本实用新型专利技术提供了一种晶圆保持环,包括第一圆环、第二圆环以及至少两个连接装置;第一圆环具有相对的第一平面和第二平面,第一圆环中形成有沿着第一圆环的厚度方向上下连通的第一子凹陷和第二子凹陷,第一子凹陷的开口暴露于第一平面,第二子凹陷延伸至第一圆环内部,第一子凹陷宽度尺寸小于第二子凹陷宽度尺寸;第二圆环中形成有贯穿第二圆环的通道;连接装置包括第一卡合结构、连接杆以及第二卡合结构;第一卡合结构与连接杆的一端连接,第二卡合结构与连接杆的另一端连接;连接杆贯穿第二圆环的通道以及第一子凹陷,并延伸至第二子凹陷中,第二卡合结构卡合于第二子凹陷,第一卡合结构和第二圆环的通道卡合。该晶圆保持环的稳定性较高。
Wafer retaining ring
【技术实现步骤摘要】
晶圆保持环
本技术涉及半导体
,特别涉及一种晶圆保持环。
技术介绍
在化学机械研磨设备中,通常需要会在研磨头研磨面的边缘处固定有晶圆保持环,以便在利用研磨头平坦化晶圆时,将晶圆放置在晶圆保持环内,防止晶圆在平坦化过程中从研磨头滑出。通常情况下,晶圆保持环由重叠的第二圆环和第一圆环构成。相关技术中,会采用黏合的方式将第二圆环和第一圆环黏合在一起来构成晶圆保持环。或者,如图1所示,在所述第二圆环1表面的边缘设置凸起结构1a,在所述第一圆环2表面的边缘对应设置与该凸起结构1a契合的凹陷结构2a,使得所述凸起结构1a和所述凹陷结构2a相互卡合,以实现所述第二圆环和所述第一圆环的重叠连接,构成晶圆保持环。但是,上述由黏合的方式构成的晶圆保持环中第一圆环易脱落。以及上述通过凸起结构和凹陷结构构成的晶圆保持环,其第一圆环能够相对于第二圆环在水平方向上滑动,在平坦化晶圆的过程中,该第一圆环极易沿水平方向从所述第二圆环脱落。则相关技术中的晶圆保持环的第一圆环极易脱落,稳定性较差。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种晶圆保持环,以解决现有的晶圆保持环稳定性较差问题。本技术提供的一种晶圆保持环,包括第一圆环、第二圆环以及至少两个连接装置;所述第一圆环具有相对的第一平面和第二平面,所述第一圆环中形成有凹陷,所述凹陷由第一平面延伸至所述第一圆环内部,所述凹陷包括沿着第一圆环的厚度方向上下连通的第一子凹陷和第二子凹陷,所述第一子凹陷的开口暴露于第一平面,所述第一子凹陷的宽度尺寸小于所述第二子凹陷的宽度尺寸;所述第二圆环中形成有通道,所述通道贯穿所述第二圆环;所述连接装置包括第一卡合结构、连接杆以及第二卡合结构;所述第一卡合结构与连接杆的一端连接,所述第二卡合结构与连接杆的另一端连接;其中,所述连接杆依次贯穿所述第二圆环的通道以及所述第一子凹陷,并延伸至所述第二子凹陷中,所述第二卡合结构位于所述第二子凹陷中且卡合于所述第二子凹陷,所述第一卡合结构位于所述第二圆环远离第一圆环的一侧,并和所述第二圆环的通道卡合。可选的,所述第一子凹陷的开口与所述通道的开口重叠以连通。可选的,所述第二卡合结构包括至少两个卡合杆,所述至少两个卡合杆的一端均与所述连接杆连接以聚合在所述连接杆的端部,所述至少两个卡合杆的另一端扩散在所述连接杆的外围。可选的,所述第二卡合结构经由所述通道和所述第一子凹陷插入至所述第二子凹陷;其中,当所述第二卡合结构经由所述通道或者所述第一子凹陷时,所述至少两个卡合杆的另一端以朝向第一卡合结构的方向处于聚拢状态;当所述第二卡合结构从所述第一子凹陷进入所述第二子凹陷时,所述至少两个卡合杆在所述第二子凹陷中扩散,以卡合至所述第二子凹陷并处于卡合状态。