一种大和锦的种植方法技术

本发明专利技术公开了一种大和锦的种植方法，属于植物栽培技术领域，该方法从整株的大和锦上选择形状完整的叶片从其基部掰下，叶片的创面蘸取调节剂后，将叶片放在LED灯下照射10‑20min，然后将叶片水平放置在扦插基质上，得到扦插苗；再将单株直径3‑5cm的扦插苗移栽至培养基质上；调节剂为GGR、VB12、姜黄素和硅藻土制成的糊状物。该种植方法适用于栽培大和锦，通过对扦插用叶片的预处理，有效对创面起到了消毒同时涂抹植物生长调节剂的效果，提升了扦插成活率；在扦插阶段和移栽阶段分别使用不同的土壤，提供质地较疏松且符合生长需求的土壤条件，为扦插苗提供良好的根际环境，提高了扦插后的存活率。

A planting method of dahejin

【技术实现步骤摘要】
一种大和锦的种植方法
本专利技术属于植物栽培
，具体涉及一种大和锦的种植方法。
技术介绍
大和锦(Echeveriapurpusorum)属蔷薇目、景天科、石莲花属，是一种多肉植物。石莲花属的多肉植物原产美洲，习性强健，除少数品种外，很容易生长和繁殖，夏季有半休眠，其它时间只要温度适宜都能很好地生长。适合家庭种植，做庭院和居家装饰；石莲花属植物喜温暖、干燥，喜充足的光照，也耐半荫，由于形似莲花，叶片晶莹剔透，姿态秀丽而深受消费者的喜爱。大和锦属于石莲花属中的中型品种，单株直径在10cm-15cm，其叶片全部基生，呈莲座状，叶密集互生，三角卵形，先端急尖，叶色灰绿，密布红褐色的斑纹。国内研究、种植多肉植物的时间较短，石莲花属种类众多，但并没有严格的针对不同品种进行种植方法的区分，致使部分种类由于种植方法不佳，造成种质品质不佳、产量少、价格昂贵、成品品质参差不齐的问题。
技术实现思路
为了克服上述现有技术的缺陷，本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种适合于大和锦的种植方法，解决大和锦种植过程中生产缓慢易感叶锈病的问题。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：一种大和锦的种植方法，包括以下步骤：步骤1、从整株的大和锦上选择形状完整的叶片从其基部掰下，叶片的创面蘸取调节剂后，将叶片放在LED灯下照射10-20min，然后将叶片水平放置在扦插基质上，得到扦插苗；步骤2、将单株直径3-5cm的扦插苗移栽至培养基质上，所述培养基质包括由上之下依次设置的排水层、营养层和蛭石层，所述蛭石层在扦插苗移栽之后撒在营养层上；所述调节剂为GGR、VB12、姜黄素和硅藻土制成的糊状物；所述扦插基质由贝壳粉、沙壤土、腐叶土和砾石配置而成。本专利技术的有益效果在于：本专利技术提供的种植方法适用于栽培大和锦，通过对扦插用叶片的预处理，有效对创面起到了消毒同时涂抹植物生长调节剂的效果，且相较于传统的浸泡和单独使用生长调节剂，缩短了处理时间，植物生长调节剂和硅藻土的同时使用能够有效延长调节剂的作用时间，且有效将创面与空气隔离，延长调节剂的作用时间和作用效果，进而有效提升了扦插成活率；在扦插阶段和移栽阶段分别使用不同的土壤，提供质地较疏松且符合生长需求的土壤条件，为扦插苗提供良好的根际环境，有利于提高扦插后的生根率及存活率。具体实施方式为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式予以说明。本专利技术最关键的构思在于：使用硅藻土与植物生长调节剂和消毒剂共用对大和锦扦插叶片的创面进行处理，同时调节扦插基质和培养基质的土壤组成，使其适应与大和锦的成长。本专利技术提供一种大和锦的种植方法，包括以下步骤：步骤1、从整株的大和锦上选择形状完整的叶片从其基部掰下，叶片的创面蘸取调节剂后，将叶片放在LED灯下照射10-20min，然后将叶片水平放置在扦插基质上，得到扦插苗；步骤2、将单株直径3-5cm的扦插苗移栽至培养基质上，所述培养基质包括由上之下依次设置的排水层、营养层和蛭石层，所述蛭石层在扦插苗移栽之后撒在营养层上；所述调节剂为GGR、VB12、姜黄素和硅藻土制成的糊状物；所述扦插基质由贝壳粉、沙壤土、腐叶土和砾石配置而成。从上述描述可知，本专利技术的有益效果在于：本专利技术提供的种植方法适用于栽培大和锦，通过对扦插用叶片的预处理，有效对创面起到了消毒同时涂抹植物生长调节剂的效果，且相较于传统的浸泡和单独使用生长调节剂，缩短了处理时间，植物生长调节剂和硅藻土的同时使用能够有效延长调节剂的作用时间，且有效将创面与空气隔离，延长调节剂的作用时间和作用效果，进而有效提升了扦插成活率；在扦插阶段和移栽阶段分别使用不同的土壤，提供质地较疏松且符合生长需求的土壤条件，为扦插苗提供良好的根际环境，有利于提高扦插后的生根率及存活率。进一步的，所述调节剂的制备方法为：将GGR、VB12和姜黄素与水混合制成水溶液，然后加入硅藻土搅拌制备得到糊状物；所述水溶液中GGR的浓度为150-210mg/L、VB12的浓度为50-100mg/L、姜黄素的浓度为8-12umol/L。由上述描述可知，GGR与VB12的共同作用相较于其单一使用，可显著提高扦插成活率，姜黄素照射后可有效起到对创面杀菌消毒的作用。进一步的，所述步骤1的扦插基质的上方设有遮阳网，所述遮阳网的透光率为50％，所述遮阳网距离扦插基质上表面的距离为25-40cm。由上述描述可知，扦插培养阶段过多的光照会显著影响现成成活率，使用遮阳网遮蔽一定的阳光利于扦插叶片的生根，且无需刻意控制光照时长，利用自然光便于管理，成本更低。进一步的，所述步骤1的扦插基质的厚度为3.5-4.5cm。由上述描述可知，3.5-4.5cm的扦插基质完全可满足大和锦生根的环境，相较于传统的6-7cm的基质，能够显著降低培育成本。进一步的，所述扦插基质由1.5-3重量份的贝壳粉、8-12重量份的沙壤土、1-2.5重量份的腐叶土和3-5重量份的砾石配置而成。进一步的，所述排水层由质量比为1:1-1.5的陶粒和凹凸棒颗粒组成，所述陶粒的粒径为0.7-1cm，所述凹凸棒颗粒的粒径为0.4-0.7cm。进一步的，所述营养层由0.1-0.5重量份的甲壳素、8-12重量份的沙壤土、0.5-1重量份的贝壳粉、2-3重量份的珍珠岩、1-2重量份的腐叶土、1-2重量份的泥塘土和1.2-3重量份的粉碎后的玉米秸秆配置而成。由上述描述可知，排水层能够有效排除多余的水分，避免根系长期浸泡在水中出现徒长或烂根的问题，甲壳素等天然物质组成的营养层，相较于添加现有的氮磷钾肥，其缓释效果更佳，适合于大和锦这类生长较为缓慢的多肉植物，能够长期均一的向其供应营养，无需经常十分，也不会出现因难于掌握施肥量造成植物生长停滞或浓度过高出现肥害的问题。实施例1：一种大和锦的种植方法，具体包括以下步骤：步骤1、将15kg的贝壳粉、100kg的沙壤土、20kg的腐叶土和40kg的砾石混合均匀得到混合基质，混合过程中喷洒多菌灵进行消毒，消毒后进行烘干，将烘干后的混合基质平铺在栽种盆中，厚度为4cm，然后浇透水得到扦插基质；步骤2、从整株的大和锦上选择形状完整的多个叶片从其基部掰下，叶片的创面蘸取调节剂后，将叶片放在LED灯下照射10min，然后将叶片水平放置在扦插基质上，叶片之间的距离约2-3cm，扦插基质的上方设有遮阳网，所述遮阳网的透光率为50％，遮阳网距离扦插基质上表面的距离为30cm，在大棚中培养直至生根长处小苗，即得到扦插苗；所述调节剂的制备方法为：将GGR、VB12和姜黄素与水混合制成水溶液，然后加入硅藻土搅拌制备得到糊状物；所述水溶液中GGR的浓度为150mg/L、VB12的浓度为60mg/L、姜黄素的浓度为8umol/L，所述水溶液和硅藻土的质量比为3.2:1。步骤3、将烘干后的质量比为1:1的陶粒和凹凸棒颗粒混合均匀并平铺在培养盆的底部，得到排水层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大和锦的种植方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1、从整株的大和锦上选择形状完整的叶片从其基部掰下，叶片的创面蘸取调节剂后，将叶片放在LED灯下照射10-20min，然后将叶片水平放置在扦插基质上，得到扦插苗；/n步骤2、将单株直径3-5cm的扦插苗移栽至培养基质上，所述培养基质包括由上之下依次设置的排水层、营养层和蛭石层，所述蛭石层在扦插苗移栽之后撒在营养层上；/n所述调节剂为GGR、VB12、姜黄素和硅藻土制成的糊状物；/n所述扦插基质由贝壳粉、沙壤土、腐叶土和砾石配置而成。/n

【技术特征摘要】
1.一种大和锦的种植方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、从整株的大和锦上选择形状完整的叶片从其基部掰下，叶片的创面蘸取调节剂后，将叶片放在LED灯下照射10-20min，然后将叶片水平放置在扦插基质上，得到扦插苗；
步骤2、将单株直径3-5cm的扦插苗移栽至培养基质上，所述培养基质包括由上之下依次设置的排水层、营养层和蛭石层，所述蛭石层在扦插苗移栽之后撒在营养层上；
所述调节剂为GGR、VB12、姜黄素和硅藻土制成的糊状物；
所述扦插基质由贝壳粉、沙壤土、腐叶土和砾石配置而成。


2.根据权利要求1所述的大和锦的种植方法，其特征在于，所述调节剂的制备方法为：将GGR、VB12和姜黄素与水混合制成水溶液，然后加入硅藻土搅拌制备得到糊状物；所述水溶液中GGR的浓度为150-210mg/L、VB12的浓度为50-100mg/L、姜黄素的浓度为8-12umol/L。


3.根据权利要求1所述的大和锦的种植方法，其特征在于，所述步骤1的扦插...

【专利技术属性】
技术研发人员：张天进，
申请(专利权)人：闽卉福建园艺有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35