一种实时侦测闪存存取状态与错误的方法技术

技术编号:24409347 阅读:31 留言:0更新日期:2020-06-06 08:29
本发明专利技术公开了一种实时侦测闪存存取状态与错误的方法,包括闪存主控,所述闪存主控内设有静态随机存储器和闪存控制器,所述闪存主控与存取界面通过私有指令双向连接,所述闪存控制器与闪存阵列双向连接。本发明专利技术涉及主控芯片内部状态寄存器的读取记录与输出,以及实体位置映射与逻辑位置映射转换后的解析问题,通过此方法降低在存储装置问题分析上的困难度并简化问题分析的方法。

A real-time method of detecting flash memory access state and error

【技术实现步骤摘要】
一种实时侦测闪存存取状态与错误的方法
本专利技术涉及闪存
,具体为一种实时侦测闪存存取状态与错误的方法。
技术介绍
闪存(NANDFlashMemory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器,数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位(注意:NORFlash为字节存储。),区块大小一般为4MB到32MB。闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种,闪存与EEPROM不同的是,EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写,而闪存的大部分芯片需要块擦除。由于其断电时仍能保存数据,闪存通常被用来保存设置信息,如在电脑的BIOS(基本程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。在现今的闪存存储装置中,透过电脑端的作业系统去编辑逻辑位址对闪存存储装置做资料存取,并透过存储装置中的事务层(FTL,Flashtransactionlayer)转化为闪存的实体位址对闪存的实体区块做资料存取,但当区块存取错误时,研发人员无法实时得知在闪存区块当时的状况与实体位置,必须离线透过特殊工具去判断错误方式与位置,且无法对应作业系统逻辑位址与实体位置的相对应关系。同时也定义了特定的读写资讯,让工程师可以实时了解闪存内的运作方式是否正确。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种实时侦测闪存存取状态与错误的方法,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种实时侦测闪存存取状态与错误的方法,包括闪存主控,所述闪存主控内设有静态随机存储器和闪存控制器,所述闪存主控与存取界面通过私有指令双向连接,所述闪存控制器与闪存阵列双向连接。优选的,一种实时侦测闪存存取状态与错误的方法,包括以下步骤:A、当闪存主控开始运作时,系统透过存取界面对闪存做资料操作;B、当闪存控制器发现操作错误或是固件运行到需要记录与纠错或监看的任何状态时,会将当下需要的的资讯实时放入已规划好特定空间的静态随机存储器中;C、并透过界面的私有指令将其资料读出并清空该区域,以便下次的错误资讯存入。优选的,当发现固件与软件预先埋入的触发点被触发时,将定义好错误种类与方式将资料存入静态随机存储器中,具体步骤如下:A、当静态随机存储器内的空间已填满但私有指令尚未下达读取时,新的记录分析资料可覆盖旧资料,持续地向静态随机存储器做写入;B、或者也可以选择在存储器空间已满时暂停存入资料,等待主机端将已记录之讯息读出并空出可用空间时再继续录入讯息。与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:本专利技术涉及主控芯片内部状态寄存器的读取记录与输出,以及实体位置映射与逻辑位置映射转换后的解析问题,通过此方法降低在存储装置问题分析上的困难度并简化问题分析的方法。附图说明图1为本专利技术原理框图;图2为本专利技术行为与状态表示示意图;图3为本专利技术流程图;图4为本专利技术读取错误时流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1-4,本专利技术提供一种技术方案:一种实时侦测闪存存取状态与错误的方法,包括闪存主控1,所述闪存主控1内设有静态随机存储器2和闪存控制器3,所述闪存主控1与存取界面4通过私有指令双向连接,所述闪存控制器3与闪存阵列5双向连接。当闪存控制器发现读取闪存阵列出现问题时,或是固件运行到需要记录与纠错或监看的任何状态时,会实时地将资讯存入静态随机存储器中,并以自定义的描述方式,透过解析将错误/状态判断出来,行为与状态表示法如图2,解释如下:行为状态:读错,写错或其他需要记录的状态数值等;通道数:支持多通道独取时,标明哪个通道做读取;闪存使能:支持多芯片读取,标明哪个芯片做读取;区块序号:标示闪存颗粒中的区块位置;页面序号:标示闪存颗粒中的页面位置;码字序号:标示闪存颗粒中的码字位置;错误检查:标示闪存颗粒中的码字的错误量;任意埋入的简核码与寄存器状态等数值。本专利技术中,一种实时侦测闪存存取状态与错误的方法,包括以下步骤:A、当闪存主控开始运作时,系统透过存取界面对闪存做资料操作;B、当闪存控制器发现操作错误或是固件运行到需要记录与纠错或监看的任何状态时,会将当下需要的的资讯实时放入已规划好特定空间的静态随机存储器中;C、并透过界面的私有指令将其资料读出并清空该区域,以便下次的错误资讯存入。本专利技术中,当发现固件与软件预先埋入的触发点被触发时,将定义好错误种类与方式将资料存入静态随机存储器中,具体步骤如下:A、当静态随机存储器内的空间已填满但私有指令尚未下达读取时,新的记录分析资料可覆盖旧资料,持续地向静态随机存储器做写入;B、或者也可以选择在存储器空间已满时暂停存入资料,等待主机端将已记录之讯息读出并空出可用空间时再继续录入讯息。综上所述,本专利技术涉及主控芯片内部状态寄存器的读取记录与输出,以及实体位置映射与逻辑位置映射转换后的解析问题,通过此方法降低在存储装置问题分析上的困难度并简化问题分析的方法。尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种实时侦测闪存存取状态与错误的方法,其特征在于:包括闪存主控(1),所述闪存主控(1)内设有静态随机存储器(2)和闪存控制器(3),所述闪存主控(1)与存取界面(4)通过私有指令双向连接,所述闪存控制器(3)与闪存阵列(5)双向连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种实时侦测闪存存取状态与错误的方法,其特征在于:包括闪存主控(1),所述闪存主控(1)内设有静态随机存储器(2)和闪存控制器(3),所述闪存主控(1)与存取界面(4)通过私有指令双向连接,所述闪存控制器(3)与闪存阵列(5)双向连接。


2.根据权利要求1所述的一种实时侦测闪存存取状态与错误的方法,其特征在于:包括以下步骤:
A、当闪存主控开始运作时,系统透过存取界面对闪存做资料操作;
B、当闪存控制器发现操作错误或是固件运行到需要记录与纠错或监看的任何状态时,会将当下需要的的资讯实时放入已规划好特定空间的...

【专利技术属性】
技术研发人员:庄建民魏智汎齐元辅王宇
申请(专利权)人:江苏华存电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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