半导体结构及其制造方法技术

本公开关于一种多环接合垫、具有多环接合垫的半导体结构及其制造方法。该接合垫包括一内环构件、一外环构件以及多个桥接构件。该内环构件具有一对彼此相对的第一内边缘、一对彼此相对的第二内边缘、以及连接该第一内边缘到该第二内边缘的多个第三内边缘。该外环构件环绕该内环构件并且具有一对彼此相对的第一外边缘、一对彼此相对的第二外边缘、以及连接该第一外边缘到该第二外边缘的多个第三外边缘。该多个桥接构件设置在该内环构件和该外环构件之间以将该内环构件连接到该外环构件。

Semiconductor structure and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本公开主张2018/11/23申请的美国临时申请案第62/770,952号及2019/02/06申请的美国正式申请案第16/268,954号的优先权及益处，该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开关于一种接合垫、具有接合垫的半导体结构及其制造方法，特别涉及一种多环接合垫、具有多环接合垫的半导体结构及其制造方法。
技术介绍
半导体集成电路的制造流程包括前段(front-end-of-line，FEOL)、中段(middle-end-of-line，MEOL)和后段(back-end-of-line，BEOL)工艺。前段工艺包括晶圆制备、隔离、阱形成、栅极图案化、间隔物、延伸和源极(与)漏极植入、硅化物形成和双应力衬垫形成。中段工艺包括栅极接触形成。后段工艺包括一系列晶圆处理步骤，以互连在前段工艺和中段工艺期间产生的半导体元件。此外，成功制造合格的半导体芯片产品需要考虑材料和工艺之间的相互作用。上文的“现有技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
技术实现思路
本公开提供一接合垫，包括一内环构件、一外环构件以及多个桥接构件。该内环构件具有一对彼此相对的第一内边缘、一对彼此相对的第二内边缘、以及设置在由该第一内边缘和该第二内边缘的延伸线所定义的转角处的多个第三内边缘。该第一内边缘通过该第三内边缘连接到该第二内边缘。该外环构件环绕该内环构件并且与该内环构件间隔开。该外环构件具有一对彼此相对的第一外边缘、一对彼此相对的第二外边缘、以及设置在由该第一外边缘和该第二外边缘的延伸线所定义的转角处的多个第三外边缘。该第一外边缘通过该第三外边缘连接到该第二外边缘。该多个桥接构件设置在该内环构件和该外环构件之间以将该内环构件连接到该外环构件。在一些实施例中，该第三内边缘与该第一内边缘之间的夹角约为135度，该第三内边缘与该第二内边缘之间的夹角约为135度。在一些实施例中，该第一外边缘实质上平行于该第一内边缘，该第二外边缘实质上平行于该第二内边缘。在一些实施例中，连接到该第一内边缘的两个相邻桥接构件之间的一第一距离实质上小于连接到该第二内边缘的两个相邻桥接构件之间的一第二距离。在一些实施例中，该内环构件还包括设置在该第一内边缘和该第二内边缘上的多个内凹口，以及设置在该第一外边缘和该第二外边缘上的多个外凹口。在一些实施例中，该内凹口与该第三内边缘等距，该外凹口与该第三外边缘等距。在一些实施例中，该内凹口经布置在该第三内边缘和该桥接构件之间最接近该第三内边缘的位置，该外凹口设置在该第三外边缘与该桥接构件之间最接近第三外边缘的位置。在一些实施例中，该内凹口和该外凹口分别设置在该第一内边缘和该第一外边缘上，或分别设置在该第二内边缘和该第二外边缘上，彼此远离地设置。在一些实施例中，该内环构件和该外环构件具有一均匀的宽度。在一些实施例中，该内环构件的该宽度等于该桥接构件的一宽度的两倍。本公开另提供一种半导体结构，包括一多层部件、一介电层和一接合垫。该介电层设置在该多层部件的上方。该接合垫设置在该介电层内，并且包括一内环构件、一外环构件和多个桥接构件。该内环构件具有一对彼此相对的第一内边缘、一对彼此相对的第二内边缘、以及设置在由该第一内边缘和该第二内边缘的延伸线所定义的转角处的多个第三内边缘。该第一内边缘通过该第三内边缘连接到该第二内边缘。该外环构件环绕该内环构件并且与该内环构件间隔开。该外环构件具有一对彼此相对的第一外边缘、一对彼此相对的第二外边缘、以及设置在由该第一外边缘和该第二外边缘的延伸线所定义的转角处的多个第三外边缘。该第一外边缘通过该第三外边缘连接到该第二外边缘。该多个桥接构件设置在该内环构件和该外环构件之间以将该内环构件连接到该外环构件。在一些实施例中，该多层部件包括一主要部件、一绝缘层和至少一个通孔，其中该绝缘层设置在该主要部件的上方，该通孔设置在该绝缘层内，该主要部件通过该通孔电连接到该接合垫。本公开另提供一种半导体结构的制造方法，包括步骤：提供一多层部件；在该多层器件上方沉积一介电层；在该介电层内形成一凹陷图案；以及在该凹陷图案内沉积一金属层。在一些实施例中，该金属层沿该介电层的一上表面延伸并且进入该凹陷图案。在一些实施例中，该制造方法还包括：执行一平坦化工艺以去除该上表面上方的该金属层的一部分。在一些实施例中，该制造方法还包括：执行一研磨工艺以获得该介电层的一平坦的上表面。在一些实施例中，该制造方法还包括：在沉积该金属层之前，在该介电层的上方沉积一阻障层并且进入该凹陷图案；以及在该阻障层的上方沉积一种晶层。在一些实施例中，该阻障层和该种晶层是实质上共形的层。在一些实施例中，该凹陷图案的形成包括步骤：在该介电层的上方涂覆一光刻胶层；图案化该光刻胶层以在该光刻胶层内形成至少一个开口，其中该介电层的一部分通过该开口暴露；以及执行一蚀刻工艺以去除通过该开口暴露的该介电层的一部分以形成该凹陷图案。在一些实施例中，该金属层与该多层部件接触。上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的构思和范围。附图说明参阅实施方式与权利要求合并考量附图时，可得以更全面了解本公开的公开内容，附图中相同的元件符号是指相同的元件。图1是顶视图，例示本公开一些实施例的接合垫。图2是图1中区域A的放大视图。图3是流程图，例示本公开一些实施例的半导体元件的制造方法。图4至图11是剖视图，例示本公开一些实施例的半导体结构的形成阶段。图12是顶视图，例示本公开一些实施例的半导体结构的形成阶段。图13是剖面图，例示本公开一些实施例的半导体结构。图14至图16是剖视图，例示本公开一些实施例的半导体结构的形成阶段。附图标记说明：10接合垫20内环构件30外环构件40桥接构件50内凹口52外凹口70半导体结构70A半导体结构102顶面210第一内边缘212延伸线220第二内边缘222延伸线230第三内边缘310第一外边缘312延伸线320第二外边缘322延伸线330第三外边缘600方法602步骤604步骤606步骤608步骤610步骤612步骤...

【技术保护点】
1.一种接合垫，包括：/n一内环构件，具有一对彼此相对的第一内边缘、一对彼此相对的第二内边缘、以及设置在由该第一内边缘和该第二内边缘的延伸线所定义的转角处的多个第三内边缘，其中该第一内边缘通过该第三内边缘连接到该第二内边缘；/n一外环构件，环绕该内环构件并且与该内环构件隔开，其中该外环构件具有一对彼此相对的第一外边缘、一对彼此相对的第二外边缘、以及设置在由该第一外边缘和该第二外边缘的延伸线所定义的转角处的多个第三外边缘，其中该第一外边缘通过该第三外边缘连接到该第二外边缘；以及/n多个桥接构件，设置在该内环构件和该外环构件之间，并且将该内环构件连接到该外环构件。/n

【技术特征摘要】
20181123 US 62/770,952;20190206 US 16/268,9541.一种接合垫，包括：
一内环构件，具有一对彼此相对的第一内边缘、一对彼此相对的第二内边缘、以及设置在由该第一内边缘和该第二内边缘的延伸线所定义的转角处的多个第三内边缘，其中该第一内边缘通过该第三内边缘连接到该第二内边缘；
一外环构件，环绕该内环构件并且与该内环构件隔开，其中该外环构件具有一对彼此相对的第一外边缘、一对彼此相对的第二外边缘、以及设置在由该第一外边缘和该第二外边缘的延伸线所定义的转角处的多个第三外边缘，其中该第一外边缘通过该第三外边缘连接到该第二外边缘；以及
多个桥接构件，设置在该内环构件和该外环构件之间，并且将该内环构件连接到该外环构件。


2.如权利要求1所述的接合垫，其中该第三内边缘与该第一内边缘之间的夹角约为135度，该第三内边缘与该第二内边缘之间的夹角约为135度。


3.如权利要求2所述的接合垫，其中该第一外边缘实质上平行于该第一内边缘，该第二外边缘实质上平行于该第二内边缘。


4.如权利要求1所述的接合垫，其中连接到该第一内边缘的两个相邻桥接构件之间的一第一距离实质上小于连接到该第二内边缘的两个相邻桥接构件之间的一第二距离。


5.如权利要求1所述的接合垫，其中该内环构件还包括设置在该第一内边缘和该第二内边缘上的多个内凹口，以及设置在该第一外边缘和该第二外边缘上的多个外凹口。


6.如权利要求5所述的接合垫，其中该内凹口与该第三内边缘等距，该外外凹口与该第三外边缘等距。


7.如权利要求6所述的接合垫，其中该内凹口经布置在该第三内边缘和该桥接构件之间最接近该第三内边缘的位置，该外凹口设置在该第三外边缘与该桥接构件之间最接近第三外边缘位置。


8.如权利要求6所述的接合垫，其中该内凹口和该外凹口分别设置在该第一内边缘和该第一外边缘上，或分别设置在该第二内边缘和该第二外边缘上，彼此远离地设置。


9.如权利要求1所述的接合垫，其中该内环构件和该外环构件具有一均匀的宽度。


10.如权利要求8所述的接合垫，其中该内环构件的该宽度等于该桥接构件的一宽度的两倍。


11.一种半导体结...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴珮甄，施江林，丘世仰，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71