半导体发光器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体发光器件，包括基板、设置在所述基板上的半导体发光芯片组件、设置在所述基板上并包裹在所述半导体发光芯片组件侧面的第一围坝、覆盖在所述半导体发光芯片组件的出光面上的透光层、以及设置在所述透光层和/或第一围坝上的第二围坝；所述半导体发光芯片组件包括至少一个半导体发光芯片；所述半导体发光芯片设有第一焊盘和第二焊盘，所述基板上设有第一焊垫和第二焊垫；所述第一焊盘通过金属导线与所述第一焊垫导电连接，所述第二焊盘与所述第二焊垫导电连接；所述第二围坝远离所述基板的顶部高于所述金属导线。本实用新型专利技术的半导体发光器件，可实现小型化、高光效及高可靠性。

Semiconductor light emitting device

【技术实现步骤摘要】
半导体发光器件
本技术涉及半导体发光
，尤其涉及一种半导体发光器件。
技术介绍
随着发光效率的提升和制造成本的下降，半导体发光光源已被广泛应用于背光、显示和照明等领域。半导体发光光源包括有LED、COB、模组、灯板、灯条等多种类型。在不久的将来，半导体发光光源有可能替代传统光源成为普通照明的主要光源。常见的称为SMD的半导体发光光源(半导体发光器件)结构如图1所示，其包括杯形支架11、设置在杯形支架11上的半导体发光芯片12、包裹在半导体发光芯片12出光侧的封装层13、芯片正极14a和芯片负极14b、正极焊盘15a和负极焊盘15b、金属连线16a和16b，以及与外界导电连接用的正极焊垫17a和负极焊垫17b。由图1所示现有的半导体发光光源结构可知，杯形支架11是预先定制的，具有一定的高度、宽度和长度，无法满足光源小型化的需求。预先定制的尺寸也局限了不同尺寸光源的设计与制造。为了方便放置半导体发光芯片12到杯形支架11中，半导体发光芯片12与杯形支架11的内侧壁必须留出足够的空隙，进一步局限了半导体发光光源的小型化能力，也局限了杯形支架11表面能放置半导体发光芯片12的数量与大小，影响到光源光效与光密度的进一步提升。另一种常见的称为COB的半导体发光光源结构如图2所示，其包括基板21、设置在基板21上的半导体发光芯片22、设置在半导体发光芯片22外侧四周的围坝28、填充在围坝28内包裹并半导体芯片22出光侧的封装层23、芯片正极24a和芯片负极24b、正极焊盘25a和负极焊盘25b、金属连线26以及与外界导电连接用的正极焊垫27a和负极焊垫27b。半导体发光芯片22的其中一极回流或共晶焊接在焊盘上。由图2所示现有的半导体发光光源结构可知，为了防止制备围坝28的围坝胶污染半导体发光芯片22，围坝28一般远离半导体发光芯片22的侧面。为确保引线品质，金属连线26必须有一定的弧度，为了确保金属连线6不外露，填空在围坝28内的封装层23需要一定的厚度。半导体发光芯片22与围坝28之间的空隙局限了半导体发光光源的小型化能力，也局限了围坝28内能放置半导体发光芯片22的数量与大小，影响到光源光效与光密度的进一步提升。由于封装层23有一定的厚度，不能做到很薄，严重影响封装层23内荧光材料本身所产生热量的传导，继而会导致封装层23的表面温度高，影响光效，加快衰减。另一种常见的称为CSP的半导体发光光源结构如图3所示，其包括基板31、设置在基板上的半导体发光芯片32和紧密包裹在半导体发光芯片32外侧四周的绝缘层38、包裹半导体芯片32出光侧的封装层33、芯片正极34a和芯片负极34b、正极焊盘35a和负极焊盘35b、金属连线36以及与外界导电连接用的正极焊垫37a和负极焊垫37b。半导体发光芯片32的其中一极回流或共晶焊接在焊盘上。为了防止制备绝缘层38的绝缘胶污染半导体发光芯片32，绝缘层38的高度一般与半导体发光芯片32上表面齐平或略低于半导体发光芯片32上表面。为了改善封装层33内荧光材料本身所产生热量的传导能力，封装层33厚度也会做到很薄，导致金属连线36往往外露在封装层33和绝缘层38的上表面，任何猛碰挤压光源上表面都有可能导致金属连线36短路或断路，导致光源失效。因此，由于上述半导体发光光源结构存在本质的缺陷和不足，无法解决实现半导体发光器件小尺寸、高光效、高可靠所面临的问题。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于，提供一种实现小型化且可靠性高的半导体发光器件。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种半导体发光器件，包括基板、设置在所述基板上的半导体发光芯片组件、设置在所述基板上并包裹在所述半导体发光芯片组件侧面的第一围坝、覆盖在所述半导体发光芯片组件的出光面上的透光层、以及设置在所述透光层和/或第一围坝上的第二围坝；所述半导体发光芯片组件包括至少一个半导体发光芯片；所述半导体发光芯片设有第一焊盘和第二焊盘，所述基板上设有第一焊垫和第二焊垫；所述第一焊盘通过金属导线与所述第一焊垫导电连接，所述第二焊盘与所述第二焊垫导电连接；所述第二围坝远离所述基板的顶部高于所述金属导线。优选地，所述第一围坝包裹部分或全部所述半导体发光芯片组件的侧面；所述透光层还覆盖未被所述第一围坝包裹的所述半导体发光芯片组件的侧面。优选地，所述透光层还覆盖所述第一围坝远离所述基板的表面；或者，所述透光层还覆盖所述第一围坝远离所述基板的表面、以及所述基板的部分或全部裸露的表面。优选地，所述透光层或所述第一围坝还填充相邻的两个所述半导体发光芯片之间的空隙。优选地，所述透光层为硅胶层、树脂层、玻璃釉层、玻璃薄片、陶瓷薄片中的一种或多种组合。优选地，所述第一焊盘设置在所述半导体发光芯片远离所述基板的出光表面上，所述第二焊盘设置在所述半导体发光芯片朝向所述基板的底面；所述第二焊垫通过所述导电连接层与所述第二焊盘导电连接。优选地，所述基板上设有外接第一焊盘和外接第二焊盘；所述第一焊垫与所述外接第一焊盘导电连接，所述第二焊垫与所述外接第二焊盘导电连接。优选地，所述基板包括相对的第一表面和第二表面，所述半导体发光芯片组件、第一围坝、第一焊垫和第二焊垫均设置在所述第一表面上；所述外接第一焊盘和外接第二焊盘设置在所述第二表面上。优选地，所述基板还设有导电电路；所述导电电路贯穿所述基板，分别将所述第一焊垫与外接第一焊垫、所述第二焊垫与外接第二焊垫导电连接。优选地，所述半导体发光器件还包括平坦化层；所述平坦化层设置在所述第二围坝的外侧。优选地，所述平坦化层覆盖在所述第一围坝、透光层和/或所述基板裸露的表面上。优选地，所述基板上还设有至少一导热焊盘。本技术的半导体发光器件，具有双层围坝，其中第一围坝包裹在半导体发光芯片组件的侧面，与半导体发光芯片组件之间不留空隙，减小对半导体发光芯片数量及大小的局限，提升半导体发光器件的光效和光密度；第二围坝位于第一围坝的上方，顶部高于金属导线的设置对金属导线起到保护作用，避免金属导线受挤压、碰撞等造成短路或断路，提高半导体发光器件的可靠性。附图说明下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明，附图中：图1-图3分别是现有技术的三种半导体发光器件的剖面结构示意图；图4是本技术一实施例的半导体发光器件的剖面结构示意图；图5是本技术另一实施例的半导体发光器件的剖面结构示意图。具体实施方式为了对本技术的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本技术的具体实施方式。如图4所示，本技术一实施例的半导体发光器件，包括基板41、设置在基板41上的半导体发光芯片组件、设置在基板41上并包裹在半导体发光芯片组件侧面的第一围坝43、覆盖在半导体发光芯片组件的出光面上的透光层44、以及设置在透光层44和/或第一围坝43上的第二围坝45。其中，基板4本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体发光器件，其特征在于，包括基板、设置在所述基板上的半导体发光芯片组件、设置在所述基板上并包裹在所述半导体发光芯片组件侧面的第一围坝、覆盖在所述半导体发光芯片组件的出光面上的透光层、以及设置在所述透光层和/或第一围坝上的第二围坝；/n所述半导体发光芯片组件包括至少一个半导体发光芯片；所述半导体发光芯片设有第一焊盘和第二焊盘，所述基板上设有第一焊垫和第二焊垫；所述第一焊盘通过金属导线与所述第一焊垫导电连接，所述第二焊盘与所述第二焊垫导电连接；所述第二围坝远离所述基板的顶部高于所述金属导线。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体发光器件，其特征在于，包括基板、设置在所述基板上的半导体发光芯片组件、设置在所述基板上并包裹在所述半导体发光芯片组件侧面的第一围坝、覆盖在所述半导体发光芯片组件的出光面上的透光层、以及设置在所述透光层和/或第一围坝上的第二围坝；
所述半导体发光芯片组件包括至少一个半导体发光芯片；所述半导体发光芯片设有第一焊盘和第二焊盘，所述基板上设有第一焊垫和第二焊垫；所述第一焊盘通过金属导线与所述第一焊垫导电连接，所述第二焊盘与所述第二焊垫导电连接；所述第二围坝远离所述基板的顶部高于所述金属导线。


2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述第一围坝包裹部分或全部所述半导体发光芯片组件的侧面；所述透光层还覆盖未被所述第一围坝包裹的所述半导体发光芯片组件的侧面。


3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于，所述透光层还覆盖所述第一围坝远离所述基板的表面；或者，所述透光层还覆盖所述第一围坝远离所述基板的表面、以及所述基板的部分或全部裸露的表面。


4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述透光层或所述第一围坝还填充相邻的两个所述半导体发光芯片之间的空隙。


5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述透光层为硅胶层、树脂层、玻璃釉层、玻璃薄片、陶瓷薄片中的一种或多种组合。


6.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李刚，
申请(专利权)人：深圳大道半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44