边缘缺陷检查方法技术

本发明专利技术提供一种边缘缺陷检查方法，包括以下步骤：获取一目标元件的外观以取得一外观图像；依据外观图像决定出多个参考点；依据参考点形成一识别图案；以及依据识别图案及外观图像产生一检查结果。

Edge defect inspection method

【技术实现步骤摘要】
边缘缺陷检查方法
本专利技术涉及一种检查方法，且尤其涉及一种边缘缺陷检查方法。
技术介绍
在半导体产业中，晶片(wafer)在制作完集成电路之后，需通过芯片封装制造来避免集成电路受到外界污染，并使得芯片与电子系统间形成电性连接的路径。现行普遍应用的芯片封装方式有两种：一是先将加工完成的晶片切割成多个晶粒后，再进行后续的封装制造；另一则是晶片级封装，即直接于整个晶片上进行封装制造，制作完成后再切割晶片以形成多个独立的芯片封装体。然而，无论是单分后的晶粒或晶片级芯片封装体，经切割后皆可能在晶粒/芯片边缘产生崩缺(chipping)或裂缝(crack)等边缘缺陷。因此，需通过芯片边缘缺陷检查过程，挑选出不良的晶粒或晶片级芯片封装体，以确保产品质量与生产良率。目前的芯片边缘缺陷检查方法以图像检测技术最为常见。图像检测技术是利用晶粒的边缘结构所造成图像中的灰阶值差异以搜寻晶粒边缘。当晶粒边缘确定后，通过晶粒崩缺参数规格设定(例如崩缺深度30μm)加以定义晶粒边缘检查范围。一般而言，晶粒在邻近其边缘处会设置一保护结构，例如是密封环(sealring)，保护结构通常是环绕晶粒边缘，以保护晶粒内部的线路结构，而晶粒崩缺参数规格会参考晶粒上的保护结构所在位置作设定，使得可能损及保护结构的崩缺或裂缝确实被检出。更具体而言，目前的检查方式是以图像获取装置检查是否有崩缺或裂缝自晶粒边缘向内延伸的深度超出晶粒崩缺参数规格，若检查到，则判定产品不良。然而，由于图像灰阶值差异取决于光源的调整、光源衰弱周期及产品表面反射程度，这些不确定因素容易造成晶粒边缘的搜寻失真。在晶粒边缘已失真的情况下，由晶粒边缘以固定的晶粒崩缺参数规格进行判定时，可能发生实际上已损及保护结构的崩缺或裂缝未被检出的情况。除此之外，当晶片切割发生偏移时，晶粒的四个边至保护结构的距离将产生差异，以上述方式进行检查，即可能发生在某个或某些边上实际已损及保护结构的崩缺或裂缝未被检出的状况。有鉴于此，开发新模式的边缘缺陷检查方法为本领域技术人员共同致力于研究的。
技术实现思路
本专利技术提供一种边缘缺陷检查方法，可提高缺陷检查的准确率。本专利技术提供了一种边缘缺陷检查方法，包括以下步骤：获取目标元件的外观以取得外观图像；依据外观图像决定出多个参考点；依据参考点形成识别图案；以及依据识别图案及外观图像产生检查结果。在本专利技术的一实施例中，上述的目标元件包括多个子元件，且依据外观图像决定出多个参考点的方法还包括：依据外观图像选择出目标元件的子元件的其中一部分；以及依据所选择的子元件标记参考点。在本专利技术的一实施例中，上述的各参考点为对应的各子元件的中心。在本专利技术的一实施例中，上述的子元件为焊球、接垫、线路或上述任意至少两者的组合。在本专利技术的一实施例中，上述依据参考点形成识别图案的方法还包括：依据参考点取得识别图案数据；以及依据识别图案数据在外观图像上形成识别图案。在本专利技术的一实施例中，上述的依据参考点取得识别图案数据的方法还包括：依据参考点形成参考图案；以及依据参考图案取得识别图案数据。在本专利技术的一实施例中，上述依据识别图案及外观图像产生检查结果的方法还包括：比对外观图像的边界与识别图案；依据外观图像的边界与识别图案间的距离产生检查结果。在本专利技术的一实施例中，上述的缺陷检查方法还包括：依据检查结果保留或抛除目标元件。在本专利技术的一实施例中，上述的参考点的数量为至少三个。在本专利技术的一实施例中，上述的目标元件包括由晶片切割出的至少一晶粒及至少一晶片级芯片封装体。基于上述，本专利技术的边缘缺陷检查方法，先通过拍摄目标元件形成外观图像，再通过外观图像取得参考点并进一步形成用以与外观图像比对的识别图案，进而将外观图像与识别图案比对而产生检查结果。因此，在传统的边缘检查方式中，以待测元件的边缘图像为检查依据，易因待测元件所显示的图像质量不佳或灰阶值差异过低造成待测元件的边缘搜寻失真而导致检查结果错误的问题可有效被解决。此外，因切割偏移而导致待测元件边缘至保护结构的距离不一致时，还可避免传统方式中采用待测元件的边缘图像配合固定的缺陷参数进行检查可能导致部分区域的边缘缺陷未被检出的情况发生。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术一实施例的边缘缺陷检查方法的步骤流程图。图2为本专利技术一实施例中切割出目标元件的示意图。图3为本专利技术一实施例中获取目标元件的外观的示意图。图4A至图4D为本专利技术一实施例中目标元件边缘缺陷检查方法的俯视图。图5为本专利技术一实施例中比对外观图像边界与识别图案的放大俯视图。【符号说明】70：图像获取装置80：切割设备90：晶片100：目标元件110：子元件120：保护结构I1：参考图案I2：识别图案IM：外观图像P：参考点A：检查范围B：区域S200、S210、S220、S230：步骤具体实施方式图1为本专利技术一实施例的边缘缺陷检查方法的步骤流程图。图2为本专利技术一实施例中切割出目标元件的示意图。请参考图1及图2。本实施例提供一种边缘缺陷检查方法，且此边缘缺陷检查方法适于对一目标元件100进行检查，例如是由晶片切割单分出的晶粒或晶片级芯片封装体。在本实施例中，目标元件100为经切割设备80由一晶片90切割出的晶片级芯片封装体，如图2所示出，但本专利技术并不限于此。图3为本专利技术一实施例中获取目标元件的外观的示意图。图4A至图4D为本专利技术一实施例中目标元件的边缘缺陷检查方法的俯视图。请先同时参考图1、图3及图4A。在本实施例中，图1的步骤流程至少可应用于图2及图3所示出的目标元件100。因此，下述将以图2及图3的实施例为例说明，但本专利技术并不限于此。在本实施例中，首先，执行步骤S200，获取目标元件100的外观以取得外观图像IM。目标元件100包括多个子元件110及邻近目标元件100的边缘且围绕多个子元件110的保护结构120，保护结构120例如是密封环，且在对目标元件100进行检查的过程中，首先使用图像获取装置70对目标元件100进行拍摄。详细而言，图像获取装置70对目标元件100中的主动面进行拍摄，进而可得到含有多个子元件110或其他细部结构图像的一外观图像IM。请同时参考图1及图4B。在完成上述步骤S200之后，执行步骤S210，依据外观图像IM决定出多个参考点P。详细而言，首先依据外观图像IM选择出目标元件100的子元件110的其中一部分，例如是晶片级芯片封装体上的焊球，如图4B所示。但在一些实施例中，这些子元件110可包含焊球、接垫、线路或上述任意至少两者的组合，本专利技术并不限于此。选择出子元件110的方式可以背景软件运算或人工选择的方式进行，本专利技术也不限于此。在选择出子元件110之后，则依据所选择的子元件110标记参考点P。在本实施例中，各本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种边缘缺陷检查方法，包括：/n获取目标元件的外观以取得外观图像；/n依据所述外观图像决定出多个参考点；/n依据所述多个参考点形成识别图案；以及/n依据所述识别图案及所述外观图像产生检查结果。/n

【技术特征摘要】
20181025 TW 1071377941.一种边缘缺陷检查方法，包括：
获取目标元件的外观以取得外观图像；
依据所述外观图像决定出多个参考点；
依据所述多个参考点形成识别图案；以及
依据所述识别图案及所述外观图像产生检查结果。


2.根据权利要求1所述的边缘缺陷检查方法，其中所述目标元件包括多个子元件，且依据所述外观图像决定出多个参考点的方法还包括：
依据所述外观图像选择出所述目标元件的所述多个子元件的其中一部分；以及
依据所选择的所述多个子元件标记所述多个参考点。


3.根据权利要求2所述的边缘缺陷检查方法，其中各所述参考点为对应的各所述子元件的中心。


4.根据权利要求2所述的边缘缺陷检查方法，其中所述多个子元件为焊球、接垫、线路或上述任意至少两者的组合。


5.根据权利要求1所述的边缘缺陷检查方法，其中依据所述多个参考点形成识别图案的方法还包括：<...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨丰瑞，张哲恺，李忠儒，林振斌，林尚德，刘宗祐，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71