用于使用IR辐射选择性地加热标靶的装置制造方法及图纸

总体上，本发明专利技术涉及一种用于使用IR辐射加热标靶的装置。更具体地，本发明专利技术涉及一种装置、一种用于热处理标靶的方法、一种用于制作复合物的方法、IR源的用途、IR源的阵列的用途和所述装置的用途。本发明专利技术涉及一种用于处理标靶的装置，该装置包括：a.IR源，其适于并且布置成从具有第一表面积的发射表面发射IR辐射；b.一组细长主体，其由一个或更多个细长主体组成，每个细长主体都有一入口，统称为入口，并且每个细长主体具有一出口，统称为出口；其中，从所述IR源发射的IR辐射经由所述入口耦合到所述一组细长主体中，并经由所述出口在具有第二表面积的出口表面上与所述细长主体解耦；其中，所述第一表面积大于所述第二表面积。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于使用IR辐射选择性地加热标靶的装置
总体而言，本专利技术涉及一种用于使用IR辐射加热一标靶的装置。更具体地，本专利技术涉及一种装置、一种用于热处理标靶的方法、一种用于制备复合物(复合材料，合成物)的方法、IR源的用途、IR源的阵列的用途和所述装置的用途。
技术介绍
用于加热标靶的装置和方法具有许多工业上重要的应用，包括热塑性塑料的模制和成型；基材和基材表面的固化，尤其是塑料基材的固化；涂层的固化；化学活化；焊接；毛边去除；消毒；清洁和氧化。在现有技术中提出的许多加热标靶的方法采用简单的热发射器，该热发射器可以近似于黑体。这种方法的缺点是，辐射的波长不易控制，并且不可能进行选择性和受控的加热。本领域中提出的许多方法采用来自发射器的直接加热，并且可能具有对向表面的加热不均匀的缺点。在现有技术中，需要改进的方法来加热标靶，特别是加热非平坦标靶表面或选择性加热复合标靶。
技术实现思路
本专利技术总体上的目的是克服至少一个与加热标靶有关的现有技术中遇到的问题。本专利技术的一个目的是提供一种用于将具有减小的波长带宽的IR辐射施加到标靶的装置。本专利技术的一个目的是提供一种用于将具有明确限定的波长的IR辐射施加到标靶的装置。本专利技术的一个目的是提供一种用于将具有可控制波长的IR辐射施加到标靶的装置。本专利技术的一个目的是提供一种用于加热标靶的装置。本专利技术的一个目的是提供一种用于熔化标靶的装置。本专利技术的一个目的是提供一种用于选择性地加热复合物的成分(组成部分)的装置。本专利技术的一个目的是提供一种用于选择性地熔化复合物的成分的装置。本专利技术的一个目的是提供一种用于产生复合物的装置。本专利技术的一个目的是提供一种用于选择性地将IR辐射施加到标靶表面的一部分的装置。本专利技术的一个目的是提供一种用于将IR辐射施加到标靶同时减少通过传导进行的标靶加热的装置。本专利技术的一个目的是提供一种用于将IR辐射施加到标靶同时减少通过对流进行的标靶加热的装置。本专利技术的一个目的是提供一种用于将具有明确限定的波长的IR辐射施加到标靶同时减少向标靶施加具有其它波长的辐射的装置。本专利技术的一个目的是提供一种用于从标靶中消除不规则部分的装置。本专利技术的一个目的是提供一种用于从标靶去除模制毛边的装置。本专利技术的一个目的是提供一种用于处理模制品的装置。本专利技术的一个目的是提供一种用于加热塑料的装置。本专利技术的一个目的是提供一种用于熔化塑料的装置。本专利技术的一个目的是提供一种将具有减小的波长带宽的IR辐射施加到标靶的方法。本专利技术的一个目的是提供一种将具有明确限定的波长的IR辐射施加到标靶的方法。本专利技术的一个目的是提供一种将具有可控制波长的IR辐射施加到标靶的方法。本专利技术的一个目的是提供一种用于加热标靶的方法。本专利技术的一个目的是提供一种用于熔化标靶的方法。本专利技术的一个目的是提供一种选择性地加热复合物的成分的方法。本专利技术的一个目的是提供一种选择性地熔化复合物的成分的方法。本专利技术的一个目的是提供一种产生复合物的方法。本专利技术的一个目的是提供一种将IR辐射选择性地施加到标靶表面的一部分的方法。本专利技术的一个目的是提供一种用于将IR辐射施加到标靶同时减少通过传导进行的标靶加热的方法。本专利技术的一个目的是提供一种用于将IR辐射施加到标靶同时减少通过对流进行的标靶加热的方法。本专利技术的一个目的是提供一种用于将具有明确限定的波长的IR辐射施加到标靶同时减少向标靶施加具有其它波长的辐射的方法。本专利技术的一个目的是提供一种用于从标靶中消除不规则部的方法。本专利技术的一个目的是提供一种用于从标靶去除模制毛边的方法。本专利技术的一个目的是提供一种用于处理模制品的方法。本专利技术的一个目的是提供一种用于加热塑料的方法。本专利技术的一个目的是提供一种用于熔化塑料的方法。本专利技术的一个特定目的是提供一种用于以增加的位置选择性来处理标靶的装置。本专利技术的一个特定目的是提供一种用于以增加的位置选择性来加热标靶的装置。本专利技术的一个特定目的是提供一种用于以增加的位置选择性来熔化标靶的装置。本专利技术的一个特定目的是提供一种用于以增加的位置选择性从标靶去除毛边的装置。本专利技术的一个特定目的是提供一种用于处理标靶中难以接近(到达，操作)的部位、特别是腔体的装置。本专利技术的一个特定目的是提供一种用于加热标靶中难以接近的部位、特别是腔体的装置。本专利技术的一个特定目的是提供一种用于熔化标靶中难以接近的部位、特别是腔体的装置。本专利技术的一个特定目的是提供一种用于从标靶中难以接近的部位去除毛边的装置。本专利技术的一个特定目的是提供一种用于以增加的位置选择性来处理标靶的方法。本专利技术的一个特定目的是提供一种用于以增加的位置选择性来加热标靶的方法。本专利技术的一个特定目的是提供一种用于以增加的位置选择性来熔化标靶的方法。本专利技术的一个特定目的是提供一种用于以增加的位置选择性来从标靶去除毛边的方法。本专利技术的一个特定目的是提供一种用于处理标靶中难以接近的部位、特别是腔体的方法。本专利技术的一个特定目的是提供一种用于加热标靶中难以接近的部位、特别是腔体的方法。本专利技术的一个特定目的是提供一种用于熔化标靶中难以接近的部位、特别是腔体的方法。本专利技术的一个特定目的是提供一种用于从标靶中难以接近的部位、特别是腔体去除毛边的方法。通过形成本专利技术权利要求的范畴的主题来对实现上述目的中的至少一个做出贡献。进一步的贡献由代表本专利技术的特定实施例的本专利技术从属权利要求的主题做出。本专利技术的详细描述下面的实施方案对实现上述目的中的至少一个做出了贡献。|1|一种用于处理标靶的装置，该装置包括：a.IR源，其适于并且布置成从具有第一表面积的发射表面发射IR辐射；b.一组细长主体，其包括1个或更多、优选2个或更多、更优选5个或更多、更优选10个或更多、更优选20个或更多细长主体，每个细长主体都具有一入口，(这些细长主体的入口)统称为(集体地称为，共同地称为)入口，并且每个细长主体都具有一出口，(这些细长主体的出口)统称为出口；其中，从所述IR源发射的IR辐射经由所述入口耦合(结合)到所述一组细长主体中，并经由所述出口在具有第二表面积的出口表面上与所述细长主体解耦(分离，离开)；其中，所述第一表面积大于所述第二表面积。优选地，所述第一表面积是所述第二表面积的至少两倍，更优选至少五倍，更优选至少十倍，更优选至少100倍。在该实施方案的一个方面，所述IR源是热IR源，所述第一表面积是所述第二表面积的至少15倍，优选至少50倍，更优选至少100倍。在该实施方案的一个方面，所述IR源是基于半导体的IR源，所述第一表面积是所述第二表面积的至少2倍，优选至少5倍，更优选至少10倍。在该实施方案的一个方面，所述细长主本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理标靶的装置，该装置包括：/na.IR源，其适于并且布置成从具有第一表面积的发射表面发射IR辐射；/nb.一组细长主体，其由1个或更多个细长主体组成，每个细长主体都具有一入口，统称为入口，并且每个细长主体都具有一出口，统称为出口；/n其中，从所述IR源发射的IR辐射经由所述入口耦合到所述一组细长主体中，并经由所述出口在具有第二表面积的出口表面上与所述细长主体解耦；/n其中，所述第一表面积大于所述第二表面积。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170929 EP 17194236.01.一种用于处理标靶的装置，该装置包括：
a.IR源，其适于并且布置成从具有第一表面积的发射表面发射IR辐射；
b.一组细长主体，其由1个或更多个细长主体组成，每个细长主体都具有一入口，统称为入口，并且每个细长主体都具有一出口，统称为出口；
其中，从所述IR源发射的IR辐射经由所述入口耦合到所述一组细长主体中，并经由所述出口在具有第二表面积的出口表面上与所述细长主体解耦；
其中，所述第一表面积大于所述第二表面积。


2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述IR源包括热发射器。


3.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述IR源包括半导体。


4.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述IR源包括IR-LED。


5.根据前述实施方案中任一项所述的装置，其中，所述IR源具有以下特性中的一个或多个：
a.发射表面的光功率通量在1至250W/cm2的范围内；
b.峰值发射波长在800至1600nm的范围内；
c.发射波长的带宽在1至50nm的范围内；
d.总功率输出在10W至100kW的范围内。


6.根据前述实施方案中任一项所述的装置，其中，所述IR源具有以下特性中的一个或多个：
a.发射表面的光功率通量在1至60W/cm2的范围内；
b.峰值发射波长在800至3000nm的范围内；
c.发射波长的带宽在100至4800nm的范围内；
d.总输出功率在10W至100kW的范围内；
e.包括电绝缘体，在正常操作期间其温度在200℃至1100℃的范围内。


7.根据前述权利要求中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·克林斯基，M·库斯纳，F·巴鲁克，O·韦斯，T·皮埃拉，C·斯特恩基克尔，J·韦伯，
申请(专利权)人：贺利氏特种光源有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE