一种钙钛矿发光器件及显示面板的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种钙钛矿发光器件及显示面板的制备方法，所述显示面板的制备方法包括：提供一基底并在基底上形成第一电极层；在形成有第一电极层的基底上形成像素定义层；通过喷墨打印法制备所述发光层的步骤，其中，所述发光层采用钙钛矿发光材料制备；在发光层上形成第二电极层；本发明专利技术所述显示面板的制备方法通过采用喷墨打印的方法制备钙钛矿发光层和底部功能层能满足大面积钙钛矿发光器件和显示面板的制备需求。

A preparation method of perovskite light-emitting device and display panel

【技术实现步骤摘要】
一种钙钛矿发光器件及显示面板的制备方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种钙钛矿发光器件及显示面板的制备方法。
技术介绍
钙钛矿结构的新型材料，是一种新型的光电材料。钙钛矿材料由于其优异的光电性能，在光伏和发光领域，得到了广泛的应用。特别是在发光领域，与传统的有机荧光、磷光发光材料相类似，钙钛矿材料可以用在发光层当中。在电流的驱动下，钙钛矿材能发出耀眼的荧光。目前，钙钛矿材料的薄膜均通过旋涂的方法制备。但是，旋涂方法不适合用于大面积显示器件的制备，也不能用于进行高精度的像素级别的成膜。因此，需要采用新的方法来进行钙钛矿发光器件的制备，以便满足显示应用的需求。因此，亟需提供一种钙钛矿发光器件及显示面板的制备方法，以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决上述问题，提供一种钙钛矿发光器件及显示面板的制备方法，所述钙钛矿发光器件通过采用钙钛矿发光材料的发光层，能显著提高发光器件的发光效率和发光亮度；所述显示面板的制备方法通过采用喷墨打印法制备钙钛矿材料发光层能满足大面积钙钛矿发光器件和显示面板的制备需求。为了实现上述目的，本专利技术采取了以下技术方案。本专利技术提供一种钙钛矿发光器件，包括：一基底；位于所述基底上的一第一电极层；与所述第一电极层相对且间隔开的一第二电极层；以及，位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的一发光层；其中，所述发光层为钙钛矿发光材料，并且所述钙钛矿发光材料的分子式为：ABO3，其中：A为Cs+、CH3NH3+、C6H5C2H4NH3+、HC(NH2)2+中的一种，B为Pb3+、Bi3+或Sn3+中的一种，O为Cl-、Br-或I-的至少一种。进一步，所述钙钛矿发光器件还包括至少一功能层，所述功能层位于所述发光层与所述第一电极层或所述第二电极层之间。进一步，所述功能层为空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子注入层、电子传输层或电子阻挡层中的至少一种。本专利技术还提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括多个钙钛矿发光器件，所述制备方法包括以下步骤：提供一基底并在所述基底上制备第一电极层的步骤；在制备有所述第一电极层的所述基底上制备像素定义层的步骤，其中，所述像素定义层包括多个挡墙，所述挡墙与所述第一电极层相配合界定出多个像素区域；在所述像素区域内通过喷墨打印法制备发光层的步骤，其中，所述发光层采用钙钛矿发光材料制备；以及，在所述发光层上制备第二电极层的步骤。进一步所述通过喷墨打印法制备所述发光层包括如下步骤：将钙钛矿墨水喷涂于所述像素区域的步骤；对喷涂到所述像素区域的所述钙钛矿墨水进行固化处理形成预处理膜的步骤；以及，对所述预处理膜进行热处理的步骤。进一步，所述钙钛矿发光器件还包括至少一功能层，则所述显示面板的制备方法还包括以下步骤：在制备所述发光层前，在所述像素区域通过喷墨打印的方法制备一所述功能层的步骤；或者，在制备所述第二电极层前，在所述发光层上通过真空热蒸镀法制备一所述功能层的步骤。进一步，所述功能层选自空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子注入层、电子传输层或电子阻挡层中的至少一种。进一步，所述第一电极层采用离子溅射法制备。进一步，所述第二电极层采用真空热蒸镀法制备。本专利技术所述钙钛矿发光器件及显示面板的制备方法的有益效果在于：本专利技术所述钙钛矿发光器件通过采用钙钛矿发光材料的发光层能显著提高发光器件的发光效率和发光亮度。本专利技术所述显示面板的制备方法，通过采用喷墨打印的方法制备钙钛矿材料发光层和底部有机层，能满足大面积钙钛矿显示器件及显示面板的制备需求。附图说明下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1是所述钙钛矿发光器件的结构示意图。图2是所述显示面板的制备方法的示意性流程图。图3是所述显示面板的制备方法的一实施例的示意性流程图。图4是所述显示面板的制备方法的另一实施例的示意性流程图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。图1是所述钙钛矿发光器件的结构示意图。如图1所示，本专利技术所述钙钛矿器件100包括一基底10、设置于所述基底上10上一第一电极层20、与所述第一电极层20相对且间隔开的一第二电极层40、以及位于所述第一电极层20和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钙钛矿发光器件，其特征在于，包括：/n一基底；/n位于所述基底上的一第一电极层；/n与所述第一电极层相对且间隔开的一第二电极层；以及，/n位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的一发光层；/n其中，所述发光层为钙钛矿发光材料，并且所述钙钛矿发光材料的分子式为：/nABO

【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿发光器件，其特征在于，包括：
一基底；
位于所述基底上的一第一电极层；
与所述第一电极层相对且间隔开的一第二电极层；以及，
位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的一发光层；
其中，所述发光层为钙钛矿发光材料，并且所述钙钛矿发光材料的分子式为：
ABO3，
其中：A为Cs+、CH3NH3+、C6H5C2H4NH3+、HC(NH2)2+中的一种，B为Pb3+、Bi3+或Sn3+中的一种，O为Cl-、Br-或I-的至少一种。


2.根据权利要求1所述的钙钛矿发光器件，其特征在于，所述钙钛矿发光器件还包括至少一功能层，所述功能层位于所述发光层与所述第一电极层或所述第二电极层之间。


3.根据权利要求2所述的钙钛矿发光器件，其特征在于，所述功能层为空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子注入层、电子传输层或电子阻挡层中的至少一种。


4.一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括多个钙钛矿发光器件，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
提供一基底并在所述基底上制备第一电极层的步骤；
在制备有所述第一电极层的所述基底上制备像素定义层的步骤，其中，所述像素定义层包括多个挡墙，所述挡墙与所述第一电极层相配合界定出多个像素区域；
在...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹勇明，李佳育，徐君哲，段淼，何波，江沛，吴永伟，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44