显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示装置，包括一基板，具有相邻设置的一周边区和一显示区；一栅极驱动电路，设置于所述周边区，且所述栅极驱动电路具有一薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括一第一贯孔，形成于栅极绝缘层与第一绝缘层；一金属层，设置于所述第一绝缘层上，且容纳于所述第一贯孔；所述第一贯孔与栅极金属层分别于所述基板上形成一投影区域，两投影区域之间的最短距离为一第一间距；以及一静电防护结构，所述静电防护结构包括一第二接触孔，形成于所述第一绝缘层与所述栅极绝缘层，第二接触孔与第二导电层分别于所述基板上形成一投影区域，两投影区域之间的最短距离为一第二间距，且所述第二间距等于或小于所述第一间距。

display device

【技术实现步骤摘要】
显示装置
本专利技术关于一种显示装置；具体而言，本专利技术关于一种具有静电防护结构的显示装置。
技术介绍
随着科技的发展，显示装置被广泛应用在许多电子产品上，如手机、平板电脑、手表等。为了提高显示质量，大尺寸、高解析度、高亮度的显示装置应运而生。一般的，在显示装置的生产过程中，会产生一定数量的静电电荷，积聚在显示装置的导电层中，因此，通常会在显示装置中设置静电防护结构，用于防止静电电荷炸伤显示装置。现有显示装置的静电防护结构是在静电防护结构形成之后，即源极电极和/或漏极电极成膜之后才可以起到防护作用。而在源极电极和/或漏极电极成膜之前，静电电荷就已经积聚，需要进行泄放。如何能够更有效的在源极电极和/或漏极电极成膜之前泄放静电电荷，防止显示装置中栅极驱动电路的驱动线路被炸伤，提高成品率，实为需要解决的问题之一。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种显示装置，可以更有效的泄放显示装置生产过程中产生的静电电荷，更好地避免炸伤栅极驱动电路的驱动线路。本专利技术一实施例的显示装置，包括一基板，具有相邻设置的一周边区和一显示区，所述显示区设置有多个像素单元，所述多个像素单元沿着一第一方向排成多列，沿着一第二方向排成多行；一栅极驱动电路，设置于所述周边区，且所述栅极驱动电路分别电性连接至所述像素单元，其中所述栅极驱动电路具有一薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括一半导体层，具有一通道区、一第一重掺杂区与一第二重掺杂区，且所述第一重掺杂区与所述第二重掺杂区分别位于所述通道区的两侧；一栅极绝缘层，覆盖于所述半导体层上；一栅极金属层，设置于所述栅极绝缘层上，且所述栅极金属层与所述通道区于垂直方向上有重叠区域；一第一绝缘层，覆盖于所述栅极金属层与部分的所述栅极绝缘层；一第一贯孔，形成于所述栅极绝缘层与所述第一绝缘层；以及一金属层，设置于所述第一绝缘层上，且容纳于所述第一贯孔，使得所述金属层与所述第一重掺杂区连接；其中，所述第一贯孔与所述栅极金属层分别于所述基板上形成一投影区域，两投影区域之间的最短距离为一第一间距；以及一静电防护结构，环绕所述栅极驱动电路及所述显示区设置于所述周边区，且所述静电防护结构包括：一第一导电层，设置于所述基板，且所述栅极绝缘层覆盖于所述第一导电层；一第二导电层，设置于所述栅极绝缘层上，且所述第一绝缘层覆盖于所述第二导电层；一第三导电层，设置于所述第一绝缘层；一第一接触孔，形成于所述第一绝缘层，且所述第二导电层与所述第三导电层可通过所述第一接触孔而电性连接；一第二接触孔，形成于所述第一绝缘层与所述栅极绝缘层，且所述第一导电层与所述第三导电层可通过所述第二接触孔而电性连接；其中，所述第二接触孔与所述第二导电层分别于所述基板上形成一投影区域，两投影区域之间的最短距离为一第二间距，且所述第二间距等于或小于所述第一间距。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。附图说明图1为本专利技术一实施例显示装置的结构示意图。图2为图1栅极驱动电路中薄膜晶体管的结构示意图。图3为图1虚线框内静电防护结构的结构示意图。图4为图3沿A-A’剖面的结构示意图。图5为图3沿B-B’剖面的结构示意图。图6为图3沿C-C’剖面的结构示意图。其中，附图标记：100：显示装置101：基板102：栅极驱动电路103：半导体层104：栅极绝缘层105：栅极金属层106：第一绝缘层107：第一贯孔108：金属层109：静电防护结构110：第一导电层111：第二导电层112：第三导电层113：开口BA：周边区AA：显示区X：第一方向Y：第二方向TFT：薄膜晶体管CH：通道区N+：重掺杂区D1：第一间距D2：第二间距D3：第一距离D4：第二距离VIA1：第一接触孔VIA2：第二接触孔W1、W2、W3、W4：宽度①、②、③、④、⑤：泄放路径具体实施方式下面结合附图对本专利技术的结构原理和工作原理作具体的描述：图1为本专利技术一实施例显示装置的结构示意图。