分类为相变(phasechange,PC)、扭转向列(twistednematic,TN)、超扭转向列(supertwistednematic,STN)、电控双折射(electricallycontrolledbirefringence,ECB)、光学补偿弯曲(opticallycompensatedbend,OCB)、共面切换(in-planeswitching,IPS)、垂直取向(verticalalignment,VA)、边缘场切换(fringefieldswitching,FFS)、电场感应光反应取向(field-inducedphoto-reactivealignment,FPA)等模式。根据元件的驱动方式而被分类为无源矩阵(passivematrix,PM)与有源矩阵(activematrix,AM)。PM被分类为静态式(static)、多路复用式(multiplex)等,AM被分类为薄膜晶体管(thinfilmtransistor,TFT)、金属-绝缘体-金属(metalinsulatormetal,MIM)等。TFT被分类为非晶硅(amorphoussilicon)及多晶硅(polycrystalsilicon)。后者依制造步骤而被分类为高温型与低温型。根 ...
【技术保护点】
1.一种液晶显示元件的半成品,包括:/n第一基板,包括第一支撑基板及位于所述第一支撑基板上的第一电极;/n第二基板,与所述第一基板相向配置,所述第二基板包括第二支撑基板及位于所述第二支撑基板上的第二电极,所述第二电极面对所述第一电极;/n液晶层,位于所述第一基板中的所述第一电极与所述第二基板中的所述第二电极之间,其中所述液晶层包含液晶组合物,所述液晶组合物包括液晶分子及光聚合性单体;以及/n第一无机层,位于所述第一基板与所述液晶层之间;/n其中所述第一电极与所述第二电极之间产生纵向电场,以驱动所述液晶层中的所述液晶分子,/n所述液晶分子的长轴平行所述纵向电场的电场方向。/n
【技术特征摘要】
20181130 TW 1071428311.一种液晶显示元件的半成品,包括:
第一基板,包括第一支撑基板及位于所述第一支撑基板上的第一电极;
第二基板,与所述第一基板相向配置,所述第二基板包括第二支撑基板及位于所述第二支撑基板上的第二电极,所述第二电极面对所述第一电极;
液晶层,位于所述第一基板中的所述第一电极与所述第二基板中的所述第二电极之间,其中所述液晶层包含液晶组合物,所述液晶组合物包括液晶分子及光聚合性单体;以及
第一无机层,位于所述第一基板与所述液晶层之间;
其中所述第一电极与所述第二电极之间产生纵向电场,以驱动所述液晶层中的所述液晶分子,
所述液晶分子的长轴平行所述纵向电场的电场方向。
2.根据权利要求1所述的液晶显示元件的半成品,其中所述第一无机层的材料为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
3.根据权利要求1所述的液晶显示元件的半成品,还包括第二无机层,所述第二无机层位于所述第二基板与所述液晶层之间,且所述第二无机层覆盖于所述第二基板的所述第二电极上。
4.根据权利要求3所述的液晶显示元件的半成品,其中所述第二无机层的材料为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
5.根据权利要求1所述的液晶显示元件的半成品,其中所述第一电极包括多个导电图案,所述多个导电图案彼此电性连接,并且间隔排列于所述第一支撑基板上。
6.根据权利要求5所述的液晶显示元件的半成品,其中所述第一无机层覆盖于所述多个导电图案以及所述第一支撑基板经由所述多个导电图案所曝露出的部分上。
7.根据权利要求5所述的液晶显示元件的半成品,其中所述多个导电图案中的任一个导电图案的宽度为2μm~10μm。
8.根据权利要求5所述的液晶显示元件的半成品,其中所述多个导电图案中的任两个相邻的导电图案之间的距离为2μm~10μm。
9.根据权利要求1所述的液晶显示元件的半成品,其中所述液晶显示元件的半成品不包括含有聚酰亚胺的取向膜。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的液晶显示元件的半成品,其中以所述液晶组合物为100重量%计,所述光聚合性单体的含量为0.01重量%~5.0重量%。
