显示装置制造方法及图纸

提供了一种显示装置，所述显示装置包括第一晶体管、第一像素电极、第二晶体管以及第二像素电极。第一晶体管包括第一漏电极。第一像素电极位于显示装置的边缘与显示装置的中心之间并且包括第一凹入结构。第一凹入结构直接地接触第一漏电极。第二晶体管包括第二漏电极。第二像素电极位于显示装置的边缘与第一像素电极之间并且包括至少一个凹入结构。至少一个凹入结构包括第二凹入结构。第二凹入结构直接地接触第二漏电极。至少一个凹入结构的总的最大宽度大于第一凹入结构的最大宽度。

display device

【技术实现步骤摘要】
显示装置

涉及一种显示装置。
技术介绍
现代显示装置可以包括等离子体显示装置、液晶显示装置和有机发光显示装置。现代显示装置可以具有小尺寸、轻重量和低功耗的优点。显示装置可以包括用于显示图像的显示区域。显示区域的不同部分中的明显不一致的反射会对所显示的图像的感知质量产生负面影响。
技术实现思路
实施例可以涉及一种具有优化的反射率和令人满意的显示质量的显示装置。一个或更多个实施例也提供了一种显示装置。所述显示装置包括：基体基底，包括包含中间区域和边缘区域的显示区域以及围绕显示区域的外围区域；多个薄膜晶体管，设置在中间区域和边缘区域中；绝缘层，设置在薄膜晶体管上；多个SD图案，设置在绝缘层上，并且分别电连接到多个薄膜晶体管；以及过孔绝缘层，设置在其上设置有SD图案的绝缘层上，并且具有分别暴露多个SD图案的多个过孔。边缘区域设置在外围区域与中间区域之间。虚设图案在过孔绝缘层上在边缘区域中围绕过孔形成。在实施例中，显示装置还可以包括设置在过孔绝缘层上的薄膜封装层。薄膜封装层可以包括第一无机层、在第一无机层上的有机层和设置在有机层上的第二无机层。有机层的在中间区域中的第一厚度可以大于有机层的在边缘区域中的第二厚度。在实施例中，有机层可以通过单体的聚合形成。在实施例中，虚设图案可以是形成在过孔绝缘层上的至少一个凹槽。在实施例中，边缘区域可以包括与中间区域相邻的第一边缘区域和与外围区域相邻的第二边缘区域。虚设图案的在第二边缘区域中的凹槽的数量可以大于虚设图案的在第一边缘区域中的凹槽的数量。在实施例中，边缘区域可以包括与中间区域相邻的第一边缘区域和与外围区域相邻的第二边缘区域。虚设图案可以在第一边缘区域中具有第一深度，并且在第二边缘区域中具有大于第一深度的第二深度。在实施例中，虚设图案可以是围绕过孔并形成在过孔绝缘层上的沟槽。在实施例中，显示装置还可以包括：多个第一电极，设置在过孔绝缘层上，并分别电连接到多个SD图案；发光层，设置在第一电极上；以及第二电极，设置在发光层上。在实施例中，边缘区域中的第一电极可以设置为与虚设图案叠置，从而形成对应于虚设图案的不规则部。在实施例中，过孔可以在中间区域中具有第一宽度，并且在边缘区域中具有大于第一宽度的第二宽度。在实施例中，虚设图案可以是形成在过孔绝缘层上的凹槽或沟槽。在实施例中，在边缘区域中，虚设图案的尺寸可以随着其逐渐与外围区域相邻而逐渐增大。在实施例中，有机层的在边缘区域中的反射率可以大于有机层的在中间区域中的反射率。在实施例中，显示装置的在边缘区域中的厚度可以小于显示装置的在中间区域中的厚度。根据实施例，一种显示装置包括：基体基底，包括包含中间区域和边缘区域的显示区域以及围绕显示区域的外围区域；多个薄膜晶体管，设置在中间区域和边缘区域中；绝缘层，设置在薄膜晶体管上；多个SD图案，设置在绝缘层上，并且分别电连接到多个薄膜晶体管；以及过孔绝缘层，设置在其上设置有SD图案的绝缘层上，并且具有分别暴露多个SD图案的多个过孔。边缘区域设置在外围区域与中间区域之间。中间区域中的过孔具有第一宽度，边缘区域中的过孔具有大于第一宽度的第二宽度。根据实施例，一种显示装置包括：基体基底；薄膜晶体管，设置在基体基底上；过孔绝缘层，设置在薄膜晶体管上，具有过孔并具有围绕过孔形成的虚设图案；第一电极，设置在过孔绝缘层上并且通过过孔电连接到薄膜晶体管；发光层，设置在第一电极上；以及第二电极，设置在发光层上。在实施例中，显示装置还可以包括设置在第二电极上的薄膜封装层。基体基底可以包括包含中间区域和边缘区域的显示区域以及围绕显示区域的外围区域。边缘区域可以设置在外围区域与中间区域之间。薄膜封装层可以包括设置在第二电极上的第一无机层、设置在第一无机层上的有机层和在有机层上的第二无机层。有机层的在中间区域中的第一厚度可以大于有机层的在边缘区域中的第二厚度。在实施例中，虚设图案可以是形成在过孔绝缘层上的至少一个凹槽或沟槽。在实施例中，在显示区域中，多个像素结构可以以矩阵形式布置，并且每个像素结构可以包括薄膜晶体管、过孔和第一电极。在中间区域中，虚设图案可以不围绕过孔形成。在边缘区域中，虚设图案可以围绕过孔形成。根据本专利技术构思的实施例，显示装置包括其中显示图像的显示区域和外围区域。显示区域包括边缘区域和中间区域。在中间区域中，薄膜封装层的有机层在过孔上具有第一高度。在边缘区域中的有机层在过孔上具有小于第一高度的第二高度。虚设图案可以形成在边缘区域中，或过孔的在边缘区域中的尺寸(宽度)和深度(高度)可以与过孔的在中间区域中的尺寸(宽度)和深度(高度)不同，以补偿反射率差异。因此，在没有特殊的附加工艺的情况下，能够简单地通过围绕过孔形成虚设图案来容易地控制反射率的差异。实施例可以涉及一种显示装置。显示装置可以包括第一晶体管结构、第一像素电极、第二晶体管结构和第二像素电极。第一晶体管结构可以包括第一漏电极。第一像素电极可以位于显示装置的边缘与显示装置的中心之间，并且可以包括第一凹入结构。第一凹入结构可以直接地接触第一漏电极。第二晶体管结构可以包括第二漏电极。第二像素电极可以位于显示装置的边缘与第一像素电极之间，并且可以包括至少一个凹入结构。至少一个凹入结构可以包括第二凹入结构。第二凹入结构可以直接地接触第二漏电极的面。第一方向可以与第二漏电极的面平行。至少一个凹入结构的在第一方向上的总的最大宽度可以大于第一凹入结构的在第一方向上的最大宽度。参照图3A和图3B，对应于图3B中所示的VIA和DM的181的凹入结构的总的最大宽度大于对应于图3A中所示的VIA的181的凹入结构的最大宽度。参照图6A和图6B，对应于图6B中所示的VIA的181的凹入结构的总的最大宽度大于对应于图6A中所示的VIA的181的凹入结构的最大宽度。显示装置可以包括有机层。有机层的第一部分可以与第一像素电极叠置。有机层的第二部分可以与第二像素电极叠置，并且可以在第二方向上比有机层的第一部分薄。第二方向可以垂直于第一方向。有机层可以通过单体的聚合形成。至少一个凹入结构还可以包括第三凹入结构。在第二方向上，第二凹入结构可以比第三凹入结构深。第二方向可以垂直于第一方向。显示装置可以包括第三晶体管结构和第三像素电极。第三晶体管结构可以包括第三漏电极。第三像素电极可以位于显示装置的边缘与第二像素电极之间，可以包括第三凹入结构，并且可以包括一个或更多个附加凹入结构。第三凹入结构可以直接地接触第三漏电极。第三像素电极的凹入结构的总数量可以大于第二像素电极的凹入结构的总数量。显示装置可以包括第三晶体管结构和第三像素电极。第三晶体管结构可以包括第三漏电极。第三像素电极可以位于显示装置的边缘与第二像素电极之间，并且可以包括第三凹入结构。第三凹入结构可以直接地接触第三漏电极。第二像素电极还可以包括第四凹入结构。第三像素电极还可以包括第五凹入结构。在第二方向上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，所述显示装置包括：/n基体基底，包括包含中间区域和边缘区域的显示区域以及围绕所述显示区域的外围区域；/n多个薄膜晶体管，设置在所述中间区域和所述边缘区域中；/n绝缘层，设置在所述薄膜晶体管上；/n多个SD图案，设置在所述绝缘层上，并且分别电连接到所述多个薄膜晶体管；以及/n过孔绝缘层，设置在其上设置有所述SD图案的所述绝缘层上，并且具有分别暴露所述多个SD图案的多个过孔，/n其中，所述边缘区域设置在所述外围区域与所述中间区域之间，并且/n虚设图案在所述过孔绝缘层上在所述边缘区域中围绕所述过孔形成。/n

【技术特征摘要】
20181106 KR 10-2018-01350701.一种显示装置，所述显示装置包括：
基体基底，包括包含中间区域和边缘区域的显示区域以及围绕所述显示区域的外围区域；
多个薄膜晶体管，设置在所述中间区域和所述边缘区域中；
绝缘层，设置在所述薄膜晶体管上；
多个SD图案，设置在所述绝缘层上，并且分别电连接到所述多个薄膜晶体管；以及
过孔绝缘层，设置在其上设置有所述SD图案的所述绝缘层上，并且具有分别暴露所述多个SD图案的多个过孔，
其中，所述边缘区域设置在所述外围区域与所述中间区域之间，并且
虚设图案在所述过孔绝缘层上在所述边缘区域中围绕所述过孔形成。


2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述过孔绝缘层上的薄膜封装层，
其中，所述薄膜封装层包括第一无机层、在所述第一无机层上的有机层和设置在所述有机层上的第二无机层，并且
所述有机层的在所述中间区域中的第一厚度大于所述有机层的在所述边缘区域中的第二厚度。


3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述有机层通过单体的聚合形成。


4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述虚设图案是形成在所述过孔绝缘层上的至少一个凹槽。


5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述边缘区域包括与所述中间区域相邻的第一边缘区域和与所述外围区域相邻的第二边缘区域，
所述虚设图案的在所述第二边缘区域中的所述凹槽的数量大于所述虚设图案的在所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李彦周，金亨基，朴光雨，李东基，丁进焕，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR