一种降低螺线线圈的尾部长度公差的方法及螺线线圈及螺线电感技术

本发明专利技术公开了一种降低螺线线圈的尾部长度公差的方法，先提供一基底，然后于基底上刻蚀螺旋槽孔、通槽及若干个划片标记，通槽刻蚀于尾段槽孔的一侧，且与尾段槽孔平行，再于螺旋槽孔内填充金属形成螺旋线圈，最后沿着靠近首段槽孔一侧的划片标记及沿着螺旋线圈长度方向两侧的划片标记进行划片，将螺线线圈从基底上分离。本发明专利技术通过在螺旋线圈的尾部刻蚀将螺旋线圈与基底分隔的通槽，在将螺线线圈从基底上分离下来时，只需划三边即可。螺线线圈的尾部长度的公差值由光刻的精度控制，光刻精度一般可以控制在1微米以内，故本发明专利技术提供的一种降低螺线线圈的尾部长度公差的方法，可将螺线线圈的尾部长度公差控制在1微米以内。

A method to reduce the tail length tolerance of spiral coil and its inductance

【技术实现步骤摘要】
一种降低螺线线圈的尾部长度公差的方法及螺线线圈及螺线电感
本专利技术属于微制造
，尤其涉及一种降低螺线线圈的尾部长度公差的方法及螺线线圈及螺线电感。
技术介绍
螺线电感具有许多用途，譬如，电源变压器、滤波器、微磁通门等器件上均需使用螺线电感，螺线电感设计与制造的研究在当今无线通信快速发展的背景下有着非常重要的意义。近年来，随着微机电系统(MEMS)技术的迅速发展，基于微机电系统(MEMS)技术制作螺线电感也发展迅速。但现有的基于微机电系统(MEMS)技术制造的螺线电感，其螺线线圈的尾部长度公差较大，会使得螺线电感与其配合使用的元器件之间的安装力不稳定，影响产品的可靠性。现有的控制螺线线圈尾部长度精度的方法参看图1a至图1c所示，参看图1a所示，在刻蚀螺旋槽孔的时候，同时在螺旋槽孔外围的四个直角处各设置一个划片标记，划片标记用于定义螺线线圈的长度和宽度；然后参看图1b所示，待螺旋槽孔填充完毕得到螺旋线圈后，沿着由四个划片标记构成的四条矩形边进行划片；最后参看图1c所示，螺线线圈从基体上分离下来，螺线线圈的尾部长度H的公差值是由划片机的划片工艺控制的，划片机的划片控制精度一般大于15微米，所以现有的螺线线圈的尾部长度H的公差值只能控制在15微米以上。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种降低螺线线圈的尾部长度公差的方法及螺线线圈及螺线电感，该方法可将螺线线圈的尾部长度公差控制在1微米以内。为解决上述问题，本专利技术的技术方案为：一种降低螺线线圈的尾部长度公差的方法，包括如下步骤：S1：提供一基底；S2：于所述基底上刻蚀螺旋槽孔、通槽及若干个划片标记，所述螺旋槽孔包括首段槽孔、若干段中段槽孔和尾段槽孔，所述通槽刻蚀于所述尾段槽孔的一侧，且与所述尾段槽孔平行，若干个所述划片标记位于所述螺旋槽孔的外围，若干个所述划片标记定义出所述螺线线圈的长度和宽度；S3：于所述螺旋槽孔内填充金属形成螺旋线圈；S4：沿着靠近所述首段槽孔一侧的所述划片标记及沿所述螺旋线圈长度方向两侧的所述划片标记进行划片，以完成将所述螺线线圈从所述基底上分离。优选地，所述步骤S2还包括：将所述通槽平行于所述尾段槽孔的方向定义为所述通槽的宽度方向，所述通槽与所述尾段槽孔的间距公差小于1μm，所述通槽的宽度大于位于其两侧的所述划片标记的间距。优选地，所述步骤S2中于所述基底上刻蚀螺旋槽孔进一步包括：S21：提供第一基底，所述第一基底包括相对的第一表面及第二表面；S22：于所述第一基底的第一表面形成容纳孔；S23：提供第二基底，所述第二基底包括相对的第一表面及第二表面；将所述第二基底与所述第一基底键合在一起形成所述基底，所述第二基底的第一表面与所述第一基底的第一表面为键合面；S24：于所述第二基底内形成若干个沿所述容纳孔长度方向平行间隔排布的第一槽孔，所述第一槽孔包括第一沟槽及于所述第一沟槽相连通的第一通孔；其中，所述第一沟槽位于所述第二基底第二表面且沿所述容纳孔宽度方向横跨所述容纳孔；所述第一通孔位于所述容纳孔两侧，与所述第一沟槽两端相连通且自所述第一沟槽延伸至所述第二基底第一表面；S25：于所述第一基底内形成若干个沿所述容纳孔长度方向平行间隔排布的第二槽孔，所述第二槽孔包括第二沟槽及与所述第二沟槽相连通的第二通孔；其中，所述第二沟槽位于所述第一基底第二表面且沿所述容纳孔宽度方向横跨所述容纳孔；所述第二通孔位于所述容纳孔两侧，与所述第二沟槽两端相连通且自所述第二沟槽延伸至所述第一基底第一表面；所述第二通孔与所述第一通孔一一对应连通，若干个所述第一槽孔与若干个所述第二槽孔共同构成所述螺旋槽孔。