如图1所示，显示装置100包括基板101，于基板101上具有相邻设置的周边区BA和显示区AA，显示区AA中设置有多个像素单元(图中未示出)，多个像素单元沿着第一方向X排成多列，沿着第二方向Y排成多行。栅极驱动电路102，设置于显示装置100的周边区BA中，且栅极驱动电路102分别电性连接至显示区AA中的像素单元，用于驱动像素单元。本实施例中，以单侧驱动为例，栅极驱动电路102设置于显示区AA的一侧，当然，栅极驱动电路102也可设置于显示区AA相对的两侧，实现双侧驱动，本专利技术并不以此为限。显示装置中100中还设置有静电防护结构109，静电防护结构109设置于周边区BA，且环绕设置于显示区AA以及栅极驱动电路102的外侧。本实施例中，以静电防护结构109设置于显示区AA两侧为例，当然，静电防护结构109也可设置于显示区AA的三边，形成“Π”型结构，或设置于显示区AA的四边，形成“口”字形结构，本专利技术并不以此为限。图2为图1栅极驱动电路中薄膜晶体管的结构示意图。具体的，如图1、图2所示，栅极驱动电路102中具有薄膜晶体管TFT，薄膜晶体管TFT设置于基板101上，包括半导体层103，半导体层103形成有通道区CH、第一重掺杂区N+以及第二重掺杂区N+，且第一重掺杂区N+与第二重掺杂区N+分别位于通道区CH的两侧。具体的，还可在第一重掺杂区N+与通道区CH之间以及第二重掺杂区N+与通道区CH之间形成轻掺杂区，本专利技术并不以此为限。薄膜晶体管TFT中还包括栅极绝缘层104，栅极绝缘层104覆盖于半导体层103上，栅极金属层105，设置于栅极绝缘层104上，且栅极金属层105与通道区CH于垂直方向上有重叠区域，即栅极金属层105与通道区CH的位置相对应，第一绝缘层106，覆盖于栅极金属层105以及部分的栅极绝缘层104，在栅极绝缘层104以及第一绝缘层106中形成第一贯孔107，在第一绝缘层106上形成金属层108，且金属层108具有容纳于第一贯孔107的部分，使得金属层108与第一重掺杂区N+或第二重掺杂区N+实现电性连接。如图2所示，其中，第一贯孔107与栅极金属层105分别于基板101上形成一投影区域，两投影区域之间的最短距离为第一间距D1。当然，薄膜晶体管TFT还包括其他膜层，为简化说明，本实施例不再赘述。图3为图1虚线框内静电防护结构的结构示意图。具体的，如图1、图3所示，静电防护结构109设置于基板101的周边区BA中，包括设置于基板101上的第一导电层110、栅极绝缘层104、第二导电层111、第一绝缘层106与第三导电层112。具体而言，栅极绝缘层104覆盖第一导电层110，第二导电层111设置于栅极绝缘层104上，且第一绝缘层106覆盖于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，其特征在于，包括：/n一基板，具有相邻设置的一周边区和一显示区，所述显示区设置有多个像素单元，所述多个像素单元沿着一第一方向排成多列，沿着一第二方向排成多行；/n一栅极驱动电路，设置于所述周边区，且所述栅极驱动电路分别电性连接至所述像素单元，其中所述栅极驱动电路具有一薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：/n一半导体层，具有一通道区、一第一重掺杂区与一第二重掺杂区，且所述第一重掺杂区与所述第二重掺杂区分别位于所述通道区的两侧；/n一栅极绝缘层，覆盖于所述半导体层上；/n一栅极金属层，设置于所述栅极绝缘层上，且所述栅极金属层与所述通道区于垂直方向上有重叠区域；/n一第一绝缘层，覆盖于所述栅极金属层与部分的所述栅极绝缘层；/n一第一贯孔，形成于所述栅极绝缘层与所述第一绝缘层；以及/n一金属层，设置于所述第一绝缘层上，且容纳于所述第一贯孔，使得所述金属层与所述第一重掺杂区连接；/n其中，所述第一贯孔与所述栅极金属层分别于所述基板上形成一投影区域，两投影区域之间的最短距离为一第一间距；以及/n一静电防护结构，环绕所述栅极驱动电路及所述显示区设置于所述周边区，且所述静电防护结构包括：/n一第一导电层，设置于所述基板，且所述栅极绝缘层覆盖于所述第一导电层；/n一第二导电层，设置于所述栅极绝缘层上，且所述第一绝缘层覆盖于所述第二导电层；/n一第三导电层，设置于所述第一绝缘层；/n一第一接触孔，形成于所述第一绝缘层，且所述第二导电层与所述第三导电层可通过所述第一接触孔而电性连接；/n一第二接触孔，形成于所述第一绝缘层与所述栅极绝缘层，且所述第一导电层与所述第三导电层可通过所述第二接触孔而电性连接；/n其中，所述第二接触孔与所述第二导电层分别于所述基板上形成一投影区域，两投影区域之间的最短距离为一第二间距，且所述第二间距等于或小于所述第一间距。/n...

