【技术实现步骤摘要】
一种抗辐照配电限流开关电路
本专利技术属于半导体混合集成电路设计技术,具体涉及用于供电系统限流保护控制的抗辐照配电限流开关电路。
技术介绍
国内航天器普遍采用在负载输入端串入熔断器、限流电阻保护或电磁继电器的方式。电磁继电器功耗较小,但切换过程有电弧,电磁干扰大,体积大,质量重。限流电阻、熔断器保护方式均属于被动过流保护手段,限流电阻方式具有增加功耗、设备温度升高、不能关断通路的缺点;熔断器保护方式具有电路简单的优点,但是熔断器熔断后不可恢复对保护设备的供电,等同于保护设备失效,不能满足航天器长寿命、可靠性的需求。为保证卫星、飞行器、XXX配电系统中各种仪器设备工作的有效性和可靠性,总体对系统的安全性、可靠性提出更高要求。因此,需要研制具有抗辐照、限流/短路保护功能的限流开关电路。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题,本专利技术提供一种抗辐照配电限流开关电路,具有限流及短路保护功能,且当限流或短路状态消失时,电路自动恢复到工作状态,无需再次触发;电路关断时间可调,适用于延迟关断的场合;具有限制电流过冲的功能。本专利技术是通过以下技术方案来实现:一种抗辐照配电限流开关电路,包括限流电路和计时关断电路;电路输入端与电容C1一端、电容C2一端和稳压管DZ1负极分别连接,电容C1另一端、电容C2另一端和稳压管DZ1正极依次与电阻R3和电阻R4连接,电阻R4另一端与三极管Q3集电极连接,三极管Q3基极与电阻R1一端和电阻R2一端分别连接,电阻R1另一端与控制端连接,电阻R2另一端 ...
【技术保护点】
1.一种抗辐照配电限流开关电路,其特征在于,包括限流电路和计时关断电路;电路输入端与电容C1一端、电容C2一端和稳压管D
【技术特征摘要】
1.一种抗辐照配电限流开关电路,其特征在于,包括限流电路和计时关断电路;电路输入端与电容C1一端、电容C2一端和稳压管DZ1负极分别连接,电容C1另一端、电容C2另一端和稳压管DZ1正极依次与电阻R3和电阻R4连接,电阻R4另一端与三极管Q3集电极连接,三极管Q3基极与电阻R1一端和电阻R2一端分别连接,电阻R1另一端与控制端连接,电阻R2另一端及三极管Q3发射极均接地;
限流电路包括电阻R5和三极管Q1,电路输入端与电阻R5一端及三极管Q1发射极连接,电阻R5另一端与电感L1一端连接,电感L1另一端与电阻R9一端、三极管Q2发射极及场效应管M1源极连接,电阻R9另一端通过电容C3与电阻R10一端及场效应管M1栅极连接;三极管Q1集电极与电阻R6一端及场效应管M1栅极连接,电阻R6另一端与电阻R3一端连接;三极管Q1基极与电阻R7一端及三极管Q2集电极连接,三极管Q2基极与发射极之间并联二极管D2;三极管Q1基极与发射极之间并联二极管D1;电阻R7另一端与电阻R8一端连接,电阻R8另一端与电阻R3一端连接;
计时关断电路包括电阻R17和三极管Q8:电阻R10另一端与电阻R17一端和三极管Q8发射极分别连接,三极管Q8发射极与基极之间并联电容C4和电阻R13,且三极管Q8基极与电阻R14一端连接,电阻R14另一端为输出端;三极管Q8集电极通过电阻R12与三极管Q4集电极连接,三极管Q4发射极与电阻R11一端连接,电阻R11另一端与电阻R3一端连接,电阻R11两端并联电容C5和电容C6;电阻R17另一端与电阻R18一端、电阻R15一端和三极管Q7发射极连接,电阻R18两端并联电容C10,电阻R18另一端与三极管Q6集电极及三极管Q7基极连接,三极管Q6基极与三极管Q7集电极连接,三极管Q6发射极与电阻R3一端连接,三极管Q7集电极还与电阻R19一端连接,电阻R19另一端与电阻R3一端连接,电阻R19两端并联电容C11;电阻R15另一端与电阻R16一端连接,电阻R16另一端与电阻R3一端连接;三极管Q4基极与集电极之间短路连接,且三极管Q4基极与三极管Q5基极连接,三极管Q5集电极与三极管Q7基极连接,三极管Q5发射极与电阻R16一端连接,电阻R16两端并联电容C7。
2.根据权利要求1所述的抗辐照配电限流开关电路,其特征在于,还包括开关状态监测电路,开关状态监测电路包括电阻R21和三极管Q9;场效应管M1漏极与电阻R14输出端连接,电阻R14输出端与电路输出端及电阻R21一端连接,电阻R21另一端与电阻R22一端及三极管Q9基极连接,电阻R22另一端与电阻R23一端连接并接地,电阻R23另一端分两路,一路为监测端,另一路与三极管Q9发射极连接,三极管Q9集电极与电路输出端连接。
3.根据权利要求2所述的抗辐照配电限流开关电路,其特征在于,开关状态监测电路还包括电阻20、电容C9和D3;二极管电阻R14输出端与电阻R20一端连接,电阻R20另一端与电容C9一端连接,电容C9另一端与二极管D3正极连接并接地,二极管D3负极与电路输出端连接。
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【专利技术属性】
技术研发人员:付伟,刘建红,王昌鹏,
申请(专利权)人:西安微电子技术研究所,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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