优选地，于所述第二基底内形成所述第一槽孔的同时，于所述第二基底的第二表面形成所述划片标记及贯通所述第二基底和所述第一基底的所述通槽。优选地，于所述第二基底内形成所述第一槽孔的同时，于所述第二基底的第二表面形成第一电极孔和第二电极孔，所述第一电极孔和所述第二电极孔位于所述首段槽孔的一侧。基于相同的专利技术构思，本专利技术还提供了一种螺线线圈，包括：基底，所述基底上刻蚀有螺旋槽孔、第一电极孔及第二电极孔，所述螺旋槽孔内填充金属形成螺旋线圈，所述螺旋线圈包括首段线圈、若干段中段线圈和尾段线圈，所述第一电极孔与所述第二电极孔设置于所述首段线圈的一侧，所述尾段线圈的边缘距所述基底的边缘的距离公差小于1μm。优选地，所述基底为硅片或玻璃片或陶瓷片。基于相同的专利技术构思，本专利技术还提供了一种螺线电感，包括：铁磁芯；上述的螺线线圈；所述铁磁芯插入所述螺线线圈的内部。本专利技术由于采用以上技术方案，使其与现有技术相比具有以下的优点和积极效果：1)本专利技术提供了一种降低螺线线圈的尾部长度公差的方法，先提供一基底，然后于基底上刻蚀螺旋槽孔、通槽及若干个划片标记，通槽刻蚀于尾段槽孔的一侧，且与尾段槽孔平行，再于螺旋槽孔内填充金属形成螺旋线圈，最后沿着靠近首段槽孔一侧的划片标记及沿着螺旋线圈长度方向两侧的划片标记进行划片，将螺线线圈从及基底上分离。本专利技术通过在螺旋线圈的尾部刻蚀将螺旋线圈与基底分隔的通槽，在将螺线线圈从基底上分离下来时，只需划三边即可，及沿着靠近首段线圈的一边及沿螺线线圈长度方向的两边进行划片。由于通槽是刻蚀制得，故螺线线圈的尾部长度的公差值由光刻的精度控制，光刻精度一般可以控制在1微米以内，故本专利技术提供的一种降低螺线线圈的尾部长度公差的方法，可将螺线线圈的尾部长度公差控制在1微米以内。2)本专利技术提供了一种螺线线圈，包括基底，基底上刻蚀有螺旋槽孔、第一电极孔及第二电极孔，螺旋槽孔内填充金属形成螺旋线圈，螺旋线圈包括首段线圈、若干段中段线圈和尾段线圈，第一电极孔与第二电极孔设置于首段线圈的一侧，尾段线圈的边缘距基底的边缘的距离公差小于1μm，本专利技术提供的一种螺线线圈，其尾部长度精度较现有螺线线圈的尾部长度精度高，故在使用过程中，会使得螺线电感与其配合使用的元器件之间的安装力更稳定，提高产品的可靠性。附图说明图1a至图1c为现有的降低螺线线圈的尾部长度公差的方法的流程示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种降低螺线线圈的尾部长度公差的方法的流程图；图3a至图3d为本专利技术实施例提供的一种降低螺线线圈的尾部长度公差的方法的流程示意图；图4为图2中步骤S2中刻蚀螺旋槽孔的流程图；图5为图4中步骤S21所得结构的端面视图；图6为图4中步骤S21所得结构的侧视图；图7为图4中步骤S22所得结构的端面视图；图8为图4中步骤S22所得结构的侧视图；图9及图11显示为图4中步骤S23所得结构的端面视图；图10及图12显示为图4中步骤S23所得结构的侧视图；图13显示为图4中步骤S24所得结构的端面视图；图14显示为图4中步骤S24所得结构的侧视图；图15、图17显示为图4中步骤S24所得结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低螺线线圈的尾部长度公差的方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1：提供一基底；/nS2：于所述基底上刻蚀螺旋槽孔、通槽及若干个划片标记，所述螺旋槽孔包括首段槽孔、若干段中段槽孔和尾段槽孔，所述通槽刻蚀于所述尾段槽孔的一侧，且与所述尾段槽孔平行，若干个所述划片标记位于所述螺旋槽孔的外围，若干个所述划片标记定义出所述螺线线圈的长度和宽度；/nS3：于所述螺旋槽孔内填充金属形成螺旋线圈；/nS4：沿着靠近所述首段槽孔一侧的所述划片标记及沿所述螺旋线圈长度方向两侧的所述划片标记进行划片，以完成将所述螺线线圈从所述基底上分离。/n

【技术特征摘要】
1.一种降低螺线线圈的尾部长度公差的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：提供一基底；
S2：于所述基底上刻蚀螺旋槽孔、通槽及若干个划片标记，所述螺旋槽孔包括首段槽孔、若干段中段槽孔和尾段槽孔，所述通槽刻蚀于所述尾段槽孔的一侧，且与所述尾段槽孔平行，若干个所述划片标记位于所述螺旋槽孔的外围，若干个所述划片标记定义出所述螺线线圈的长度和宽度；
S3：于所述螺旋槽孔内填充金属形成螺旋线圈；
S4：沿着靠近所述首段槽孔一侧的所述划片标记及沿所述螺旋线圈长度方向两侧的所述划片标记进行划片，以完成将所述螺线线圈从所述基底上分离。


2.根据权利要求1所述的控制螺线线圈长度的方法，其持征在于，所述步骤S2还包括：
将所述通槽平行于所述尾段槽孔的方向定义为所述通槽的宽度方向，所述通槽与所述尾段槽孔的间距公差小于1μm，所述通槽的宽度大于位于其两侧的所述划片标记的间距。


3.根据权利要求1或2所述的降低螺线线圈的尾部长度公差的方法，其特征在于，所述步骤S2中于所述基底上刻蚀螺旋槽孔进一步包括：
S21：提供第一基底，所述第一基底包括相对的第一表面及第二表面；
S22：于所述第一基底的第一表面形成容纳孔；
S23：提供第二基底，所述第二基底包括相对的第一表面及第二表面；将所述第二基底与所述第一基底键合在一起形成所述基底，所述第二基底的第一表面与所述第一基底的第一表面为键合面；
S24：于所述第二基底内形成若干个沿所述容纳孔长度方向平行间隔排布的第一槽孔，所述第一槽孔包括第一沟槽及于所述第一沟槽相连通的第一通孔；其中，所述第一沟槽位于所述第二基底第二表面且沿所述容纳孔宽度方向横跨所述容纳孔；所述第一通孔位于所述容纳孔两侧，与所述第一沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾杰斌，夏伟锋，
申请(专利权)人：上海迈铸半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31