可选的,所述第二卡合结构处于卡合状态时,至少两个卡合杆抵触至所述第二子凹陷的槽壁,以使所述第二卡合结构与所述第二子凹陷相互卡合。可选的,所述卡合杆为条状结构,或者为板状结构。可选的,所述连接装置还包括至少一个弹性组件,当所述第二卡合结构卡合于所述第二子凹陷时,所述弹性组件设置在所述第一卡合结构与所述第二圆环之间。可选的,所述通道包括沿着第二圆环的厚度方向上下连通的第一子通道和第二子通道,所述第一子通道的宽度尺寸大于所述第二子通道的宽度尺寸;以及,当所述第二卡合结构卡合于所述第二子凹陷时,所述第一卡合结构于所述第一子通道相互卡合。可选的,所述连接装置还包括至少一个弹性组件,当所述第二卡合结构卡合于所述第二子凹陷时,所述弹性组件设置在所述第一卡合结构与所述第二圆环之间。可选的,所述第一子凹陷的开口与所述第二子通道的开口重叠以连通。综上所述,本技术提供的晶圆保持环中,利用连接杆贯穿第二圆环并延伸至第一圆环的内部,同时,使得设置于连接杆一端的第一卡合结构与所述第二圆环内的通道卡合,使得设置于连接杆另一端的第二卡合结构卡合于所述第一圆环的内部,以实现所述第二圆环和第一圆环的重叠连接。其中,由于连接杆贯穿第二圆环,且延伸至该第一圆环内部,则在所述连接杆的阻挡下,该第一圆环无法相对于所述第二圆环沿水平方向运动,即该第一圆环不会沿水平方向从所述第二圆环上脱落,以及,基于所述连接装置的设置,所述第一圆环也不会轻易沿其他方向从所述第二圆环脱落,则本实施例中的晶圆保持环的稳定性较高。附图说明图1是现有技术中晶圆保持环的结构示意图;图2是本技术一实施例的一种晶圆保持环的剖视图;图3是本技术一实施例的一种第二卡合结构的结构示意图;图4为本技术实施例的一种第二卡合结构处于卡合状态时晶圆保持环的剖视图;图5为本技术一实施例的另一种晶圆保持环的剖视图;图6为本技术一实施例的又一种晶圆保持环的剖视图;图7为本技术一实施例的再一种晶圆保持环的剖视图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术提出的晶圆保持环作进一步详细说明。根据下平面说明书,本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。图2是本技术一实施例的一种晶圆保持环的剖视图,如图2所示,所述晶圆保持环包括第二圆环10、第一圆环20以及至少两个连接装置30(图中仅以一个连接装置为例进行说明)。其中,所述第一圆环20具有相对的第一平面A和第二平面B,所述第一平面A中形成有至少两个凹陷21(图中仅以一个凹陷为例进行说明),所述凹陷21延伸至所述第一圆环内部,所述凹陷21包括沿着第一圆环的厚度方向上下连通的第一子凹陷211和第二子凹陷212,所述第一子凹陷211的开口暴露于第一平面A,并且所述第一子凹陷211的宽度尺寸小于第二子凹陷212的宽度尺寸。所述第二圆环10中形成有至少两个通道11(图中仅以一个通道为例进行说明),所述通道11还贯穿所述第二圆环10。以及,在本实施例的晶圆保持环中,所述第一圆环20第一子凹陷的开口与所述第二圆环通道的开口相互重叠以连通。所述连接装置30包括第一卡合结构31、连接杆32以及第二卡合结构33。其中,所述第一卡合结构31与连接杆32的一端连接,所述第二卡合结构33与连接杆32的另一端连接。