一种双卡双待转换式SIM卡电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双卡双待转换式SIM卡电路，基于iPhone eSIM功能电路预设的接口模块，还包括增设第二实体SIM卡的卡座模块，卡座模块与所述接口模块通过管脚电性连接；接口模块的时钟管脚接地以旁路eSIM芯片；iPhone内置SIM卡信号管脚与eSIM卡信号管脚并联以屏蔽iPhone内置的eSIM卡芯片，实现增设的第二实体SIM卡芯片信号检测；双卡双待转换式SIM卡电路还包括晶振源，晶振源与所述卡座模块电性连接以提供4.78MHz的时钟信号。本实用新型专利技术提供的转换电路，以柔性电路板的方式，仅需焊接若干必要的连接点即可实现双实体SIM卡双信号待机的功能，同时在保证iphone主板功能稳定性的基础上，做到eSIM芯片和增设的第二实体SIM卡芯片的角色切换，对iphone的eSIM功能实现了很好的保留与改进。

A circuit of Dual SIM card and dual sim card to be converted

【技术实现步骤摘要】
一种双卡双待转换式SIM卡电路
本技术涉及iPhoneSIM卡连接电路，具体地，涉及一种双卡双待转换式SIM卡电路。
技术介绍
在2018年9月，iPhoneXS、iPhoneXSMax和iPhoneXR三款机型发布，这三款机型采用了eSIM技术(嵌入式SIM卡)，即仅支持插入一张实体SIM卡，但iPhone本身具备两套信号收发器，一套提供给实体SIM卡，另一套提供给eSIM使用。在已经开通了eSIM服务的国家和地区，电信运营商将码号通过eSIM分发服务器写入eSIM芯片后，这三款iPhone可以实现双卡双待功能。iPhoneXS/XSMax/XR等内置了eSIM芯片的机型，必须是在开通了eSIM服务的国家或地区才能实现其双卡双待的功能，但是目前全球开启这个服务的国家或地区不多，导致iPhone内的eSIM服务无法启用，不能实现iPhone双卡双待，造成功能浪费。这些没有开通eSIM服务的地区仍然有很多iPhone用户希望可以使用这个功能，曾有iPhone维修从业人员拆开主板夹层将eSIM芯片去除，再依照中国行货版本的iPhone的线路图补充元器件，将有eSIM功能的机型改造为行货版本，以实现双卡双待。但这个做法风险极大，因为eSIM芯片位于iPhone主板的夹层处，需要完全剖开主板才能去除，极有可能损坏主板；就算改装技术精湛主板没有损坏，由于改装过程中对iPhone进行了“开膛破肚”的操作，iPhone主板后期的稳定性也会大大削弱。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种无需拆卸主板的双卡双待转换式SIM卡电路。为实现上述目的，本技术采用以下技术方案：一种双卡双待转换式SIM卡电路，基于iPhoneeSIM功能电路预设的接口模块，还包括增设第二实体SIM卡的卡座模块，所述卡座模块与所述接口模块通过管脚电性连接；所述接口模块的时钟管脚接地以旁路eSIM芯片；iPhone内置SIM卡信号管脚与eSIM卡信号管脚并联以屏蔽iPhone内置的eSIM卡芯片，实现增设的第二实体SIM卡芯片信号检测；所述双卡双待转换式SIM卡电路还包括晶振源，所述晶振源与所述卡座模块电性连接以提供4.78MHz的时钟信号。其进一步技术方案为：还包括主控芯片，所述主控芯片型号为BJXM602，所述主控芯片与所述接口模块和所述卡座模块分别电性连接。其进一步技术方案为：所述主控芯片内置的第一输入输出设备管脚与所述接口模块内置的输入输出设备管脚连接；所述主控芯片内置的第二输入输出设备管脚与所述卡座模块内置的输入输出设备管脚连接。其进一步技术方案为：还包括用于写入程序到所述主控芯片的主控程序烧录接点，所述主控程序烧录接点与所述晶振源电性连接。其进一步技术方案为：所述晶振源包括晶振器和/或产生时钟信号的芯片。其进一步技术方案为：所述双卡双待转换式SIM卡电路为柔性电路板式。与现有技术相比的有益效果：本技术的一种双卡双待转换式SIM卡电路，以柔性电路板的方式，将增设的第二实体SIM卡与iPhone的预设的内置接口模块连接，仅需焊接若干必要的连接点即可实现双实体SIM卡双信号待机的功能，方便快捷；同时在保证iPhone主板功能稳定性的基础上，做到eSIM芯片和增设的第二实体SIM卡芯片的角色切换，对iPhone的eSIM功能实现了很好的保留与改进；主控芯片通过对iPhone主板与增设的第二实体SIM卡交互数据的转发与控制，还能够将原本由eSIM实现的写号功能转移到主控芯片的cos系统中实现，主控芯片在eSIM功能和增设的第二实体SIM卡功能间无缝切换，基于eSIM的双卡双待和基于双实体SIM卡的双卡双待功能在同一部iPhone中得以实现。本技术提供的电路结构简单，无需拆分iPhone主板，无需移除iPhone内的任何电子元件，不会损坏iPhone结构，通过焊接主板调试管脚即可完成改装，易于操作实现。为了能够更清楚地理解本技术的上述目的、特性和优点，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步的详细描述。附图说明图1为本技术提供的双卡双待转换式SIM卡电路的电路原理图；图2为改进后SIM卡(标准单SIM卡外形双SIM卡金属核心)的结构爆炸视图。具体实施方式在下面的具体描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是本技术还可以采用其他不同于此描述的其他方式来实现，因此，本技术的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。如图1所示，具体实施例1中，本技术提供的双卡双待转换式SIM卡电路，基于iPhoneeSIM功能电路预设的接口模块；通过接口模块连接有：增设的第二实体SIM卡的卡座模块；用于控制数据流的主控芯片，本实施例中主控芯片型号选用BJXM602；和用于给SIM卡提供同步时钟的晶振源。其中接口模块包括：GND，eSIM_VCC，eSIM_IO，eSIM_CLK，eSIM_RST，SIM_DETE，eSIM_DETE的7个功能管脚。卡座模块包括：SIM2_GND，SIM2_VCC，SIM2_IO，SIM2_CLK，SIM2_RST的5个功能管脚。主控芯片包括：MCU_GND，MCU_VCC，MCU_SIO，MCU_IO2，MCU_CLK，MCU_RST的6个功能管脚。晶振源包括：GND，VCC，CLK，EN的4个功能管脚。晶振源为晶振器和/或产生时钟信号的芯片。功能实现原理：接口模块的eSIM_CLK时钟管脚是iPhone内部的晶振源产生4.78MHz的时钟信号提供给eSIM芯片使用的，本技术提供的电路将eSIM_CLK时钟管脚与GND管脚接地连接，目的是使时钟信号失效，让eSIM芯片不能获得时钟信号而无法启动，从而旁路eSIM芯片。SIM_DETE信号管脚(内置SIM卡信号管脚)与eSIM_DETE信号管脚(eSIM卡信号管脚)并联，目的是当插入双实体SIM卡时，使得iPhone能检测到增设的实体SIM卡的插卡信号，从而屏蔽iPhone内置的eSIM芯片检测信号，让iPhone系统判断为实体SIM卡而不是eSIM，以进行下一步的读卡操作。eSIM芯片由于未能获得工作时钟信号CLK，无法启动响应iPhone的读卡操作。由于新插入的增设实体SIM卡的SIM2_VCC电源管脚，SIM2_GND接地管脚，SIM2_RST复位管脚，SIM2_IO输入输出接口信号管脚是与eSIM芯片的eSIM_VCC电源管脚，GND接地管脚，eSIM_RST复位管脚，eSIM_IO输入输出设备管脚分别对应连接实现并联关系。同步时钟信号SIM2_CLK时钟管脚没有并联，而是从的晶振源获得同样频率的4.78MHz的时钟CLK信号，用以启动并响应iPhone的读卡操作，整体替代了eSIM芯片的作用。主控芯片的MCU_GND接地管脚，MCU_VCC电源管脚，MCU_SIO输入输出设备管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双卡双待转换式SIM卡电路，基于iPhone eSIM功能电路预设的接口模块，其特征在于，还包括增设第二实体SIM卡的卡座模块，所述卡座模块与所述接口模块通过管脚电性连接；所述接口模块的时钟管脚接地以旁路eSIM芯片；iPhone内置SIM卡信号管脚与eSIM卡信号管脚并联以屏蔽iPhone内置的eSIM卡芯片，实现增设的第二实体SIM卡芯片信号检测；/n所述双卡双待转换式SIM卡电路还包括晶振源，所述晶振源与所述卡座模块电性连接以提供4.78MHz的时钟信号。/n

【技术特征摘要】
1.一种双卡双待转换式SIM卡电路，基于iPhoneeSIM功能电路预设的接口模块，其特征在于，还包括增设第二实体SIM卡的卡座模块，所述卡座模块与所述接口模块通过管脚电性连接；所述接口模块的时钟管脚接地以旁路eSIM芯片；iPhone内置SIM卡信号管脚与eSIM卡信号管脚并联以屏蔽iPhone内置的eSIM卡芯片，实现增设的第二实体SIM卡芯片信号检测；
所述双卡双待转换式SIM卡电路还包括晶振源，所述晶振源与所述卡座模块电性连接以提供4.78MHz的时钟信号。


2.根据权利要求1所述的双卡双待转换式SIM卡电路，其特征在于，还包括主控芯片，所述主控芯片型号为BJXM602，所述主控芯片与所述接口模块和所述卡座模块分别电性连接。

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【专利技术属性】
技术研发人员：胡文东，
申请(专利权)人：深圳市幻日西姆科技发展有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44