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
一基板，具有相邻设置的一周边区和一显示区，所述显示区设置有多个像素单元，所述多个像素单元沿着一第一方向排成多列，沿着一第二方向排成多行；
一栅极驱动电路，设置于所述周边区，且所述栅极驱动电路分别电性连接至所述像素单元，其中所述栅极驱动电路具有一薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
一半导体层，具有一通道区、一第一重掺杂区与一第二重掺杂区，且所述第一重掺杂区与所述第二重掺杂区分别位于所述通道区的两侧；
一栅极绝缘层，覆盖于所述半导体层上；
一栅极金属层，设置于所述栅极绝缘层上，且所述栅极金属层与所述通道区于垂直方向上有重叠区域；
一第一绝缘层，覆盖于所述栅极金属层与部分的所述栅极绝缘层；
一第一贯孔，形成于所述栅极绝缘层与所述第一绝缘层；以及
一金属层，设置于所述第一绝缘层上，且容纳于所述第一贯孔，使得所述金属层与所述第一重掺杂区连接；
其中，所述第一贯孔与所述栅极金属层分别于所述基板上形成一投影区域，两投影区域之间的最短距离为一第一间距；以及
一静电防护结构，环绕所述栅极驱动电路及所述显示区设置于所述周边区，且所述静电防护结构包括：
一第一导电层，设置于所述基板，且所述栅极绝缘层覆盖于所述第一导电层；
一第二导电层，设置于所述栅极绝缘层上，且所述第一绝缘层覆盖于所述第二导电层；
一第三导电层，设置于所述第一绝缘层；
一第一接触孔，形成于所述第一绝缘层，且所述第二导电层与所述第三导电层可通过所述第一接触孔而电性连接；
一第二接触孔，形成于所述第一绝缘层与所述栅极绝缘层，且所述第一导电层与所述第三导电层可通过所述第二接触孔而电性连接；
其中，所述第二接触孔与所述第二导电层分别于所述基板上形成一投影区域，两投影区域之间的最短距离为一第二间距，且所述第二间距等于或小于所述第一间距。


2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一导电层、所述第二导电层以及第三导电层重叠设置，且所述第二导电层的宽度小于等于所述第一导电层的宽度。


3.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖一鸿，吕绍和，
申请(专利权)人：友达光电昆山有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32