形成环绕栅极场效应晶体管的方法技术

技术编号：24414950 阅读：38 留言：0更新日期：2020-06-06 11:01

本揭示案描述了形成环绕栅极场效应晶体管的方法，用于形成半导体结构的技术，此半导体结构具有被配置为通道部分的多个半导体条。在半导体结构中，扩散中断结构在栅极结构形成之后形成，使得邻近扩散中断结构的半导体条的结构完整性不会被随后的栅极形成制程损害。扩散中断从上表面向下延伸，直到相邻通道部分的所有半导体条被扩散中断截断。

A method of forming a ring gate FET

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【技术实现步骤摘要】
形成环绕栅极场效应晶体管的方法
本揭露是关于一种形成环绕栅极场效应晶体管的方法。
技术介绍
随着半导体工业已进入纳米技术制程节点，以追求更高元件密度、更高效能，及更低成本，制造及设计问题产生的挑战已导致三维设计的发展，如环绕栅极(gateallaround，GAA)结构。非硅基低维材料有望提供优异的静电效能(例如，用于短通道效应)及更高的效能(例如，更少的表面散射)。碳纳米管(Carbonnanotube；CNT)由于其高载流子迁移率及基本一维的结构而被认为是一个有前途的候选材料。
技术实现思路
本揭露的一些实施方式提供了一种形成环绕栅极场效应晶体管的方法。方法包含形成垂直层堆叠。垂直层堆叠包括以交替方式堆叠在基板上的半导体条及缓冲层。在垂直层堆叠上形成第一牺牲栅极结构。介电层形成在第一牺牲栅极结构及垂直层堆叠上。通过移除第一牺牲栅极结构暴露垂直层堆叠的第一通道部分。通过从第一通道部分移除至少部分缓冲层，第一半导体条子组在第一通道部分中被释放。邻近释放的第一半导体条子组形成第一替换栅极结构。邻近第一替换栅极结构形成介电体。介电体截断第一半导体条子组的每一者。邻近第一替换栅极结构形成源极/漏极结构。附图说明本揭示案的态样在结合附图阅读以下详细说明时得以最清晰地理解。应注意，依据产业中的标准实务，各种特征并非按比例绘制。事实上，各种特征的尺寸可任意增大或减小，以便于论述明晰。图1A及图1B图示根据本揭示案的具有扩散中断结构的示例性环绕栅极半导体结构；图2A及图2...

【技术保护点】
1.一种形成环绕栅极场效应晶体管的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：/n在一基板上方形成一垂直层堆叠，该垂直层堆叠包括以交替方式堆叠的多个半导体条及多个缓冲层；/n在该垂直层堆叠上形成一第一牺牲栅极结构；/n在该第一牺牲栅极结构及该垂直层堆叠上形成一介电层；/n通过移除该第一牺牲栅极结构暴露该垂直层堆叠的一第一通道部分；/n通过从该第一通道部分移除所述多个缓冲层中至少部分，来释放该第一通道部分中的所述多个第一半导体条的一第一子组；/n邻近被释放的该第一子组中的所述多个半导体条形成一第一替换栅极结构；/n形成邻近该第一替换栅极结构的一介电体，该介电体截断该第一子组的所述多个半导体条的每一个；以及/n形成邻近该第一替换栅极结构的一源极/漏极结构。/n

【技术特征摘要】
20181128 US 62/772,427;20190903 US 16/559,3411.一种形成环绕栅极场效应晶体管的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
在一基板上方形成一垂直层堆叠，该垂直层堆叠包括以交替方式堆叠的多个半导体条及多个缓冲层；
在该垂直层堆叠上形成一第一牺牲栅极结构；
在该第一牺牲栅极结构及该垂直...

【专利技术属性】
技术研发人员：马库斯琼斯亨利库斯·范达尔，堤姆斯·文森，荷尔本·朵尔伯斯，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71

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