11.根据权利要求1所述的液晶显示元件的半成品,其中所述光聚合性单体包括式(3)、式(4)及式(5)所表示的化合物中的至少一者,
式(3)及式(4)中,R5为氢、氟、氯、碳数1至25的烷基或-Sp3-P3,所述烷基中,至少一个-CH2-可经-NR0-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-或碳数3至8的亚环烷基取代,而且至少一个三级碳(>CH-)可经氮(>N-)取代,这些基中,至少一个氢可经氟或氯取代,此处,R0为氢或碳数1至12的烷基;R6为式(A1)至式(A4)所表示的基;R7为氢或碳数1至15的烷基,所述烷基中,至少一个-CH2-可经-O-或-S-取代,至少一个-CH2CH2-可经-CH=CH-或-C≡C-取代,这些基中,至少一个氢可经氟或氯取代;R8为式(A5)及式(A6)所表示的基;环F、环G、环I及环J为1,4-亚环己基、1,4-亚环己烯基、1,4-亚苯基、萘-1,2-二基、萘-1,3-二基、萘-1,4-二基、萘-1,5-二基、萘-1,6-二基、萘-1,7-二基、萘-1,8-二基、萘-2,3-二基、萘-2,6-二基、萘-2,7-二基、四氢吡喃-2,5-二基、1,3-二噁烷-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基或吡啶-2,5-二基,这些环中,至少一个氢可经氟、氯、碳数1至12的烷基、碳数1至12的烷氧基、或者至少一个氢经氟或氯取代的碳数1至12的烷基取代;Z4及Z5为单键或碳数1至10的亚烷基,所述亚烷基中,至少一个-CH2-可经-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代,而且至少一个-CH2CH2-可经-CH=CH-、-C(CH3)=CH-、-CH=C(CH3)-或-C(CH3)=C(CH3)-取代,这些基中,至少一个氢可经氟或氯取代;Sp1、Sp2及Sp3为单键或碳数1至10的亚烷基,所述亚烷基中,至少一个-CH2-可经-O-、-COO-、-OCO-或-OCOO-取代,而且至少一个-CH2CH2-可经-CH=CH-或-C≡C-取代,这些基中,至少一个氢可经氟、氯、-OCO-CH=CH2或-OCO-C(CH3)=CH2取代;P1、P2及P3为聚合性基;d及g为0、1、2、3或4;e及f为0、1、2、3或4;此处,式(3)中,在e与f之和为0的情况下,R5为-Sp3-P3;
式(A1)至式(A4)中,Sp4及Sp6为单键或碳数1至20的亚烷基,所述亚烷基中,至少一个-CH2-可经-O-、-S-、-NH-、-N(R0)-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-N(R0)-CO-O-、-O-CO-N(R0)-、-N(R0)-CO-N(R0)-、-CH=CH-或-C≡C-取代,这些基中,至少一个氢可经氟、氯或-CN取代,此处,R0为氢或碳数1至12的烷基;Sp5为>CR0-或>N-;X1为-OR0、-COOH、-N(R0)2、-SR0、
X2为-O-、-CO-、-NR0-、-S-或单键;环K为碳数6至25的芳香族基或碳数3至25的脂环式基,这些基可为缩合环,这些基中,一个至三个氢可经RL取代;RL为-OH、-(CH2)i-OH、氟、氯、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(R0)2、-C(=O)R0、-N(R0)2、-(CH2)i-N(R0)2、-SH、-SR0、碳数6至20的芳基、碳数6至20的杂芳基、碳数1至25的烷基、碳数1至25的烷氧基、碳数2至25的烷基羰基、碳数2至25的烷氧基羰基、碳数2至25的烷基羰氧基或碳数2至25的烷氧基羰氧基,这些基中,至少一个氢可经...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄名鸿,宋依霖,姜俊宏,
申请(专利权)人:台湾捷恩智股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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