本实施例中,所述连接杆32会依次贯穿所述第二圆环的通道11以及所述第一子凹陷211,并延伸至所述第二子凹陷212中,所述第二卡合结构33位于所述第二子凹陷212中且卡合于所述第二子凹陷212,所述第一卡合结构31位于所述第二圆环远离第一圆环的一侧,并和所述第二圆环的通道11卡合。由上述内容可知,本技术中通过依次连接的第一卡合结构、连接杆以及第二卡合结构来实现所述第二圆环和第一圆环的重叠连接。其中,由于连接杆贯穿第二圆环,且延伸至该第一圆环内部,则在所述连接杆的阻挡下,该第一圆环无法相对于所述第二圆环沿水平方向运动,即该本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种晶圆保持环,其特征在于,包括第一圆环、第二圆环以及至少两个连接装置;/n所述第一圆环具有相对的第一平面和第二平面,所述第一圆环中形成有凹陷,所述凹陷由第一平面延伸至所述第一圆环内部,所述凹陷包括沿着第一圆环的厚度方向上下连通的第一子凹陷和第二子凹陷,所述第一子凹陷的开口暴露于第一平面,所述第一子凹陷的宽度尺寸小于所述第二子凹陷的宽度尺寸;/n所述第二圆环中形成有通道,所述通道贯穿所述第二圆环;/n所述连接装置包括第一卡合结构、连接杆以及第二卡合结构;所述第一卡合结构与连接杆的一端连接,所述第二卡合结构与连接杆的另一端连接;/n其中,所述连接杆依次贯穿所述第二圆环的通道以及所述第一子凹陷,并延伸至所述第二子凹陷中,所述第二卡合结构位于所述第二子凹陷中且卡合于所述第二子凹陷,所述第一卡合结构位于所述第二圆环远离第一圆环的一侧,并和所述第二圆环的通道卡合。/n
【技术特征摘要】
1.一种晶圆保持环,其特征在于,包括第一圆环、第二圆环以及至少两个连接装置;
所述第一圆环具有相对的第一平面和第二平面,所述第一圆环中形成有凹陷,所述凹陷由第一平面延伸至所述第一圆环内部,所述凹陷包括沿着第一圆环的厚度方向上下连通的第一子凹陷和第二子凹陷,所述第一子凹陷的开口暴露于第一平面,所述第一子凹陷的宽度尺寸小于所述第二子凹陷的宽度尺寸;
所述第二圆环中形成有通道,所述通道贯穿所述第二圆环;
所述连接装置包括第一卡合结构、连接杆以及第二卡合结构;所述第一卡合结构与连接杆的一端连接,所述第二卡合结构与连接杆的另一端连接;
其中,所述连接杆依次贯穿所述第二圆环的通道以及所述第一子凹陷,并延伸至所述第二子凹陷中,所述第二卡合结构位于所述第二子凹陷中且卡合于所述第二子凹陷,所述第一卡合结构位于所述第二圆环远离第一圆环的一侧,并和所述第二圆环的通道卡合。
2.如权利要求1所述的晶圆保持环,其特征在于,所述第一子凹陷的开口与所述通道的开口重叠以连通。
3.如权利要求1所述的晶圆保持环,其特征在于,所述第二卡合结构包括至少两个卡合杆,所述至少两个卡合杆的一端均与所述连接杆连接以聚合在所述连接杆的端部,所述至少两个卡合杆的另一端扩散在所述连接杆的外围。
4.如权利要求3所述的晶圆保持环,其特征在于,所述第二卡合结构经由所述通道和所述第一子凹陷插入至所述第二子凹陷;
其中,当所述第二卡合结构经由所述通道或者所述第一子凹陷时...
【专利技术属性】
技术研发人员:田得暄,辛君,林宗贤,
申请(专利权)人:德淮半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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