用于IED照明设备的低阻值片式电阻器制造技术

技术编号:24365413 阅读:34 留言:0更新日期:2020-06-03 04:39
用于IED照明设备的低阻值片式电阻器,包括绝缘基板(10)、正面电极(22)、电阻层(23)和保护层(24);绝缘基板(10)正面边沿固定正面电极(22),绝缘基板(10)正面中部固定有电阻层(23),在电阻层(23)外侧表面固定保护层(24)。优化结构以实现采用高含银量的电极浆料在绝缘基板上制作一层正面电极,然后在正面电极上制作电阻层,产品具有高稳定性、低TCR指标及低成本特性,具有很强的市场应用及产品推广价值。

Low resistance chip resistor for ied lighting

【技术实现步骤摘要】
用于IED照明设备的低阻值片式电阻器
本技术涉及创新设备装置的结构改进技术,尤其是用于IED照明设备的低阻值片式电阻器。
技术介绍
在电子产品小型化发展趋势下,性能可靠及工艺稳定的厚膜贴片电阻也应电子产品的特性需求日益增长,各种电子产品为了确保使其稳定工作,都会制作一个供电电源,来确保其正常及稳定的工作,而每种产品及其电源的稳定工作都离不开一种连接在电路上起调节电流作用的低阻值电阻,这种电阻就是人们常讲的厚膜晶片电阻,随着电子产品小型化的加剧,高功率低阻值的厚膜晶片电阻越来越受到市场的追捧。目前,现有普通低阻值贴片电阻通常包括绝缘基板、背电极、二次或三次正面电极、电阻层、第一保护层、第二保护层、字码、侧面电极、镀镍层和镀锡层,这种产品之所以功率不高,其原因主要包括:1)、电阻层靠近绝缘基板的中心部分,距离侧面电极较远,电阻的热量往往聚集在电阻层的中间,电阻的热量在从中间向两端电极及侧面电极进行散发的过程中,存在散热路径过长而使散热不良的问题。2)、普通的低阻值电阻在进行镭射阻值修正时,不管是采用单刀切割还是采用对刀切割,其镭射调阻对电阻层的损伤都较大,而使电阻的耐功率能力降低。3)、普通的低阻值电阻均采用减小电阻层的长度,加长两端电极长度的方式来制作,这样,因两端电极长度加大而造成两端银电极的内阻加大,而使电阻的温度系数过大。
技术实现思路
本技术的目的是提供用于IED照明设备的低阻值片式电阻器,解决以上技术问题。本技术的目的将通过以下技术措施来实现:包括绝缘基板、正面电极、电阻层和保护层;绝缘基板正面边沿固定正面电极,绝缘基板正面中部固定有电阻层,在电阻层外侧表面固定保护层。尤其是,正面电极环绕电阻层。尤其是,保护层边缘覆盖在电阻层边缘外。尤其是,绝缘基板正面相对二侧边沿分别固定正面电极。尤其是,绝缘基板正面边沿环绕固定正面电极。尤其是,电阻层边缘压接在正面电极结合面之上。尤其是,电阻层厚度大于保护层。本技术的优点和效果:优化结构以实现采用高含银量的电极浆料在绝缘基板上制作一层正面电极,然后在正面电极上制作电阻层,产品具有高稳定性、低TCR指标及低成本特性,具有很强的市场应用及产品推广价值。附图说明图1为本技术实施例1结构示意图。附图标记包括:10—绝缘基板、22—正面电极、23—电阻层、24—保护层。具体实施方式本技术原理在于,通过电阻的结构和生产工艺进行优化改进,保证电阻器在高温、高湿环境下工作的可靠性及稳定性,使电阻产品更适于邦定焊接。本技术包括:绝缘基板10、正面电极22、电阻层23和保护层24。下面结合附图和实施例对本技术作进一步说明。实施例1:如附图1所示,绝缘基板10正面边沿固定正面电极22,绝缘基板10正面中部固定有电阻层23,在电阻层23外侧表面固定保护层24。前述中,正面电极22环绕电阻层23。前述中,保护层24边缘覆盖在电阻层23边缘外。前述中,绝缘基板10正面相对二侧边沿分别固定正面电极22。前述中,绝缘基板10正面边沿环绕固定正面电极22。前述中,电阻层23边缘压接在正面电极22结合面之上。前述中,电阻层23厚度大于保护层24。以上实施例是对本技术进行详细说明。本领域的技术人员通过对上述实施例进行各种形式上的修改或变更,都可能落在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于IED照明设备的低阻值片式电阻器,包括绝缘基板(10)、正面电极(22)、电阻层(23)和保护层(24);其特征在于,绝缘基板(10)正面边沿固定正面电极(22),绝缘基板(10)正面中部固定有电阻层(23),在电阻层(23)外侧表面固定保护层(24)。/n

【技术特征摘要】
1.用于IED照明设备的低阻值片式电阻器,包括绝缘基板(10)、正面电极(22)、电阻层(23)和保护层(24);其特征在于,绝缘基板(10)正面边沿固定正面电极(22),绝缘基板(10)正面中部固定有电阻层(23),在电阻层(23)外侧表面固定保护层(24)。


2.如权利要求1所述的用于IED照明设备的低阻值片式电阻器,其特征在于,正面电极(22)环绕电阻层(23)。


3.如权利要求1所述的用于IED照明设备的低阻值片式电阻器,其特征在于,保护层(24)边缘覆盖在电阻层(23)边缘外。

【专利技术属性】
技术研发人员:王猛赵武彦彭荣根陈勇郝涛朱峰
申请(专利权)人:昆山厚声电子工业有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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