一种量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种量子点发光二极管及其制备方法，其中，所述量子点发光二极管包括层叠设置的基板、电极层、量子点发光层以及耦合层，所述耦合层的材料为导电材料分散在胶黏剂中形成的导电胶浆。本发明专利技术提供的量子点发光二极管结构简单，叠层数少，有利于降低启动电压和工艺繁琐度，并且所述耦合层还可对量子点发光层起到密封作用，能有效阻绝水和氧的侵入，从而提高量子点发光二极管的使用寿命。

A quantum dot light-emitting diode and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光二极管及其制备方法
本专利技术涉及发光二极管领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
目前，量子点发光二极管（QLED）器件多采用类似三明治的层叠结构，通常包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极及封装层。其制备则主要采用溶液加工与真空蒸镀相结合实现，其中空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层主要通过溶液加工工艺实现，金属电极则是通过真空蒸镀制备。显而易见的是，QLED器件结构中层叠数多，厚度变厚，工序增多，导致启动电压较大，制备工艺繁琐。真空蒸镀工艺则由于设备投资和维护费用高昂，材料浪费严重，因此成本居高不下；此外，量子点发光层对水和氧气非常敏感，水、氧气的侵入严重影响器件寿命和效率，因此还需要对功能层进行封装密封。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有量子点发光二极管层叠数多、厚度过厚，导致启动电压较大的问题。本专利技术的技术方案如下：一种量子点发光二极管，其中，包括层叠设置的基板、电极层、量子点发光层以及耦合层，所述耦合层的材料为导电材料分散在胶黏剂中形成的导电胶浆。一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：提供一基板以及一种由导电材料分散在胶黏剂中形成的导电胶浆；在所述基板上沉积电极层；在所述电极层表面沉积量子点发光层；在所述量子点发光层表面沉积所述导电胶浆形成耦合层，将所述耦合层进行固化制得量子点发光二极管。有益效果：相对于传统量子点发光二极管，本专利技术提供一种包括耦合层的量子点发光二极管，所述耦合层的材料为导电材料分散在胶黏剂中形成的导电胶浆。本专利技术提供的量子点发光二极管结构简单，叠层数少，有利于降低启动电压和工艺繁琐度，并且所述耦合层还可对量子点发光层起到密封作用，能有效阻绝水和氧的侵入，从而提高量子点发光二极管的使用寿命。附图说明图1为本专利技术实施例1中量子点发光二极管的结构示意图。图2为本专利技术实施例2中量子点发光二极管的结构示意图。图3为本专利技术实施例3中量子点发光二极管的结构示意图。图4为本专利技术实施例4中量子点发光二极管的结构示意图。具体实施方式本专利技术提供一种量子点发光二极管及其制备方法，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术实施例提供一种量子点发光二极管，其包括层叠设置的基板、电极层、量子点发光层以及耦合层，所述耦合层的材料为导电材料分散在胶黏剂中形成的导电胶浆。本实施例中的量子点发光二极管结构简单，叠层数少，有利于降低启动电压和工艺繁琐度，并且所述耦合层还可对量子点发光层起到密封作用，在不需要进行额外密封处理情况下，所述量子点发光二极管仍能保持对水氧的有效阻隔，从而提高量子点发光二极管的使用寿命。在本实施例中，所述耦合层为导电材料与胶黏剂耦合形成的导电胶浆沉积而成的薄膜层，所述薄膜层中的导电材料使其具有导电并传输载流子的功能，所述薄膜层中的胶黏剂使其具有对量子点发光层进行密封的作用。本实施例将所述导电材料分散在胶黏剂中形成导电胶浆，所述导电胶浆在沉积成膜后得到耦合层，所述耦合层可同时具有电极层和封装层的作用，或功能层、电极层和封装层的作用，有效减少了传统量子点发光二极管的叠层数，从而降低其启动电压和工艺繁琐度。在一种优选的实施方式中，所述导电材料为纳米金属颗粒，即所述导电胶浆由纳米金属颗粒分散在胶黏剂中形成，此时导电胶浆沉积形成的耦合层同时充当电极层和封装层的作用。优选的，当所述耦合层同时充当阳极层和封装层时，为提升量子点发光二极管的发光效率，在所述耦合层和量子点发光层之间可设置空穴功能层，所述空穴功能层包括空穴传输层、空穴注入层和电子阻碍层等中的一种或多种。优选的，当所述耦合层同时充当阴极层和封装层时，为提升量子点发光二极管的发光效率，则在所述耦合层和量子点发光层之间可设置电子功能层，所述电子功能层包括电子传输层、电子注入层和空穴阻碍层等中的一种或多种。更优选的，所述纳米金属颗粒为Ag、Al、Cu、Au和Ca中的一种或多种，但不限于此。在另一种优选的实施方式中，所述导电材料为包括纳米金属颗粒和p型半导体纳米材料的第二混合物，当然，导电材料中除了纳米金属颗粒和p型半导体纳米材料外，可能还会存在其他杂质，这些杂质对导电材料的导电性能和二极管的发光性能不产生有利或有害的影响。进一步地，为了避免导电材料中可能存在的其他杂质对本专利技术实施例中发光二极管的影响，所述导电材料为由纳米金属颗粒和p型半导体材料组成的第二混合物，即所述导电胶浆由纳米金属颗粒和p型半导体材料分散在胶黏剂中形成，所述p型半导体材料在通电后有助于将空穴快速传输至量子点发光层，提升量子点发光二极管的发光效率。相对于传统的量子点发光二极管结构，本实施例中的所述耦合层可同时充当空穴传输层、电极层和封装层的作用，其能够有效减少量子点发光二极管的叠层数，并简化量子点发光二极管的结构，从而有利于降低量子点发光二极管的启动高电压和工艺繁琐度。进一步的，所述耦合层还可对量子点发光层可起到密封作用，能有效阻绝水和氧的侵入，提高量子点发光二极管的器件寿命。在本实施例中，所述纳米金属颗粒为Ag、Al、Cu、Au和Ca中的一种或多种，但不限于此；所述p型半导体纳米材料为NiO和MoO3中的一种或两种，但不限于此。优选的，本实施例中，为进一步提高量子点发光二极管的发光效率，在所述电极层和量子点发光层之间设置电子功能层，所述电子功能层包括电子传输层、电子注入层和空穴阻碍层中的一种或多种。在另一种优选的实施方式中，导电材料为包括纳米金属颗粒和n型半导体纳米材料的第一混合物。当然，导电材料中除了纳米金属颗粒和n型半导体纳米材料外，可能还会存在其他杂质，这些杂质对导电材料的导电性能和二极管的发光性能不产生有利或有害的影响。进一步地，为了避免导电材料中可能存在的其他杂质对本专利技术实施例中发光二极管的影响，所述导电材料为由纳米金属颗粒和n型半导体材料组成的第一混合物，即所述导电胶浆由纳米金属颗粒和n型半导体材料分散在胶黏剂中形成，所述n型半导体材料在通电后有助于将电子快速传输至量子点发光层，从而提升量子点发光二极管的发光效率。相对于传统的量子点发光二极管结构，本实施例中的所述耦合层可同时充当电子传输层、电极层和封装层的作用，其能够有效减少量子点发光二极管的叠层数，并简化量子点发光二极管的结构，从而有利于降低量子点发光二极管的启动高电压和工艺繁琐度。进一步的，所述耦合层还可对量子点发光层可起到密封作用，能有效阻绝水和氧的侵入，提高量子点发光二极管的器件寿命。在本实施例中，所述纳米金属颗粒为Ag、Al、Cu、Au和Ca中的一种或多种，但不限于此；所述n型半导体纳米材料为ZnO、TiO2、SnO、CsF、LiF、FeF2、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括层叠设置的基板、电极层、量子点发光层以及耦合层，所述耦合层的材料为导电材料分散在胶黏剂中形成的导电胶浆。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括层叠设置的基板、电极层、量子点发光层以及耦合层，所述耦合层的材料为导电材料分散在胶黏剂中形成的导电胶浆。


2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述导电材料为纳米金属颗粒。


3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层与耦合层之间设置有电子功能层或空穴功能层中的一种。


4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述导电材料为包括纳米金属颗粒和n型半导体纳米材料的第一混合物。


5.根据权利要求4所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述n型半导体纳米材料为ZnO、TiO2、SnO、CsF、LiF、FeF2、MgO和Alq3中的一种或多种。


6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王劲，曹蔚然，钱磊，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44