一种真空灭弧室的外壳组件及真空灭弧室制造技术

本实用新型专利技术涉及一种真空灭弧室的外壳组件与真空灭弧室，屏蔽筒的固定采用旋压铆接的结构代替传统的焊接工艺，工艺简单，良品高。连接环的连接壁与连接段的相对面之间微间隙配合，尽量减小空隙，避免屏蔽筒倾斜，保证屏蔽筒与瓷壳的同轴度。瓷壳、屏蔽筒与连接环互不干涉，保证落位到位，基本无空隙，保证旋压铆接的紧固。本实用新型专利技术中，连接环的连接壁设置圆弧过渡的倒角，避免因尖端与屏蔽筒干涉，导致连接环落不到位，造成旋压铆接的效果差，装配不稳固；而且能够在旋压铆接时承受下压力，保护瓷壳不会因受力过大而导致机械受损。实施时，连接环可采用金属材质进行加工，与瓷壳相比，尺寸精度更易于控制，保证产品的一致性。

Shell assembly and vacuum interrupter of a vacuum interrupter

【技术实现步骤摘要】
一种真空灭弧室的外壳组件及真空灭弧室
本技术涉及真空灭弧室技术邻域，更具体地说，涉及一种真空灭弧室的外壳组件，以及一种真空灭弧室。
技术介绍
真空灭弧室，又名真空开关管，是中高压电力开关的核心部件，其主要作用是，通过管内真空优良的绝缘性使中高压电路切断电源后能迅速熄弧并抑制电流，避免事故和意外的发生，主要应用于电力的输配电控制系统。真空灭弧室的主要部件包括触头、导电杆、瓷壳、屏蔽筒等，屏蔽筒固定在瓷壳的固定筋上。当触头之间开断产生电弧时，有大量的金属蒸汽和液滴向真空灭弧室四周喷溅，这些电弧生成物如果沉积在真空灭弧室的内表面，使灭弧室的绝缘强度降低。真空灭弧室的屏蔽筒的主要作用是起到挡住电弧的生成物，防止绝缘外壳被生成物污染。因此，屏蔽筒对灭弧室的弧后介质强度、恢复速度和开断能力起着重要作用。现有技术中，通常将屏蔽筒焊接在瓷壳的固定筋上，瓷壳固定筋需要增加涂覆金属化，工艺复杂，且屏蔽筒与瓷壳直接钎焊，由于材料热膨胀系数不一样，应力大，容易导致瓷壳固定筋拉裂，焊接不牢，则容易造成屏蔽筒脱落而导致产品报废。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种真空灭弧室的外壳组件，采用旋压铆接的结构实现屏蔽筒的稳固连接，并最大限度地保证瓷壳在生产过程中不受损伤。本技术的技术方案如下：一种真空灭弧室的外壳组件，包括管状的瓷壳、屏蔽筒，瓷壳的内壁沿径向设置有限位凸起，屏蔽筒的一端为缩径的连接段，连接段外套设有连接环，通过连接段与连接环进行连接，实现屏蔽筒在瓷壳内的固定；连接环的连接壁的内侧面与连接段的外壁相对，均沿轴向方向设置为直壁，连接段的端部与连接环的连接壁通过旋压铆接进行连接。作为优选，连接环的连接壁与连接段之间为等间距的微间隙配合。作为优选，屏蔽筒的连接段的端部预留用于旋压铆接的长度足够从连接环的连接壁的端部包覆至连接壁的外侧，且包覆至连接壁的外侧的长度不超过2mm。作为优选，旋压铆接前，瓷壳、屏蔽筒与连接环装配到位时，连接段的端部与连接壁的端部的长度差h≈d+2mm，其中，d为连接壁的厚度。作为优选，屏蔽筒的连接段的厚度为0.4mm-0.7mm。作为优选，连接环的连接壁朝向连接段的端角设置为圆弧过渡的倒角。作为优选，限位凸起朝向连接环的抵靠面与连接环的顶抵面设置为平面，连接环的顶抵面与限位凸起的抵靠面贴合设置。作为优选，连接环为“L”型截面的圆环。作为优选，屏蔽筒的连接段通过倾斜缩口段形成倾斜过度，限位凸起与倾斜缩口段相对的面设置为倾斜面，屏蔽筒的倾斜缩口段与限位凸起的倾斜面贴合设置。一种真空灭弧室，包括所述的外壳组件、导电杆、上密封件、下密封件，外壳组件、导电杆、上密封件、下密封件装配为一体。本技术的有益效果如下：本技术所述的真空灭弧室的外壳组件与真空灭弧室，对于屏蔽筒的固定，采用旋压铆接的结构代替传统的焊接工艺，工艺简单，良品高。连接环的连接壁与连接段的相对面之间微间隙配合，尽量减小空隙，避免屏蔽筒倾斜，保证屏蔽筒与瓷壳的同轴度。本技术中，瓷壳、屏蔽筒与连接环互不干涉，保证落位到位，瓷壳、屏蔽筒与连接环基本无空隙，保证旋压铆接的紧固。屏蔽筒的连接段用于旋压铆接的薄厚与长度合理，即保证能够轻松进行旋压铆接，并保证足够的铆接强度。本技术中，连接环的连接壁设置圆弧过渡的倒角，避免因尖端与屏蔽筒干涉，导致连接环落不到位，造成旋压铆接的效果差，装配不稳固；而且能够在旋压铆接时承受下压力，保护瓷壳不会因受力过大而导致机械受损。实施时，连接环可采用金属材质进行加工，与瓷壳相比，尺寸精度更易于控制，保证产品的一致性。附图说明图1是外壳组件的结构示意图；图2是外壳组件的剖视图；图3是图2的局部A的局部放大图；图4是真空灭弧室的结构示意图；图中：10是瓷壳，11是限位凸起，111是抵靠面，112是倾斜面，20是屏蔽筒，21是连接段，22是倾斜缩口段，30是连接环，31是连接壁，32是顶抵面，33是倒角，40是导电杆，50是上密封件，60是下密封件。