本发明专利技术公开了一种高压裸导线绝缘材料的生产工艺流程与配方，高压导线绝缘材料中羟基封端聚二甲基硅氧烷50‑65%，二甲基硅油6‑7.5%，乙炔碳黑0.8‑0.9%，甲基三丁酮肟基硅烷5‑8%，乙烯基三丁酮肟基硅烷0.5‑1.2%，丫‑氨丙基乙氧基硅烷0.6‑0.8%，石英粉5‑10%疏水型气相二氧化硅10‑15%中空玻璃微珠5‑8%。
Production process and formula of a kind of insulating material for high voltage bare conductor
【技术实现步骤摘要】
一种高压裸导线绝缘材料的生产工艺流程与配方
本专利技术涉及高压导线
，尤其涉及一种高压裸导线绝缘材料的生产工艺流程与配方。
技术介绍
高压裸导线绝缘材料的生产工艺流程与配方是高压导线中重要的环节之一，导线的质量问题作为高压导线的重中之重，为此，我们提出了一种高压裸导线绝缘材料的生产工艺流程与配方。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种高压裸导线绝缘材料的生产工艺流程与配方。为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：一种高压裸导线绝缘材料的生产工艺流程与配方，工艺步骤为首先，将疏水型气相二氧化硅烘箱脱水,70-90度30-60小时.含水量低于0.8%待产；石英粉高速分散真空脱水105-130度2-3小时.挥发份低于0.5%待产；其次，向配套且干净的1000L或500L行星桶内投入全部羟基封端聚二甲基硅氧烷,二甲基硅油,乙炔碳黑,石英粉推进高速分散搅伴机，加放下搅拌桨，开机调速200-400转/分，抽真空至-0.09Mpa，接冷冻水搅拌5-15分钟；机解除真空，升桨加甲基三丁酮肟基硅烷，抽真空至-0.09Mpa，调速200-400转/分搅拌10-20分钟；调速100-300转/分，充氮气解除真空，分2-3次加入疏水型气相二氧化硅。每次添加要求：时间控制在3-5分钟，调转速400-700转/分，待疏水型气相二氧化硅搅拌2-5分钟后抽真空至-0.09Mpa，调转速800转/分，计时搅拌10-20分钟，之后再加下一次；加完最后一次后待疏水型气相二氧化硅搅拌2-5分钟后抽真空至-0.09Mpa,调转速800-960转/分，计时搅拌15-30分钟；最后停机，用氮气解除真空，升桨在氮气保护下迅速取样看外观，马上放下搅拌桨，开始缓慢抽真空；若此时发现外观不合格，应维持高速延时搅拌，由检测人员决定转速（800转/分-900转/分）和搅拌时间不超过20分钟，延时后重复取样看外观，若仍不合格，则由技术部人员处理；稠度合格后加入乙烯基三丁酮肟基硅烷,调速200-400转/分，充氮气解除真空，分2-3次加入中空玻璃微珠；每次添加要求：时间控制在3-5分钟，调转速200-400转/分，待中空玻璃微珠搅拌2分钟后抽真空至-0.09Mpa，计时搅拌5-20分钟之后再加下一次；加完最后一次中空玻璃微珠搅拌2-5分钟后抽真空至-0.09Mpa,加入丫-氨丙基乙氧基硅烷,调转速200-500转/分，计时搅拌10-30分钟。停机测比重合格后出缸送入压料机待分装。出料温度不得高于60℃。接冷冻水水温20±4℃。高压导线绝缘材料中羟基封端聚二甲基硅氧烷50-65%，二甲基硅油6-7.5%，乙炔碳黑0.8-0.9%，甲基三丁酮肟基硅烷5-8%，乙烯基三丁酮肟基硅烷0.5-1.2%，丫-氨丙基乙氧基硅烷0.6-0.8%，石英粉5-10%疏水型气相二氧化硅10-15%中空玻璃微珠5-8%。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：该高压裸导线绝缘材料的生产工艺流程与配方，绝缘效果显著，从而保证了人身安全等问题，产品制作简单、实用价值高，具有一定的应用与推广价值。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。一种高压裸导线绝缘材料的生产工艺流程与配方，工艺步骤为首先，将疏水型气相二氧化硅烘箱脱水,70-90度30-60小时.含水量低于0.8%待产；石英粉高速分散真空脱水105-130度2-3小时.挥发份低于0.5%待产；其次，向配套且干净的1000L或500L行星桶内投入全部羟基封端聚二甲基硅氧烷,二甲基硅油,乙炔碳黑,石英粉推进高速分散搅伴机，加放下搅拌桨，开机调速200-400转/分，抽真空至-0.09Mpa，接冷冻水搅拌5-15分钟；机解除真空，升桨加甲基三丁酮肟基硅烷，抽真空至-0.09Mpa，调速200-400转/分搅拌10-20分钟；调速100-300转/分，充氮气解除真空，分2-3次加入疏水型气相二氧化硅。每次添加要求：时间控制在3-5分钟，调转速400-700转/分，待疏水型气相二氧化硅搅拌2-5分钟后抽真空至-0.09Mpa，调转速800转/分，计时搅拌10-20分钟，之后再加下一次；加完最后一次后待疏水型气相二氧化硅搅拌2-5分钟后抽真空至-0.09Mpa,调转速800-960转/分，计时搅拌15-30分钟；最后停机，用氮气解除真空，升桨在氮气保护下迅速取样看外观，马上放下搅拌桨，开始缓慢抽真空；若此时发现外观不合格，应维持高速延时搅拌，由检测人员决定转速（800转/分-900转/分）和搅拌时间不超过20分钟，延时后重复取样看外观，若仍不合格，则由技术部人员处理；稠度合格后加入乙烯基三丁酮肟基硅烷,调速200-400转/分，充氮气解除真空，分2-3次加入中空玻璃微珠；每次添加要求：时间控制在3-5分钟，调转速200-400转/分，待中空玻璃微珠搅拌2分钟后抽真空至-0.09Mpa，计时搅拌5-20分钟之后再加下一次；加完最后一次中空玻璃微珠搅拌2-5分钟后抽真空至-0.09Mpa,加入丫-氨丙基乙氧基硅烷,调转速200-500转/分，计时搅拌10-30分钟。停机测比重合格后出缸送入压料机待分装。出料温度不得高于60℃。接冷冻水水温20±4℃。高压导线绝缘材料中羟基封端聚二甲基硅氧烷50-65%，二甲基硅油6-7.5%，乙炔碳黑0.8-0.9%，甲基三丁酮肟基硅烷5-8%，乙烯基三丁酮肟基硅烷0.5-1.2%，丫-氨丙基乙氧基硅烷0.6-0.8%，石英粉5-10%疏水型气相二氧化硅10-15%中空玻璃微珠5-8%。该高压裸导线绝缘材料的生产工艺流程与配方，绝缘效果显著，从而保证了人身安全等问题，产品制作简单、实用价值高，具有一定的应用与推广价值。以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，根据本专利技术的技术方案及其专利技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种高压裸导线绝缘材料的生产工艺流程与配方，其特征在于：工艺步骤为首先，将疏水型气相二氧化硅烘箱脱水,70-90度30-60小时.含水量低于0.8%待产；石英粉高速分散真空脱水105-130度2-3小时.挥发份低于0.5%待产；/n其次，向配套且干净的1000L或500L行星桶内投入全部羟基封端聚二甲基硅氧烷,二甲基硅油,乙炔碳黑,石英粉推进高速分散搅伴机，加放下搅拌桨，开机调速200-400转/分，抽真空至-0.09Mpa，接冷冻水搅拌5-15分钟；机解除真空，升桨加甲基三丁酮肟基硅烷，抽真空至-0.09Mpa，调速200-400转/分搅拌10-20分钟；调速100-300转/分，充氮气解除真空，分2-3次加入疏水型气相二氧化硅；每次添加要求：时间控制在3-5分钟，调转速400-700转/分，待疏水型气相二氧化硅搅拌2-5分钟后抽真空至-0.09Mpa，调转速800转/分，计时搅拌10-20分钟，之后再加下一次；加完最后一次后待疏水型气相二氧化硅搅拌2-5分钟后抽真空至-0.09Mpa, 调转速800-960转/分，计时搅拌15-30分钟；/n最后停机，用氮气解除真空，升桨在氮气保护下迅速取样看外观，马上放下搅拌桨，开始缓慢抽真空；若此时发现外观不合格，应维持高速延时搅拌，由检测人员决定转速（800转/分-900转/分）和搅拌时间不超过20分钟，延时后重复取样看外观，若仍不合格，则由技术部人员处理；稠度合格后加入乙烯基三丁酮肟基硅烷,调速200-400转/分，充氮气解除真空，分2-3次加入中空玻璃微珠；每次添加要求：时间控制在3-5分钟，调转速200-400转/分，待中空玻璃微珠搅拌2分钟后抽真空至-0.09Mpa，计时搅拌5-20分钟之后再加下一次；加完最后一次中空玻璃微珠搅拌2-5分钟后抽真空至-0.09Mpa, 加入丫-氨丙基乙氧基硅烷,调转速200-500转/分，计时搅拌10-30分钟。/n...
【技术特征摘要】
1.一种高压裸导线绝缘材料的生产工艺流程与配方，其特征在于：工艺步骤为首先，将疏水型气相二氧化硅烘箱脱水,70-90度30-60小时.含水量低于0.8%待产；石英粉高速分散真空脱水105-130度2-3小时.挥发份低于0.5%待产；
其次，向配套且干净的1000L或500L行星桶内投入全部羟基封端聚二甲基硅氧烷,二甲基硅油,乙炔碳黑,石英粉推进高速分散搅伴机，加放下搅拌桨，开机调速200-400转/分，抽真空至-0.09Mpa，接冷冻水搅拌5-15分钟；机解除真空，升桨加甲基三丁酮肟基硅烷，抽真空至-0.09Mpa，调速200-400转/分搅拌10-20分钟；调速100-300转/分，充氮气解除真空，分2-3次加入疏水型气相二氧化硅；每次添加要求：时间控制在3-5分钟，调转速400-700转/分，待疏水型气相二氧化硅搅拌2-5分钟后抽真空至-0.09Mpa，调转速800转/分，计时搅拌10-20分钟，之后再加下一次；加完最后一次后待疏水型气相二氧化硅搅拌2-5分钟后抽真空至-0.09Mpa,调转速800-960转/分，计时搅拌15-30分钟；
最后停机，用氮气解除真空，升桨在氮气保护下迅速取样看外观，马上放下搅拌桨，开始缓慢抽真空；若此时发现外观不合格，应维持高速延时搅拌，由检测人员决定转速（800转/分-900转/分）和搅拌时间不超过20分钟，延时后重复取样看外观，若仍不...
【专利技术属性】
技术研发人员：王长杰，刘正辉，
申请(专利权)人：王长杰，刘正辉，
类型：发明
国别省市：广东;44
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