极紫外线微影方法技术

本揭露是关于一种极紫外线微影方法。一种用于监控极紫外线光源中的冲击波的方法包括在极紫外线微影工具的极紫外线光源设备中用离子化辐射照射液滴，以产生电浆及侦测由电浆产生的冲击波。基于所侦测到的冲击波来调节极紫外线光源的一或多个操作参数。

Ultra violet micro shadow method

【技术实现步骤摘要】
极紫外线微影方法
本揭露是关于极紫外线微影(EUVL)方法。更特定而言，其是关于用于监控从液滴产生器行进到激发区域的金属液滴(例如，锡液滴)的方法。
技术介绍
在半导体制造中用于微影的辐射波长已从紫外线减小到深紫外线(DUV)，并且最近减小到极紫外线(EUV)。部件大小的进一步减小需要微影解析度的进一步改进，此改进可使用极紫外线微影(EUVL)实现。EUVL采用具有约1-100nm的波长的辐射。一种用于产生EUV辐射的方法是激光产生电浆(LPP)。在基于LPP的EUV源中，高功率激光光束聚焦到小的金属(诸如锡)的液滴靶上以形成发射EUV辐射(在13.5nm处具有峰值最大发射)的高度离子化的电浆。由LPP产生的EUV辐射的强度取决于高功率激光可以由液滴靶产生电浆的有效性。期望使高功率激光的脉冲与液滴靶的产生及移动精确同步以改进基于LPP的EUV辐射源的效率。激光产生电浆可在基于LPP的EUV源中产生冲击波，并且由冲击波携带的动量可转移到下一液滴并且致使液滴位置偏差，使得下一激光脉冲可能无法有效地撞击下一液滴或可能甚至错过下一液滴。用于判断何时产生冲击波及冲击波的范围的监控系统以及用于最小化冲击波的影响的控制方法是期望的。
技术实现思路
根据本揭露的一些实施例，一种极紫外线微影方法包括在EUV微影工具的极紫外线(EUV)光源设备中用离子化辐射照射液滴以产生EUV辐射及电浆。方法亦包括侦测由电浆产生的冲击波，并且基于所侦测的冲击波来调节EUV光源设备的一或多个操作参数。附图说明<br>当结合随附附图阅读时，自以下详细描述将很好地理解本揭露。应注意，根据工业中的标准实务，各个特征并非按比例绘制，并且仅出于说明目的而使用。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小各个特征的尺寸。图1显示根据本揭露的一些实施例的具有激光产生电浆(LPP)EUV辐射源的EUV微影系统的示意图；图2显示根据本揭露的一些实施例的EUV微影曝光工具的示意图；图3显示根据本揭露的一些实施例的反射遮罩的横截面图；图4A及图4B显示根据本揭露的一些实施例的在操作情况下的EUV辐射源的横截面图；图5A及图5B显示根据本揭露的一些实施例的经由在激光光束与金属液滴之间的激光-金属相互作用的电浆及冲击波形成制程的示意图；图6显示根据本揭露的一些实施例的EUV辐射源的收集器反射镜及有关部分的示意图；图7A显示根据本揭露的一些实施例的用于照明及成像EUV辐射源中的锡液滴及冲击波的装置；图7B显示根据本揭露的一些实施例的用于照明及成像EUV辐射源中的锡液滴的装置；图8A显示根据本揭露的一些实施例的用于照明及成像EUV辐射源中的冲击波的装置；图8B是根据本揭露的一实施例的在图8A的设备中使用的狭缝控制器机构的详细视图；图9A显示根据本揭露的一些实施例的用于照明及成像EUV辐射源中的冲击波的光学系统；图9B显示根据本揭露的一些实施例的用于成像EUV辐射源中的冲击波的光学系统的孔；图10显示根据本揭露的一些实施例的用于量测冲击波的强度及方向、量测液滴的速度及方向、及控制EUV辐射源的系统；图11显示根据本揭露的一些实施例的用于侦测EUV辐射源中的冲击波的示例性制程的流程图；图12A及图12B显示根据本揭露的一些实施例的用于控制及监控EUV微影系统的设备。【符号说明】22方向23电浆羽24EUV光线25碎屑液滴26碎屑27饼形锡28冲击波29箭头30基板35反射多层(ML)37硅层39钼层40覆盖层45吸收层50孔55图案60导电背侧涂层85液滴捕集器100EUV辐射源105腔室110收集器反射镜115液滴产生器117喷嘴130第一缓冲气体供应器132气流135第二缓冲气体供应器140出气口142开口146壁148开口150碎屑收集机构152环形区域158泄水孔200曝光装置205a光学器件205b光学器件205c反射光罩205d缩小投影光学器件205e缩小投影光学器件210靶半导体基板300激发激光源310激光产生器320激光导引光学器件330聚焦设备700平面图710液滴照明模块710A液滴照明模块710B装置710C装置710D冲击波照明模块712方向720液滴侦测模块720A液滴侦测模块720B装置720C装置720D冲击波侦测模块722光730同步器732压缩控制器装置740光束750控制器790装置800处理器805照明系统810冲击波照明模块820冲击波侦测模块850控制器853倾斜控制机构(自动倾斜)854不透明阻障层854a狭缝854b狭缝854c狭缝855辐射源857狭缝控制器机构(自动狭缝)902光源904透镜910冲击波照明模块912第一透镜914孔916第二透镜918侦测器920冲击波侦测模块924点926光线928光线932阻障层934阻障层1000系统1020分析仪1040控制器1050信号1100流程图S1110操作S1120操作S1130操作1200设备1201计算机1202键盘1203鼠标1204监控器1205光盘驱动1206磁盘驱动1211MPU1212ROM1213随机存取记忆体(RAM)1214硬盘1215总线1221光盘1222磁盘BF基板DP液滴(靶液滴)DP1阻尼器DP2阻尼器LL光束LR0激光光束LR1激光光束LR2激光光束MF主板PP1基座板PP2基座板TT光束ZE激发区域具体实施方式以下揭示内容提供许多不同实施例或实例，以便实施所提供标的之不同特征。下文描述部件及布置的具体实例以简化本揭露。当然，这些仅为实例且并不意欲为限制性。例如，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括以直接接触形成第一特征及第二特征的实施例，且亦可包括在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征及第二特征可不处于直本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种极紫外线微影方法，其特征在于，包含：/n在一极紫外线(EUV)微影工具的一EUV光源设备中用离子化辐射照射一液滴以产生EUV辐射及一电浆；/n侦测由该电浆产生的一冲击波；以及/n基于所侦测的该冲击波来调节该EUV光源设备的一或多个操作参数。/n

【技术特征摘要】
20181029 US 62/752,289;20191016 US 16/655,1161.一种极紫外线微影方法，其特征在于，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏彦硕，叶人豪，叶展宏，郑定亚，童宇轩，张俊霖，张汉龙，陈立锐，郑博中，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71