具体实施方式以下结合附图及实施例对本技术进行进一步的详细说明。本技术为了解决现有技术存在的焊接工艺操作复杂、存在质量隐患等不足，提供一种真空灭弧室的外壳组件，以及基于该外壳组件的真空灭弧室。如图1、图2、图3所示，所述的真空灭弧室的外壳组件，包括管状的瓷壳10、屏蔽筒20，瓷壳10的内壁沿径向设置有限位凸起11，屏蔽筒20的一端为缩径的连接段21，连接段21外套设有连接环30，通过连接段21与连接环30进行连接，实现屏蔽筒20在瓷壳10内的固定。装配时，连接段21穿过限位凸起11，限位凸起11对屏蔽筒20形成限位，连接环30从屏蔽筒20的连接段21进行套设，再将连接段21与连接环30进行连接，进行屏蔽筒20在限位凸起11的上下两侧均形成固定限位，完成屏蔽筒20在瓷壳10内的固定。本技术中，连接环30的连接壁31的内侧面与连接段21的外壁相对，均沿轴向方向设置为直壁，即屏蔽筒20的连接段21的外壁形成沿轴向设置的直筒，至少在连接环30的连接壁31沿轴向方向的高度范围内，为表面平滑、无设置台阶或凹进的直壁；连接环30的连接壁31的内壁形成沿轴向设置的直筒。连接段21的端部与连接环30的连接壁31通过旋压铆接进行连接。通过旋压铆接，屏蔽筒20的连接段21的端部形成翻折铆边，将连接环30压紧于限位凸起11，进而与屏蔽筒20在限位凸起11的上下两侧形成夹紧效果，完成屏蔽筒20在瓷壳10内的固定。本技术中，连接环30的连接壁31与连接段21的相对面沿轴向方向设置为直壁，进而在旋压铆接时，能够减小连接环30与连接段21之间的铆接空档，防止铆接时造成屏蔽筒20发生倾斜而导致屏蔽筒20与瓷壳10的同轴度不良、造成耐压不良的问题。其中，限位凸起11可以是绕径向周圈设置的若干个均布的断点式凸块，也可以是完整周圈的环形凸筋。本实施例中，限位凸起11为完整周圈的环形凸筋。本实施例中，连接环30的连接壁31与连接段21之间为等间距的微间隙配合，进而尽可能地解决铆接时屏蔽筒20的倾斜问题，最大限度地保证屏蔽筒20与瓷壳10的同轴度。屏蔽筒20的连接段21的端部用于旋压铆接，不宜过长或过短；如果过长，则与旋铆头部配合不好，如果过短，则造成铆接量不足，屏蔽筒20挂不住连接环30上。本实施例中，屏蔽筒20的连接段21的端部预留用于旋压铆接的长度足够从连接环30的连接壁31的端部包覆至连接壁31的外侧，且包覆至连接壁31的外侧的长度不超过2mm。具体地，旋压铆接前，瓷壳10、屏蔽筒20与连接环30装配到位时，连接段21的端部与连接壁31的端部的长度差h≈d+2mm，其中，d为连接壁31的厚度。即，瓷壳10、屏蔽筒20与连接环30放置到位后，连接壁31的端部至连接段21的端部的距离大致为连接壁31的厚度+2mm。同时，用于铆接的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种真空灭弧室的外壳组件，包括管状的瓷壳、屏蔽筒，瓷壳的内壁沿径向设置有限位凸起，屏蔽筒的一端为缩径的连接段，连接段外套设有连接环，通过连接段与连接环进行连接，实现屏蔽筒在瓷壳内的固定；其特征在于，连接环的连接壁的内侧面与连接段的外壁相对，均沿轴向方向设置为直壁，连接段的端部与连接环的连接壁通过旋压铆接进行连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种真空灭弧室的外壳组件，包括管状的瓷壳、屏蔽筒，瓷壳的内壁沿径向设置有限位凸起，屏蔽筒的一端为缩径的连接段，连接段外套设有连接环，通过连接段与连接环进行连接，实现屏蔽筒在瓷壳内的固定；其特征在于，连接环的连接壁的内侧面与连接段的外壁相对，均沿轴向方向设置为直壁，连接段的端部与连接环的连接壁通过旋压铆接进行连接。


2.根据权利要求1所述的真空灭弧室的外壳组件，其特征在于，连接环的连接壁与连接段之间为等间距的微间隙配合。


3.根据权利要求1所述的真空灭弧室的外壳组件，其特征在于，屏蔽筒的连接段的端部预留用于旋压铆接的长度足够从连接环的连接壁的端部包覆至连接壁的外侧，且包覆至连接壁的外侧的长度不超过2mm。


4.根据权利要求3所述的真空灭弧室的外壳组件，其特征在于，旋压铆接前，瓷壳、屏蔽筒与连接环装配到位时，连接段的端部与连接壁的端部的长度差h≈d+2mm，其中，d为连接壁的厚度。


5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：何跃，朱朝南，周瑶，陈晓燕，胡国星，陈柏良，
申请(专利权)人：厦门宏发电力电器有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35