过滤器制造技术

一种过滤器用于在微电路制造去除所使用的溶剂中的金属污染物质。过滤器包括：过滤器壳体，包括用于过滤包括金属污染物质的溶剂的过滤膜；以及磁铁，配置在过滤器壳体周围并且配置为在金属污染物质进入过滤膜之前产生磁场以吸引金属污染物质。磁铁配置成使得磁铁在过滤器壳体的外围所产生的磁场大于磁铁在过滤器壳体的中央部分所产生的磁场。

filter

【技术实现步骤摘要】
过滤器
本揭露是关于一种具有过滤器的半导体制造设备。
技术介绍
半导体集成电路(IC)产业经历了快速的增长。IC材料和设计的技术进步已经产生数个世代的IC，其中每一代都比前一代具有更小及更复杂的电路。但是，这些进步增加了IC制程和制造的复杂性，并且要实现这些进步，需要在IC制程和制造中进行类似的开发。在集成电路发展的过程中，功能密度(即，每个晶片区域的互连装置数量)通常增加，但几何尺寸(即，可以使用制造制程的最小部件(或线))则减少。随着半导体装置的图案尺寸变小并且具有新结构的半导体装置的开发，无污染物的液体已经用于制造集成电路。使用点(Point-of-use，POU)过滤器设计用于去除集成电路制造中使用的液体中的污染物。例如，在微影制程期间，对光阻进行过滤，以最大程度地减少金属污染物质/杂质的存在，并使光阻图案中的缺陷最小化。
技术实现思路
本揭露的一实施例提供一种过滤器，包括：一过滤器壳体，包括用于过滤包括金属污染物质的溶剂的过滤膜；以及一磁铁，排列在该过滤器壳体周遭，并配置为产生磁场以在该金属污染物质进入该过滤膜之前吸引该金属污染物质。附图说明当结合附图阅读时，根据以下详细描述可更好地理解本揭示案的态样。应注意，根据工业标准实践，各种特征未按比例绘制。事实上，为论述清楚，各特征的尺寸可任意地增加或缩小。图1为根据本揭露的实施例中用于在半导体晶圆上施加溶剂的设备的示意图；图2A示意性地显示根据本揭露的实施例中具有磁铁围绕的过滤器的正视图；>图2B显示了沿图2A中的线2B-2B所视的过滤器的截面图；图2C显示根据本揭露的实施例中图2A所示的磁铁；图2D显示根据本揭露实施例中图2A所示的过滤器的局部剖面图；图2E示意性地显示根据本揭露的实施例在图2A与图2B的过滤器的过滤器壳体内的流体流动；图3显示使用图2A与图2B的磁铁配置减少金属杂质的图表；图4A示意性地显示根据本揭露图2A的实施例中具有多个弧形段磁铁的过滤器的正视图；图4B是根据本揭露的实施例沿图4A中的线4B-4B所视的过滤器的剖面图；图4C显示根据本揭露部分实施例中图4A的弧形段磁铁；图4D显示根据本揭露另一些实施例中图4A的弧形段磁铁；图4E示意性地显示根据本揭露的实施例在图4A中具有磁铁附接的过滤器中的流体流动；图5A显示根据本揭露的实施例中使用图4A的磁性配置来研究金属杂质减少的实验结果的图表；图5B显示根据本揭露的实施例使用图4A中的磁性配置来研究金属杂质的减少的另一实验结果的图表；图6显示本揭露的一实施例中用于显影已曝光光阻的方法的流程图。【符号说明】100设备101壳体103基板支架110半导体晶圆115来源121第一流体喷嘴123第二流体喷嘴125第三流体喷嘴130加热器150来源180控制器190储存装置200过滤器201入口203出口204磁铁204-1磁铁204-2磁铁204-3磁铁204-4磁铁205排出口206过滤器壳体207过滤器笼209过滤膜211通道213内表面215外表面221内部容积231磁场251金属污染物质260过滤器270固定装置(绑带)300图表404磁铁415内表面417内表面502图表504图表600方法S610操作S620操作S630操作S640操作N北极S南极具体实施方式以下揭示内容提供许多不同实施例或实例，以便实现各个实施例的不同特征。下文描述部件及排列的特定实例以简化本揭示内容。当然，此等实例仅为实例且不意欲为限制性。举例而言，在随后描述中在第二特征上方或在第二特征上第一特征的形成可包括第一及第二特征形成为直接接触的实施例，以及亦可包括额外特征可形成在第一及第二特征之间，使得第一及第二特征可不直接接触的实施例。另外，本揭示案在各实例中可重复元件符号及/或字母。此重复为出于简单清楚的目的，且本身不指示所论述各实施例及/或配置之间的关系。此外，其与空间相关用词，例如“在…下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，是为了便于描述图示中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关是。除了在附图中绘示的方位外，这些空间相关用词意欲包含使用中或操作中的装置的不同方位。装置可能被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，则在此使用的空间相关词也可依此相同解释。再者，此用词“由…制成”可指“包括”或“由…组成”。在本揭露中，除非另外表示，否则用词“A、B、C其中之一”是指“A、B以及/或者C”(A；B；C；A及B；A及C；B及C；或者，A、B及C)，而非A的一个成分、B的一个成分与C的一个成分。不含杂质的流体(例如光阻，显影剂，蚀刻剂等)用于集成电路的制造。点状过滤器被设计为从集成电路制造中使用的流体中去除污染物的最后机会。点状过滤器对在当点制造步骤中立即使用的流体进行处理。集成电路的制造涉及多个步骤，其中硅晶片被重复地暴露于诸如微影，蚀刻，掺杂和金属沉积的过程中。在所有这些步骤中，必须保持和/或特别地控制硅及其表面的半导体性质。污染会改变硅的半导体性质或干扰预期的电路设计，从而降低集成电路的产量。因此，小至0.1微米的颗粒可能导致半导体元件的故障。粒子可以阻止一条线的完成，或者粒子可以跨越两条线。污染可能直接在硅表面上发生，也可能是光罩表面的污染，从而改变了要印刷的电路设计。因此，点状过滤器必须去除会引起缺陷的微粒。另外，点状过滤器不应添加污染物，例如含量低的离子和总有机碳(totalorganiccarbon，TOC)萃取物。萃取物是可能从过滤器元件释放并污染其流出液的物质。如果这种污染物沉积在硅晶片上，则它们可能引起缺陷，从而在集成电路的制造期间导致成品率损失。如此一来，工业实务上在点状过滤器处测试流出液的电阻率。只有在流出液达到流出液的纯度之后，才能将流出液用于制造集成电路。本公开的实施例涉及一种用于在过滤器周围施加磁场的装置，该过滤器用于过滤在微影、湿蚀刻、湿清洁或在半导体晶圆上执行的类似操作中使用的溶剂。一些实施例涉及通过在用于过滤在光阻剂显影制程中使用的溶剂的过滤器(例如，点状过滤器(point-of-usefilter，POUfilter))周围施加磁场来减少在光阻剂显影制程中的金属缺陷。在一些实施例中，溶剂是在显影曝光的光阻或蚀刻操作中使用的氢氧化四甲基铵(tetramethylammoniumhydroxide，TMAH)。过滤的动作使诸如铁(Fe)，铝(Al)等的金属污染物质(离子或带电粒子)最小化。溶剂中的金属污染物质可能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过滤器，其特征在于，包括：/n一过滤器壳体，包括用于过滤包括金属污染物质的溶剂的过滤膜；以及/n一磁铁，排列在该过滤器壳体周遭，并配置为产生磁场以在该金属污染物质进入该过滤膜之前吸引该金属污染物质。/n

【技术特征摘要】
20181031 US 62/753,915;20190822 US 16/548,5321.一种过滤器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：麦玄颖，李蕙君，陈俊光，冯东鸿，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71