半导体器件和形成用于半导体器件的图案的方法技术

半导体器件和形成用于半导体器件的图案的方法。一种半导体器件包括第一导电图案，该第一导电图案具有在第一方向上延伸的第一线部分以及从第一线部分延伸的第一弯曲部分。在第一线部分的一侧限定由第一线部分和第一弯曲部分围绕的封闭区域。该半导体器件还包括设置在封闭区域中的第二导电图案，该第二导电图案与第一导电图案间隔开。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和形成用于半导体器件的图案的方法
本公开总体上涉及半导体器件，更具体地，涉及一种包括多个图案的半导体器件以及形成用于半导体器件的图案的方法。
技术介绍
为了改进半导体器件的集成度，用于半导体器件的图案可以高密度形成。可使用间隔物构图技术(SPT)来以高密度形成用于半导体器件的图案。当使用SPT时，缺少能够改进线的复杂度的技术。
技术实现思路
根据本公开的一方面，提供了一种形成用于半导体器件的图案的方法。该方法包括在目标层上形成彼此间隔开的多个间隔物。这些间隔物包括：第一间隔物，其在第一方向上延伸；第二间隔物，其包括平行于第一间隔物并在第一方向上彼此间隔开的多个第一线部分以及连接到第一线部分并从第一线部分在第二方向上突出的第一弯曲部分；以及第三间隔物，其围绕多个第一线部分之间的封闭区域的外周。该方法还包括蚀刻目标层的通过所述间隔物开放(open)的部分。根据本公开的另一方面，提供了一种半导体器件，该半导体器件包括第一导电图案，该第一导电图案包括在第一方向上延伸的第一线部分以及从第一线部分延伸的第一弯曲部分。在第一线部分的一侧限定由第一线部分和第一弯曲部分围绕的封闭区域。该半导体器件还包括设置在封闭区域中的第二导电图案，该第二导电图案与第一导电图案间隔开。附图说明图1A和图1B是分别示出根据本公开的实施方式的用于半导体器件的图案的平面图和截面图。图2是示出根据本公开的实施方式的半导体器件的框图。图3A至图3C示出根据本公开的实施方式的存储器单元阵列的等效电路。图4A至图4C、图5A至图5C、图6、图7A至图7C、图8A至图8C、图9A至图9C和图10A至图10C是示出根据本公开的实施方式的形成图案的方法的示图。图11是示出根据本公开的实施方式的存储器系统的配置的框图。图12是示出根据本公开的实施方式的计算系统的框图。具体实施方式以下，参照附图详细描述各种示例实施方式。提供附图以允许本领域普通技术人员理解本教导的实施方式的范围。然而，本教导可按照不同的形式具体实现，不应被解释为限于本文所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开将能够实现。另外，提供这些实施方式以向本领域技术人员传达本教导的各方面。尽管诸如“第一”和“第二”的术语可用于描述各种组件，但是这些组件不能被理解为由上述术语限制。上述术语用于将一个组件与另一组件相区分。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一组件可被称为第二组件，反之亦然。将理解，当元件被称为“连接”或“联接”到另一元件时，其可直接连接或联接到另一元件，或者也可存在中间元件。相反，当元件被称为“直接连接”或“直接联接”到另一元件时，不存在中间元件。诸如“在...之间”、“紧接在...之间”或“与...相邻”和“与...直接相邻”的描述组件之间的关系的其它表达可类似地解释。本申请中所使用的术语用于描述特定实施方式，并非旨在限制本公开。除非上下文清楚地另外指示，否则本公开中的单数形式也旨在包括复数形式。将进一步理解，诸如“包括”或“具有”等的术语旨在指示说明书中所公开的特征、数字、操作、动作、组件、部件或其组合的存在，并非旨在排除可存在或可添加一个或更多个其它特征、数字、操作、动作、组件、部件或其组合的可能性。各种实施方式提供了一种能够改进线的自由度的半导体器件以及形成用于半导体器件的图案的方法。图1A和图1B是分别示出根据本公开的实施方式的用于半导体器件的图案的平面图和截面图。图1A示出图案的布局。图1B示出沿着图1A所示的线X-X’截取的截面图。参照图1A，半导体器件可包括彼此间隔开的图案。这些图案可使用间隔物构图技术(SPT)来精细地形成。下面参照图4A至图10C详细描述通过SPT形成精细图案的工艺。精细图案可包括第一至第八导电图案P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7和P8。图1A所示的第一导电图案P1至第八导电图案P8的位置、布置方式和形状可与精细图案的位置、布置方式和形状有关，并且精细图案可构成半导体器件的部分区域。第一导电图案P1至第八导电图案P8可包括延伸至半导体器件的另一区域的部分(图1A中未示出)。第一导电图案P1至第八导电图案P8的延伸至半导体器件的另一区域的部分的位置、布置方式和形状可不同于图1A所示。第一方向D1和第二方向D2在图1A中示出为在水平平面中彼此交叉的垂直方向。第二方向D2不同于第一方向D1。第一方向D1和第二方向D2彼此不平行。对于一些实施方式，第一方向D1和第二方向D2基本上垂直，它们之间的角度大约为90度。第一导电图案P1至第八导电图案P8设置在沿第一方向D1和第二方向D2延伸的水平平面上并且彼此间隔开。第一导电图案P1可包括第一线部分LP1和第一弯曲部分BP1。第一导电图案P1可围绕封闭区域CA。第一线部分PL1在第一方向D1上延伸。封闭区域CA可被限定在第一线部分LP1的面向第二方向D2的一侧。第一弯曲部分BP1从第一线部分LP1延伸并围绕封闭区域CA。对于一些实施方式，如所示，封闭区域CA可形成为四边形形状。第一弯曲部分BP1可按照直角弯曲。第一弯曲部分BP1可向第一导电图案P1提供第一方向D1以外的方向上的方向性。因此，当连接到第一导电图案P1的连接线设置在第一导电图案P1上方或下方时，连接线的布置自由度增加。第二导电图案P2设置在封闭区域CA中。第二导电图案P2可用作连接到设置在第一导电图案P1至第八导电图案P8上方或下方的至少一条线的接触插塞。下面参照图1B来描述第二导电图案P2和与之连接的线之间的垂直连接结构。第三导电图案P3可包括第二线部分LP2和第二弯曲部分BP2。第二弯曲部分BP2可与第一弯曲部分BP1间隔开并平行于第一弯曲部分BP1延伸。第二线部分LP2可从第二弯曲部分BP2的两端平行于第一线部分LP1延伸。第一弯曲部分BP1与第二弯曲部分BP2之间的距离可等于各个第二线部分LP2和第一线部分LP1之间的距离。第一弯曲部分BP1、封闭区域CA和第二导电图案P2可设置在第二线部分LP2之间的空间中。第二导电图案P2和第二线部分LP2可在第一方向D1上对齐在一条直线上。第一弯曲部分BP1与第二弯曲部分BP2之间的距离可等于第一导电图案P1与第二导电图案P2之间的距离。第二弯曲部分BP2可向第三导电图案P3提供第一方向D1以外的方向上的方向性。因此，当连接到第三导电图案P3的连接线设置在第三导电图案P3上方或下方时，连接线的布置自由度增加。第四导电图案P4是分别与第二线部分LP2相邻的图案。第四导电图案P4可在第二方向D2上与第二线部分LP2间隔开，并且可平行于第二线部分LP2延伸。彼此相邻的第四导电图案P4和第二线部分LP2之间的距离可等于第一弯曲部分BP1和第二弯曲部分BP2之间的距离。第四导电图案P4在第一方向D1上彼此间隔开。第二弯曲部分BP2在第四导电图案P4之间延伸并与第四导电图案P4间隔开。各个第四导电图案P4和第二弯曲部分BP2可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成用于半导体器件的图案的方法，该方法包括以下步骤：/n在目标层上形成彼此间隔开的多个间隔物，其中，多个所述间隔物包括：/n第一间隔物，该第一间隔物在第一方向上延伸；/n第二间隔物，该第二间隔物包括平行于所述第一间隔物并在所述第一方向上彼此间隔开的多个第一线部分以及连接到所述第一线部分并在第二方向上从所述第一线部分突出的第一弯曲部分；以及/n第三间隔物，该第三间隔物围绕多个所述第一线部分之间的封闭区域的外周；以及/n蚀刻所述目标层的通过所述间隔物开放的部分。/n

【技术特征摘要】
20181102 KR 10-2018-01333341.一种形成用于半导体器件的图案的方法，该方法包括以下步骤：
在目标层上形成彼此间隔开的多个间隔物，其中，多个所述间隔物包括：
第一间隔物，该第一间隔物在第一方向上延伸；
第二间隔物，该第二间隔物包括平行于所述第一间隔物并在所述第一方向上彼此间隔开的多个第一线部分以及连接到所述第一线部分并在第二方向上从所述第一线部分突出的第一弯曲部分；以及
第三间隔物，该第三间隔物围绕多个所述第一线部分之间的封闭区域的外周；以及
蚀刻所述目标层的通过所述间隔物开放的部分。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述目标层包括绝缘层以及在所述绝缘层上的掩模层，
其中，蚀刻所述目标层的部分的步骤包括以下步骤：
通过蚀刻所述掩模层的通过所述间隔物开放的部分来形成掩模图案；以及
蚀刻所述绝缘层的通过所述掩模图案开放的部分。


3.根据权利要求2所述的方法，该方法还包括利用导电图案填充所述绝缘层的蚀刻的区域。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成间隔物的步骤包括以下步骤：
在所述目标层上形成多个辅助图案；
在多个所述辅助图案的侧壁上形成多个所述间隔物；以及
去除多个所述间隔物之间的多个所述辅助图案。


5.根据权利要求4所述的方法，其中，多个所述辅助图案包括第一辅助图案以及在所述第二方向上与所述第一辅助图案间隔开的第二辅助图案，
其中，第一沟槽设置在所述第一辅助图案和所述第二辅助图案之间，
其中，所述第一沟槽包括在所述第一方向上延伸并在所述第一方向上彼此间隔开的多个第一部分以及从所述第一部分在所述第二方向上突出并且弯曲的第二部分，
其中，多个所述辅助图案被形成为使得所述第一辅助图案围绕设置在所述第一沟槽的多个所述第一部分之间的框区域，并且所述第二辅助图案由在所述第一方向上彼此间隔开的多个第二沟槽穿透，所述第一沟槽的所述第二部分插置在多个所述第二沟槽之间。


6.根据权利要求5所述的方法，其中，多个所述辅助图案还包括第三辅助图案和第四辅助图案，
其中，多个所述辅助图案被形成为使得所述第一辅助图案在所述第二方向上与所述第三辅助图案间隔开，所述第四辅助图案在所述第二方向上与所述第二辅助图案间隔开，在所述第一方向上延伸的第三沟槽设置在所述第一辅助图案和所述第三辅助图案之间，并且在所述第一方向上延伸的第四沟槽设置在所述第二辅助图案和所述第四辅助图案之间。


7.根据权利要求6所述的方法，其中，在去除多个所述辅助图案之前，
在所述第一辅助图案的面向所述第三沟槽的第一侧壁上形成所述第一间隔物，
在所述第一辅助图案的面向所述第一沟槽的第二侧壁上形成所述第二间隔物，并且
在所述框区域的侧壁上形成所述第三间隔物。


8.根据权利要求6所述的方法，其中，形成间隔物的步骤还包括在所述第二辅助...

【专利技术属性】
技术研发人员：严大成，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR