半导体装置制造用粘接膜及其制造方法、以及半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开的半导体装置制造用粘接膜的制造方法依次包含以下工序：(A)准备至少具有宽度为100mm以下的带状的载体膜和按照将载体膜的表面覆盖的方式形成的粘接剂层的层叠体的工序；和(B)通过对粘接剂层进行模切，获得在载体膜上按照在载体膜的长度方向上排列的方式配置的多个粘接剂片的工序，其中，在(B)工序中进行模切时，按照满足以下不等式(1)所示条件的方式，在粘接剂层及载体膜中刻入切痕，粘接剂片具有在长方形或正方形的至少一边中形成有凸部及凹部中的至少一个的形状。式中，D为切痕相对于载体膜的深度(单位μm)、T为载体膜的厚度(单位μm)。0<D/T≤0.6 (1)。

Adhesive film for semiconductor device manufacturing and its manufacturing method, semiconductor device and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置制造用粘接膜及其制造方法、以及半导体装置及其制造方法
本公开涉及半导体装置的制造工艺中使用的粘接膜及其制造方法、以及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
一直以来，半导体装置经过以下工序制造。首先，在切割用粘合片材上粘贴半导体晶片，在此状态下将半导体晶片单片化成半导体芯片。之后，实施拾取工序、安装工序、回流焊工序及芯片接合工序等。专利文献1公开了兼具在切割工序中固定半导体晶片的功能和在芯片接合工序中使半导体芯片与基板粘接的功能的粘接片材(切割-芯片接合片材)。现有专利文献专利文献专利文献1：日本特开2007-288170号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题然而，近年来随着面向以智能手机为代表的小型设备的半导体装置的发展，半导体装置的制造工艺与以往相比也有显著的变化。例如，不实施使用了专利文献1所记载的粘接片材(切割-芯片接合片材)的切割工序及芯片接合工序的工艺、或者不实施回流焊工序的工艺的实用化有所发展。与此同时，半导体装置的制造工艺中使用的粘接膜也需要新型的方式。除了该状况之外，本专利技术人们为了应对搭载半导体装置的小型设备的高功能化及薄型化等，进行了便于用于在基板的受限的特定区域上粘接与其相应形状的半导体芯片的粘接膜的开发。现有的半导体装置中，一般来说半导体芯片的形状与用于将其粘接在基板上的粘接剂片的形状是相同的，例如它们的形状为长方形或正方形。但是，例如在待粘接半导体芯片的基板的区域有所限制时、或者在不同于以往的位置上需要半导体芯片与基板的电连接时，使用比以往形状更为复杂形状的粘接剂片的需求有所增加。本公开的目的在于提供具备对于高效地实施半导体装置的制造工艺中的粘接工序有用的复杂形状的粘接剂片的粘接膜及足够稳定地制造该粘接膜的方法。另外，本公开的目的在于提供使用了复杂形状的粘接剂片的半导体装置及其制造方法。用于解决技术问题的手段本公开提供在半导体装置的制造工艺中使用的粘接膜的制造方法。该制造方法依次包含以下工序：(A)准备至少具有宽度为100mm以下的带状的载体膜和按照将所述载体膜的表面覆盖的方式形成的粘接剂层的层叠体的工序；(B)通过对粘接剂层进行模切、获得在载体膜上按照在载体膜的长度方向上排列的方式配置的多个粘接剂片的工序，其中，在(B)工序中进行模切时，按照满足以下不等式(1)所示条件的方式，对粘接剂层及载体膜刻入切痕，粘接剂片具有在长方形或正方形的至少一边形成有凸部及凹部中的至少一个的形状，0<D/T≤0.6(1)[式中，D为切痕相对于载体膜的深度(单位为μm)，T为载体膜的厚度(单位为μm)。]通过经过上述(A)工序及(B)工序，可制造具备宽度为100mm以下的带状的载体膜和在载体膜上按照在载体膜的长度方向上排列的方式配置的多个粘接剂片的粘接膜。(B)工序中，通过按照满足不等式(1)所示条件的方式刻入切痕，从而可以足够稳定地制造上述构成的粘接膜。粘接剂片如上所述，具有比长方形或正方形更为复杂的形状。粘接剂片的形状根据待粘接半导体芯片的基板的区域的形状或半导体芯片的形状来适当地设定即可。例如，粘接剂片可以具有6个以上的角，还可以具有8个以上的角。此外，作为具有6个角的粘接剂片的形状之一例，可举出L字型。通过上述制造方法制造的粘接膜还可以进一步具备覆盖多个粘接剂片的表面的保护构件。即，还可以(A)工序中准备的层叠体进一步具有按照将粘接剂层覆盖的方式配置的保护膜，在(B)工序中，按照满足上述不等式(1)所示条件的方式，对保护膜、粘接剂层及载体膜刻入切痕。(B)工序中，通过将保护膜与粘接剂层一起模切，粘接剂片成为被保护构件覆盖的状态。该保护构件将粘接剂片的与载体膜一侧的第一面相反侧的第二面覆盖，且具有与粘接剂片相同的形状。通过成为用保护构件将粘接剂片覆盖的状态，可以在使用之前防止尘埃等附着在粘接剂片上。本公开提供在半导体装置的制造工艺中使用的粘接膜。该粘接膜具备：宽度为100mm以下的带状的载体膜；在载体膜上按照在载体膜的长度方向上排列的方式配置的多个粘接剂片；以及按照沿着粘接剂片的外缘的方式形成于载体膜上的切痕，切痕的深度及载体膜的厚度满足以下不等式(1)所示的条件，粘接剂片具有在长方形或正方形的至少一边中形成有凸部及凹部中的至少一个的形状，0<D/T≤0.6(1)[式中，D为切痕相对于载体膜的深度(单位为μm)，T为载体膜的厚度(单位为μm)]。根据该粘接膜，可以将排列配置于载体膜上的多个粘接剂片依次拾取，之后将各粘接剂片配置于基板的规定区域，可以高效地实施基板与半导体芯片的粘接工序。例如，如果是将带状的粘接膜卷成卷轴的方式，则通过卷对卷方式可以更为高效地实施粘接工序。粘接剂片的形状根据待粘接半导体芯片的基板的区域的形状或半导体芯片的形状来适当地设定即可。载体膜的厚度例如为10～200μm。配置于载体膜上的粘接剂片的尺寸及个数等根据所制造的半导体装置的设计来适当地设定即可。例如，1个粘接剂片的面积可以为10～200mm2的范围。载体膜的表面的被多个粘接剂片覆盖的区域的比例以载体膜的面积为基准计可以为10～60％。还可以在载体膜上形成有1个或多个由上述多个粘接剂片构成的列。上述粘接膜还可以进一步具备将粘接剂片的与载体膜一侧的第一面相反侧的第二面覆盖、且具有与粘接剂片相同形状的保护构件。通过成为利用保护构件覆盖粘接剂片的状态，可以在使用之前防止尘埃等附着在粘接剂片上。从粘接膜的加工性的观点(在进行模切时及之后防止粘接剂片不经意地从载体膜上剥离的观点)出发，优选载体膜与粘接剂片之间的密合力为2N/m以上。专利技术效果根据本公开，可提供具备对于高效地实施半导体装置的制造工艺中的粘接工序有用的复杂形状的粘接剂片的粘接膜及足够稳定地制造该粘接膜的方法。另外，根据本公开，可提供使用了复杂形状的粘接剂片的半导体装置及其制造方法。附图说明图1为示意地表示本公开的粘接膜的一个实施方式的立体图。图2为图1所示的II-II线处的截面图。图3(a)～图3(f)为表示粘接剂片的形状的变化的俯视图。图4为表示T字型的粘接剂片和半导体芯片的配置之一例的俯视图。图5为示意地表示依次层叠有载体膜、粘接剂层及保护膜的层叠体的截面图。图6为表示通过模切在载体膜上形成多个粘接剂片的样子的立体图。图7为示意地表示将粘接剂片及覆盖其的保护构件从载体膜上拾取的样子的截面图。图8为示意地表示使用本公开的粘接剂片制造的半导体装置之一例的截面图。图9(a)为示意地表示实施例及比较例中在拾取性的评价中所用的装置的截面图，是在长尾夹的拐角部、粘接剂片自载体膜剥离的样子的截面图，图9(b)为表示粘接剂片以密合于载体膜的状态通过拐角部的样子的截面图。具体实施方式以下适当地参照附图地说明本公开的实施方式。此外，本专利技术并不限定于以下的实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种粘接膜的制造方法，其为半导体装置制造用粘接膜的制造方法，其依次包含以下工序：/n(A)准备至少具有宽度为100mm以下的带状的载体膜和按照将所述载体膜的表面覆盖的方式形成的粘接剂层的层叠体的工序；和/n(B)通过对所述粘接剂层进行模切、获得在所述载体膜上按照在所述载体膜的长度方向上排列的方式配置的多个粘接剂片的工序，/n其中，在(B)工序中进行所述模切时，按照满足以下不等式(1)所示的条件的方式，对所述粘接剂层及所述载体膜刻入切痕，/n所述粘接剂片具有在长方形或正方形的至少一边形成有凸部及凹部中的至少一个的形状，/n0＜D/T≤0.6 (1)/n式中，D为切痕相对于所述载体膜的深度，单位为μm；T为所述载体膜的厚度，单位为μm。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170919 JP PCT/JP2017/0337461.一种粘接膜的制造方法，其为半导体装置制造用粘接膜的制造方法，其依次包含以下工序：
(A)准备至少具有宽度为100mm以下的带状的载体膜和按照将所述载体膜的表面覆盖的方式形成的粘接剂层的层叠体的工序；和
(B)通过对所述粘接剂层进行模切、获得在所述载体膜上按照在所述载体膜的长度方向上排列的方式配置的多个粘接剂片的工序，
其中，在(B)工序中进行所述模切时，按照满足以下不等式(1)所示的条件的方式，对所述粘接剂层及所述载体膜刻入切痕，
所述粘接剂片具有在长方形或正方形的至少一边形成有凸部及凹部中的至少一个的形状，
0＜D/T≤0.6(1)
式中，D为切痕相对于所述载体膜的深度，单位为μm；T为所述载体膜的厚度，单位为μm。


2.根据权利要求1所述的粘接膜的制造方法，其中，所述粘接剂片具有6个以上的角。


3.根据权利要求2所述的粘接膜的制造方法，其中，所述粘接剂片的形状为L字型。


4.根据权利要求1所述的粘接膜的制造方法，其中，所述粘接剂片具有8个以上的角。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的粘接膜的制造方法，其中，
所述层叠体进一步具有按照将所述粘接剂层覆盖的方式配置的保护膜，
按照满足所述不等式(1)所示的条件的方式，对所述保护膜、所述粘接剂层及所述载体膜刻入切痕。


6.一种粘接膜，其为半导体装置制造用粘接膜，其具备：
宽度为100mm以下的带状的载体膜；
在所述载体膜上按照在所述载体膜的长度方向上排列的方式配置的多个粘接剂片；以及
按照沿着所述粘接剂片的外缘的方式形成于所述载体膜上的切痕，
其中，所述切痕的深度及所述载体膜的厚度满足以下不等式(1)所示的条件，
所述粘接剂片具有在长方形或正方形的至少一边形成有凸部及凹部中的至少一个的形状，
0＜D/T≤0.6(1)
式中，D为切痕相对于所述载体膜的深度，单位为μm；T为所述载体膜的厚度，单位为μm。

【专利技术属性】
技术研发人员：大久保惠介，夏川昌典，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP